公开(公告)号：CN101958332A

公开(公告)日：2011-01-26

申请号：CN201010234876.4

申请日：2010-07-23

Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所

Inventor： 叶振华 ,  王建新 ,  潘建珍 ,  邢雯 ,  刘丹 ,  陈昱 ,  林春 ,  胡晓宁 ,  丁瑞军 ,  何力

IPC: H01L27/144 ,  H01L31/101 ,  H01L31/0352

Abstract: 本发明公开了一种光电二极管n区结构优化的离子注入n+-on-p型碲镉汞(HgCdTe)红外长波(long-wavelength)光伏探测芯片，它涉及光电探测器件技术。本发明采用光电二极管n区由通过离子注入和低能等离子体优化形成的离子注入损伤修复区和光电二极管p-n结的推进区构成的n+-on-p型HgCdTe红外长波光伏探测芯片的结构方案，有效解决了传统HgCdTe红外焦平面列阵长波光伏探测芯片电学n区存在离子注入损伤和p-n结电场位于物理损伤区，而引起的光敏感元二极管动态阻抗和探测性能下降的问题。本发明具有结构集成度高的特点。

公开(公告)号：CN106024982A

公开(公告)日：2016-10-12

申请号：CN201610538918.0

申请日：2016-07-11

Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所

Inventor： 许佳佳 ,  陈建新 ,  马伟平 ,  潘建珍 ,  李宁 ,  白治中

IPC: H01L31/18 ,  H01L21/768

CPC classification number: H01L31/18 ,  H01L21/7688 ,  H01L21/76895 ,  H01L2221/1068

Abstract: 本发明公开了一种红外焦平面芯片的铟柱制备方法，使用负性光刻胶光刻获得塔形铟孔，热蒸发生长铟膜，湿法剥离得到铟柱。本发明的优点是铟柱制备工艺简单，极易湿法剥离，重复性好；适用于大规模红外焦平面的铟柱阵列制备，能获得高度一致性好，顶部一致性平整的塔形铟柱阵列，占空比小，可避免在倒焊互连时像元由于铟柱形变而短路，进而降低红外焦平面探测器芯片盲元率和非均匀性；本发明适用于碲镉汞红外焦平面探测器平面结的铟柱制备，也适用于III‑V族红外焦平面探测器台面结的铟柱制备，对与探测器芯片配套的集成电路也适用，普适性好。