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公开(公告)号：CN118880463A
公开(公告)日：2024-11-01
申请号：CN202411185614.1
申请日：2024-08-27
Applicant: 中国科学院上海光学精密机械研究所
Abstract: 本发明公开一种导模法生长氧化镓单晶的生长装置及生长方法。所述生长装置包括坩埚和位于所述坩埚中的模具，所述生长装置还包括：发热体，所述发热体位于所述坩埚外围，所述发热体的上边缘高于所述坩埚的上边缘10‑15mm；盖板，所述盖板盖于所述发热体上，所述盖板的中心处设置有通孔。本发明采用了一定的后热设计和大间距的隔热盖板，并结合特定的功率控制工艺，巧妙利用了氧化镓的结晶习性，实现了可控的分步放肩过程。放肩过程分步可控，避免了宽厚二维随机放肩，单晶成品率高。所有流程单次连续完成，流程简单。通常放肩三角部作为不可加工部分，会造成原料浪费，本发明这种方法大大降低了原料的浪费率。
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公开(公告)号：CN117286567A
公开(公告)日：2023-12-26
申请号：CN202311207850.4
申请日：2023-09-19
Applicant: 中国科学院上海光学精密机械研究所
Abstract: 本发明公开一种导模法生长氧化镓晶体的生长装置与生长方法。所述生长装置包括坩埚和内嵌于所述坩埚中心的方形模具，其中，所述坩埚为方形坩埚。本发明通过将圆形坩埚替换为方形坩埚，使得模具在长度方向上的受热更加均匀，从而减小模具中心和两端的温度差，进而减少晶体生长时内部出现过冷开裂的情况，提高晶体生长的质量和效率。
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公开(公告)号：CN110325671A
公开(公告)日：2019-10-11
申请号：CN201880004978.1
申请日：2018-01-24
Applicant: 中国科学院上海光学精密机械研究所
IPC: C30B29/16 , C30B13/00 , C30B15/00 , H01L31/032
Abstract: 本发明公开了一种VB族元素掺杂β-氧化镓晶态材料及其制备方法和应用。该系列掺杂β-Ga2O3晶态材料属于单斜晶系，空间群为C2/m，电阻率在2.0×10-4到1×104Ω·cm范围内和/或载流子浓度在5×1012到7×1020/cm3范围内。制备方法包括步骤：将纯度在4N以上的M2O5和Ga2O3按照摩尔比(0.000000001-0.01):(0.999999999-0.99)混合后进行晶体生长即可。本发明采用常规工艺即可制备得到高电导率，呈n型导电特性的β-Ga2O3晶态材料，为其在电力电子器件、光电子器件、光催化剂或导电衬底上的应用提供基础。
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公开(公告)号：CN106868593A
公开(公告)日：2017-06-20
申请号：CN201710011291.8
申请日：2017-01-06
Applicant: 中国科学院上海光学精密机械研究所
Abstract: 本发明公开了一种电阻率低至10‑3Ω·cm量级的共掺杂氧化镓晶体，通过Sn和In离子掺入氧化镓形成的n型导电晶体，化学式为Ga2‑2x‑2yIn2xSn2yO3+y，其中x＝10～30mol％，y＝0.005～1mol％。同时公开了获得高电导率氧化镓晶体的制备方法，通过在氧化镓基质里面同时掺入Sn和In元素，使用光学浮区法生长出单晶，在较低的掺杂浓度下，获得较高的载流子浓度，实现氧化镓晶体电导率的提高。
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公开(公告)号：CN103882522B
公开(公告)日：2017-01-04
申请号：CN201410108556.2
申请日：2014-03-21
Applicant: 中国科学院上海光学精密机械研究所
Abstract: 一种离子掺杂铝酸钙钆激光晶体的制备方法，在铝酸钙钆基质中掺入铬铈钕等离子，采用提拉法或浮区法生长出优质的铬铈钕共掺或铈钕，铬钕双掺的铝酸钙钆激光晶体。晶体完整无开裂，可见光波段吸收效率高，是一种非常优良的太阳光泵浦激光增益介质。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102560665B
公开(公告)日：2014-11-26
申请号：CN201210014789.7
申请日：2012-01-18
Applicant: 中国科学院上海光学精密机械研究所
Abstract: 一种铈掺杂的氧化铝-钇铝石榴石共晶荧光材料的生长方法。采用的垂直温梯法，主要利用加热体的各处发热功率分布不同，制造一个合理的垂直温度梯度环境，经过预处理的原料放入坩埚内升温熔化，熔体静止在该温场中，通过控制速度的分段降温过程，使熔体从底部结晶，固液界面自下而上移动生长晶体。本发明方法相对于一般的坩埚下降等定向凝固的方法，由于无机械可动部分，解决了界面不稳可能带来的问题，同时封闭生长系统又保证了掺杂相对的均匀性。该方法生长的这种共晶材料质量稳定，具有良好的光转化性能、光混合性和耐热性，在大功率白光LED等多种发光器件上具有良好应用潜力。
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公开(公告)号：CN102560665A
公开(公告)日：2012-07-11
申请号：CN201210014789.7
申请日：2012-01-18
Applicant: 中国科学院上海光学精密机械研究所
Abstract: 一种铈掺杂的氧化铝-钇铝石榴石共晶荧光材料的生长方法。采用的垂直温梯法，主要利用加热体的各处发热功率分布不同，制造一个合理的垂直温度梯度环境，经过预处理的原料放入坩埚内升温熔化，熔体静止在该温场中，通过控制速度的分段降温过程，使熔体从底部结晶，固液界面自下而上移动生长晶体。本发明方法相对于一般的坩埚下降等定向凝固的方法，由于无机械可动部分，解决了界面不稳可能带来的问题，同时封闭生长系统又保证了掺杂相对的均匀性。该方法生长的这种共晶材料质量稳定，具有良好的光转化性能、光混合性和耐热性，在大功率白光LED等多种发光器件上具有良好应用潜力。
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公开(公告)号：CN118996627A
公开(公告)日：2024-11-22
申请号：CN202411185618.X
申请日：2024-08-27
Applicant: 中国科学院上海光学精密机械研究所
Abstract: 本发明涉及氧化镓单晶生长技术领域，尤其涉及一种导模法生长氧化镓单晶的上热场结构与生长装置。本发明的导模法生长氧化镓单晶的上热场结构，通过在第一盖板上方设置第二盖板，密封件和第一保温层采用间隔设置，且密封件和第一保温层的间距在2mm～10mm之间，使得分解的气相产物在第一盖板和第二盖板之间水平流下，并沿着密封件和第一保温层之间的通道下沉，然后从观察窗回到氧化镓熔体上方，这样分解的气相产物Ga2O和O2在热场结构内循环流动，且尽可能地避免了气相产物向外溢出，从而在氧化镓熔体上方维持稳定的高浓度富集气相产物，进而有效的抑制氧化镓熔体分解挥发，提高了氧化镓单晶生长稳定性。
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公开(公告)号：CN118441355A
公开(公告)日：2024-08-06
申请号：CN202410298255.4
申请日：2024-03-15
Applicant: 中国科学院上海光学精密机械研究所
Abstract: 本发明公开一种β相氧化镓外延薄膜及其制备方法与应用，涉及半导体外延薄膜制备技术领域，所述制备方法包括步骤：提供带有斜切角度的(100)晶面氧化镓衬底，斜切角度为6±1°，斜切方向为沿#imgabs0#晶向方向；将带有斜切角度的(100)晶面氧化镓衬底置于分子束外延设备中，以(100)晶面为生长面，进行β相氧化镓的外延生长，在带有斜切角度的(100)晶面氧化镓衬底上制备得到β相氧化镓同质外延薄膜。本发明在带有斜切角度的(100)晶面氧化镓衬底上通过分子束外延方法，制备得到了高载流子浓度和电子迁移率、低表面粗糙度、高结晶质量的β相氧化镓外延薄膜，其可用于制备深紫外透明电极。
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公开(公告)号：CN118360667A
公开(公告)日：2024-07-19
申请号：CN202410298250.1
申请日：2024-03-15
Applicant: 中国科学院上海光学精密机械研究所
Abstract: 本发明公开一种氧化镓外延薄膜及其制备方法，涉及半导体外延薄膜制备技术领域，所述制备方法包括步骤：对提供的氧化镓晶锭进行切割，得到带有斜切角度的(100)晶面氧化镓衬底，所述斜切角度为1.0±0.05°，斜切方向为沿#imgabs0#晶向方向；将带有斜切角度的(100)晶面氧化镓衬底置于MOCVD设备中，以(100)晶面为生长面，进行氧化镓的外延生长，在带有斜切角度的(100)晶面氧化镓衬底上制备得到氧化镓外延薄膜。本发明采用所述衬底制备得到的氧化镓外延薄膜的粗糙度可低至0.775nm。同时采用的氧化镓衬底的斜切角度很小仅为1±0.05°，避免了在切割过程中对氧化镓块状单晶的浪费。
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