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公开(公告)号：CN113483677A
公开(公告)日：2021-10-08
申请号：CN202110674841.0
申请日：2021-06-18
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
Abstract: 本发明公开了一种基于椭偏仪的原位薄膜性质参数实时表征方法。本发明的技术方案为：在薄膜生长过程中，实时测量同一性质参数有较大差别薄膜样品的椭偏参数ψ和Δ；通过拟合椭偏参数，获取上述薄膜样品的介电函数图谱；采用插值方法，建立以该性质参数为变量的光学常数函数库；用该光学常数函数库描述待测薄膜的光学性质，构建适于薄膜生长过程监测的在线椭偏拟合模型；使用在线椭偏拟合模型对薄膜生长过程中的椭偏参数进行实时拟合，从而获得生长过程中薄膜性质参数的实时表征与评价。本发明的优点在于为薄膜生长过程中纵向集成结构设计、性能参数实时表征和评价等问题提供解决方案，为复杂异质结制备技术的发展提供新思路。
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公开(公告)号：CN101740662A
公开(公告)日：2010-06-16
申请号：CN200910198969.3
申请日：2009-11-18
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
IPC: H01L31/18
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 本发明公开了一种碲镉汞(HgCdTe)红外焦平面芯片的碲化镉原位钝化方法，它涉及光电探测器制造工艺技术。本发明采用在由分子束外延生长碲镉汞红外探测材料的终点时，于碲镉汞薄膜表面先原位生长一层碲化镉薄膜，并在碲镉汞红外探测芯片制备过程中对需要钝化区域的碲化镉薄膜不予以破坏的碲化镉原位钝化的技术方案，有效解决了常规碲化镉钝化方法会造成碲镉汞红外焦平面探测芯片探测性能损失和工艺稳定性低的问题。本发明方法具有工艺简单、操作便捷、稳定性高和钝化效果好的特点。
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公开(公告)号：CN101706428A
公开(公告)日：2010-05-12
申请号：CN200910198964.0
申请日：2009-11-18
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
IPC: G01N21/59
Abstract: 本发明公开了一种用脉冲激光泵浦-探测实验检测碲镉汞薄膜材料光学激活深能级上载流子弛豫时间的方法。在对碲镉汞薄膜材料的脉冲激光泵浦-探测实验中，由泵浦光脉冲激发的光生载流子首先被深能级俘获，之后通过复合逐渐恢复到平衡态。在此过程中深能级上部分载流子会被探测光脉冲重新激发进入导带，导致探测光子被大量吸收，使探测光透射强度小于不加泵浦光时的透射强度，造成在相对透射强度的延时变化曲线中出现一个数值为负的吸收谷。这种负的相对透射率随时间逐渐恢复到接近于零的平衡态时的情形，其恢复的时间过程反映出深能级上载流子浓度的变化，体现出深能级上非平衡载流子的弛豫时间。通过理论拟合能够提取出该弛豫时间的数值。
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公开(公告)号：CN119342928A
公开(公告)日：2025-01-21
申请号：CN202411501680.5
申请日：2024-10-25
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
IPC: H10F71/00 , H10F30/225
Abstract: 本发明公开了一种吸收区全耗尽高温运行中波雪崩探测器结构的制备方法，该方法是采用背部高组分互扩散的碲镉汞材料，经离子注入形成n+区后推结退火形成雪崩探测器n‑倍增区，通过控制推结退火时间与温度，使倍增区集中在低组分区以获得最大增益与中波响应，而吸收区禁带宽度差异形成的内建电场耗尽吸收区厚度，实现通过减弱扩散电流形成高温运行中波雪崩探测器。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101706428B
公开(公告)日：2012-06-27
申请号：CN200910198964.0
申请日：2009-11-18
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
IPC: G01N21/59
Abstract: 本发明公开了一种用脉冲激光泵浦-探测实验检测碲镉汞薄膜材料光学激活深能级上载流子弛豫时间的方法。在对碲镉汞薄膜材料的脉冲激光泵浦-探测实验中，由泵浦光脉冲激发的光生载流子首先被深能级俘获，之后通过复合逐渐恢复到平衡态。在此过程中深能级上部分载流子会被探测光脉冲重新激发进入导带，导致探测光子被大量吸收，使探测光透射强度小于不加泵浦光时的透射强度，造成在相对透射强度的延时变化曲线中出现一个数值为负的吸收谷。这种负的相对透射率随时间逐渐恢复到接近于零的平衡态时的情形，其恢复的时间过程反映出深能级上载流子浓度的变化，体现出深能级上非平衡载流子的弛豫时间。通过理论拟合能够提取出该弛豫时间的数值。
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公开(公告)号：CN101740662B
公开(公告)日：2011-06-22
申请号：CN200910198969.3
申请日：2009-11-18
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
IPC: H01L31/18
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 本发明公开了一种碲镉汞(HgCdTe)红外焦平面芯片的碲化镉原位钝化方法，它涉及光电探测器制造工艺技术。本发明采用在由分子束外延生长碲镉汞红外探测材料的终点时，于碲镉汞薄膜表面先原位生长一层碲化镉薄膜，并在碲镉汞红外探测芯片制备过程中对需要钝化区域的碲化镉薄膜不予以破坏的碲化镉原位钝化的技术方案，有效解决了常规碲化镉钝化方法会造成碲镉汞红外焦平面探测芯片探测性能损失和工艺稳定性低的问题。本发明方法具有工艺简单、操作便捷、稳定性高和钝化效果好的特点。
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公开(公告)号：CN118352435A
公开(公告)日：2024-07-16
申请号：CN202410526876.3
申请日：2024-04-29
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
IPC: H01L31/18 , H01L31/0352 , H01L31/107
Abstract: 本发明公开了一种高增益带宽积碲镉汞异质结雪崩探测器结构的制备方法，该方法是采用表面以及背面组分互扩散的材料，经SIMS测试标定组分变化区域位置后，随后通过常规工艺制备平面型雪崩探测器，采用湿法腐蚀工艺对背部p型吸收区深度腐蚀至所需入射光不吸收高组分区域；然后制备爬坡金属实现欧姆接触，通过In柱与GSG测试宝石板连通；最后，用低温冷探针测试电流与增益，高频探针测试响应带宽。
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公开(公告)号：CN1298022C
公开(公告)日：2007-01-31
申请号：CN200410053175.5
申请日：2004-07-27
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
Abstract: 本发明公开了一种用于碲镉汞外延生长的数字合金复合衬底及制备方法，衬底包括：基片，在基片上依次置有缓冲层、数字合金层、过渡层。制备方法采用常规的分子束外延或原子外延方法及后处理技术。通过不同的生长工艺条件和特定的结构解决了在晶格失配衬底上外延的HgCdTe材料位错密度高的问题。同时通过调节数字合金层中的y组分使该合金层相对HgCdTe后继外延层为红外透明，可用作背照射结构的各种红外焦平面探测器的嵌入式前截止带通滤光片。本方法适合于在Si、Ge、GaAs以及宝石衬底上外延高质量HgCdTe材料，可以满足背照射、正照射各种红外焦平面探测器结构的使用要求。
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公开(公告)号：CN1588620A
公开(公告)日：2005-03-02
申请号：CN200410053175.5
申请日：2004-07-27
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
Abstract: 本发明公开了一种用于碲镉汞外延生长的数字合金复合衬底及制备方法，衬底包括：基片，在基片上依次置有缓冲层、数字合金层、过渡层。制备方法采用常规的分子束外延或原子外延方法及后处理技术。通过不同的生长工艺条件和特定的结构解决了在晶格失配衬底上外延的HgCdTe材料位错密度高的问题。同时通过调节数字合金层中的y组分使该合金层相对HgCdTe后继外延层为红外透明，可用作背照射结构的各种红外焦平面探测器的嵌入式前截止带通滤光片。本方法适合于在Si、Ge、GaAs以及宝石衬底上外延高质量HgCdTe材料，可以满足背照射、正照射各种红外焦平面探测器结构的使用要求。
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