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公开(公告)号：CN108060456A
公开(公告)日：2018-05-22
申请号：CN201711319598.0
申请日：2017-12-12
Applicant: 中国科学院上海光学精密机械研究所
Abstract: 本发明属于单晶生长技术领域，公开了一种采用坩埚下降法生长铝酸铍晶体的方法。将原料Al2O3和BeO按照化学计量比称料，混合均匀、压块；在1200～1350℃炉温下预烧结8～12小时，经固相反应合成铝酸铍多晶组分。将取向确定的铝酸铍籽晶放在坩埚底部的籽晶槽中，再装入合成好的多晶组分，旋紧坩埚盖，然后将坩埚置于下降法晶体生长炉中；抽真空，待真空度达到1×10‑3Pa时，充入高纯Ar作为保护气氛；升温，在1870～1950℃熔化多晶原料及籽晶顶部，生长界面温度梯度控制在10～40℃/cm，坩埚下降速度控制在0.5～10mm/h。本发明中铝酸铍晶体的外形和尺寸容易控制，避免了熔体中氧化铍的挥发对环境的污染，并且可采用多坩埚同时生长铝酸铍晶体，生长效率高，有利于工业化生产。
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公开(公告)号：CN106766914A
公开(公告)日：2017-05-31
申请号：CN201710000707.6
申请日：2017-01-03
Applicant: 中国科学院上海光学精密机械研究所
IPC: F27B17/02
CPC classification number: F27B17/02
Abstract: 一种高真空管式炉用管堵，其特征在于，包括一石英玻璃圆柱体空心外壳，所述圆柱体空心外壳外径比管式炉的炉管内径略小，所述圆柱体空心外壳的两端面都开有若干个通气小孔，所述圆柱体空心外壳的两端面边缘倒角，所述圆柱体空心外壳的一端面焊接一个石英环，在该端面中心设有填料螺纹孔和该填料螺纹孔相配的带螺纹的石英盖，所述圆柱体空心外壳内部填满石英玻璃珠，石英玻璃珠的直径小于所述的填料螺纹孔的直径而大于所述的通气孔的直径。本发明与传统管堵相比，可有效提高管式炉的真空度和洁净度，能够连续多次重复使用，降低了制造成本。
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公开(公告)号：CN118463841A
公开(公告)日：2024-08-09
申请号：CN202410442113.0
申请日：2024-04-12
Applicant: 中国科学院上海光学精密机械研究所
IPC: G01B11/24
Abstract: 本发明公开了一种基于样本熵分析的透明平行光学元件面形检测方法，用于准确测量透明平行光学元件前、后表面的面形误差。本发明基于波长调谐干涉测量技术，通过对干涉信号序列在不同时间尺度上的细致分析，实现了对不同表面干涉信号的高精度分离，从而得到透明平行光学元件前、后表面的面形误差，相对测量精度优于λ/100(PV)。本发明方法具有测试结果稳定，通用性强，能够用于光学车间快速检测。
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公开(公告)号：CN105568383B
公开(公告)日：2018-04-17
申请号：CN201610006799.4
申请日：2016-01-06
Applicant: 中国科学院上海光学精密机械研究所
Abstract: 本发明属于晶体生长技术领域，提供了一种CaCu3Ti4O12晶体生长原料的合成方法，将CaCO3、CuO和TiO2按照配比充分混合均匀、压制成块状、高温烧结后成为晶体生长的起始原料。还提供了一种制备CaCu3Ti4O12晶体的方法，将上述烧结体放入晶体生长炉中，以铂金坩埚作为生长容器，升温至熔化后，搅拌溶液，然后冷却至饱和点以上5～15℃，得到混合均匀的熔体，将籽晶预热后缓慢引入晶体生长炉开始试探饱和温度，20～24h后籽晶未熔未长，则开始以0.1～2℃/day的降温速率缓慢生长，晶体生长结束后，提出晶体然后缓慢降至室温，取出得到CaCu3Ti4O12晶体。CaCu3Ti4O12晶体具有巨介电常数，有望用于新信息存储材料等领域。
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公开(公告)号：CN106838574A
公开(公告)日：2017-06-13
申请号：CN201710000699.5
申请日：2017-01-03
Applicant: 中国科学院上海光学精密机械研究所
Abstract: 管式炉用炉管调整架，包括一个可调节高度的支撑杆，所述支撑杆顶端固定一个横向放置的上面具有一个半圆筒型支撑台，所述半圆筒型支撑台上面放置一套保温套筒，所述保温套筒由两块半管状保温材料加工而成，其中一块半管状保温套筒横断面设有内台阶，另一块半管状保温套筒横断面设有外台阶，两块半管状保温材料对接形成一套保温套筒。所述半圆筒型支撑台的半径略大于保温套筒的外径，所述保温套筒的内径略大于管式炉炉管外径。本发明不仅可以防止管式炉的炉管在高温使用过程中产生弯曲形变的作用，还可以起到提高管式炉热区的温度均匀性的作用。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN106834631A
公开(公告)日：2017-06-13
申请号：CN201710132523.5
申请日：2017-03-07
Applicant: 中国科学院上海光学精密机械研究所
CPC classification number: C21D1/64 , C21D1/74 , C21D1/773 , C21D9/0062
Abstract: 一种真空淬火管式炉及淬火方法，真空淬火管式炉包括高温炉体、炉管和电热元件、第一真空法兰、第二真空法兰、第一管堵、第二管堵、装有淬火介质的淬火池、载样杆、载样坩埚等，本发明具有炉体造价低、能耗低、操作简便、使用和维护方便的特点。
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公开(公告)号：CN105568383A
公开(公告)日：2016-05-11
申请号：CN201610006799.4
申请日：2016-01-06
Applicant: 中国科学院上海光学精密机械研究所
Abstract: 本发明属于晶体生长技术领域，提供了一种CaCu3Ti4O12晶体生长原料的合成方法，将CaCO3、CuO和TiO2按照配比充分混合均匀、压制成块状、高温烧结后成为晶体生长的起始原料。还提供了一种制备CaCu3Ti4O12晶体的方法，将上述烧结体放入晶体生长炉中，以铂金坩埚作为生长容器，升温至熔化后，搅拌溶液，然后冷却至饱和点以上5～15℃，得到混合均匀的熔体，将籽晶预热后缓慢引入晶体生长炉开始试探饱和温度，20～24h后籽晶未熔未长，则开始以0.1～2℃/day的降温速率缓慢生长，晶体生长结束后，提出晶体然后缓慢降至室温，取出得到CaCu3Ti4O12晶体。CaCu3Ti4O12晶体具有巨介电常数，有望用于新信息存储材料等领域。
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公开(公告)号：CN106766914B
公开(公告)日：2019-04-19
申请号：CN201710000707.6
申请日：2017-01-03
Applicant: 中国科学院上海光学精密机械研究所
IPC: F27B17/02
Abstract: 一种高真空管式炉用管堵，其特征在于，包括一石英玻璃圆柱体空心外壳，所述圆柱体空心外壳外径比管式炉的炉管内径略小，所述圆柱体空心外壳的两端面都开有若干个通气小孔，所述圆柱体空心外壳的两端面边缘倒角，所述圆柱体空心外壳的一端面焊接一个石英环，在该端面中心设有填料螺纹孔和该填料螺纹孔相配的带螺纹的石英盖，所述圆柱体空心外壳内部填满石英玻璃珠，石英玻璃珠的直径小于所述的填料螺纹孔的直径而大于所述的通气孔的直径。本发明与传统管堵相比，可有效提高管式炉的真空度和洁净度，能够连续多次重复使用，降低了制造成本。
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公开(公告)号：CN106834631B
公开(公告)日：2018-10-02
申请号：CN201710132523.5
申请日：2017-03-07
Applicant: 中国科学院上海光学精密机械研究所
Abstract: 一种真空淬火管式炉及淬火方法，真空淬火管式炉包括高温炉体、炉管和电热元件、第一真空法兰、第二真空法兰、第一管堵、第二管堵、装有淬火介质的淬火池、载样杆、载样坩埚等，本发明具有炉体造价低、能耗低、操作简便、使用和维护方便的特点。
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公开(公告)号：CN106435730A
公开(公告)日：2017-02-22
申请号：CN201610808276.1
申请日：2016-09-08
Applicant: 中国科学院上海光学精密机械研究所
Abstract: 一种多坩埚下降法制备氟化镁晶体的生长设备及生长方法，所述多孔石墨坩埚包括籽晶区、晶体生长区、料仓区和坩埚盖四部分；所述生长设备还包括炉膛、下降装置和铜感应加热线圈，所述炉膛的上方和下方设有通气孔，所述炉膛内壁、铜感应线圈和下降杆表面镀有镍层或是耐高温的有机树脂层，能够耐氟化氢等气体腐蚀。所述制备方法包括步骤：设置参数、装炉、抽真空并通入保护气体、待原料完全熔融形成熔体并且籽晶熔细后开始下降制备氟化镁晶体。本发明制备的氟化镁单晶光学质量优良，190nm波长透过率可以达到93.5％；本发明中氟化镁晶体外形和尺寸容易控制；并且多坩埚同时生长氟化镁晶体，生长效率高，有利于工业化生产。
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