公开(公告)号：CN106868593B

公开(公告)日：2019-04-19

申请号：CN201710011291.8

申请日：2017-01-06

Applicant: 中国科学院上海光学精密机械研究所

Inventor： 夏长泰 ,  张宏哲 ,  王林军 ,  赛青林 ,  周威 ,  齐红基 ,  潘明艳

IPC: C30B29/16 ,  C30B13/00

Abstract: 本发明公开了一种电阻率低至10‑3Ω·cm量级的共掺杂氧化镓晶体，通过Sn和In离子掺入氧化镓形成的n型导电晶体，化学式为Ga2‑2x‑2yIn2xSn2yO3+y，其中x＝10～30mol％，y＝0.005～1mol％。同时公开了获得高电导率氧化镓晶体的制备方法，通过在氧化镓基质里面同时掺入Sn和In元素，使用光学浮区法生长出单晶，在较低的掺杂浓度下，获得较高的载流子浓度，实现氧化镓晶体电导率的提高。

公开(公告)号：CN106868593A

公开(公告)日：2017-06-20

申请号：CN201710011291.8

申请日：2017-01-06

Applicant: 中国科学院上海光学精密机械研究所

Inventor： 夏长泰 ,  张宏哲 ,  王林军 ,  赛青林 ,  周威 ,  齐红基 ,  潘明艳

IPC: C30B29/16 ,  C30B13/00

Abstract: 本发明公开了一种电阻率低至10‑3Ω·cm量级的共掺杂氧化镓晶体，通过Sn和In离子掺入氧化镓形成的n型导电晶体，化学式为Ga2‑2x‑2yIn2xSn2yO3+y，其中x＝10～30mol％，y＝0.005～1mol％。同时公开了获得高电导率氧化镓晶体的制备方法，通过在氧化镓基质里面同时掺入Sn和In元素，使用光学浮区法生长出单晶，在较低的掺杂浓度下，获得较高的载流子浓度，实现氧化镓晶体电导率的提高。