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公开(公告)号：CN108342775B
公开(公告)日：2024-04-12
申请号：CN201710061035.X
申请日：2017-01-25
Applicant: 中国科学院上海光学精密机械研究所
IPC: C30B29/16 , C30B13/00 , H01L31/032 , B01J23/20
Abstract: 本发明公开了一种钽掺杂β氧化镓晶态材料及其制备方法和应用。该Ta掺杂β‑Ga2O3晶态材料属于单斜晶系，空间群为C2/m，电阻率在2.0×10‑4到1×104Ω·cm范围内和/或载流子浓度在5×1012到7×1020/cm3范围内。制备方法包括步骤：将纯度在4N以上的Ta2O5和Ga2O3混合后进行晶体生长即可。本发明采用常规工艺即可制备得到高电导率，呈n型导电特性的β‑Ga2O3晶态材料，为其在电力电子器件、光电子器件、光催化剂或导电衬底上的应用提供基础。
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公开(公告)号：CN106868593B
公开(公告)日：2019-04-19
申请号：CN201710011291.8
申请日：2017-01-06
Applicant: 中国科学院上海光学精密机械研究所
Abstract: 本发明公开了一种电阻率低至10‑3Ω·cm量级的共掺杂氧化镓晶体，通过Sn和In离子掺入氧化镓形成的n型导电晶体，化学式为Ga2‑2x‑2yIn2xSn2yO3+y，其中x＝10～30mol％，y＝0.005～1mol％。同时公开了获得高电导率氧化镓晶体的制备方法，通过在氧化镓基质里面同时掺入Sn和In元素，使用光学浮区法生长出单晶，在较低的掺杂浓度下，获得较高的载流子浓度，实现氧化镓晶体电导率的提高。
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公开(公告)号：CN105239162A
公开(公告)日：2016-01-13
申请号：CN201510524713.2
申请日：2015-08-25
Applicant: 中国科学院上海光学精密机械研究所
Abstract: 一种用于宽禁带半导体的氧化铝-氧化镓混晶材料，结构式为Ga2-2xAl2xO3，其中氧化铝掺杂摩尔比x为0-50％，及其制备方法。本发明保持了原有的氧化镓晶体结构，形成混晶，晶体具有很高的光学质量，无开裂，散射颗粒，气泡等缺陷，颜色均匀；通过掺杂，晶体的紫外吸收截止边延伸到210-255nm，是一种非常优良的深紫外衬底材料。
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公开(公告)号：CN1322176C
公开(公告)日：2007-06-20
申请号：CN200410066748.8
申请日：2004-09-28
Applicant: 中国科学院上海光学精密机械研究所
Abstract: 一种具有γ-LiAlO2单晶薄膜覆盖层衬底的制备方法，其步骤：先合成制备γ-LiAlO2靶材，然后利用射频磁控溅射方法在α-Al2O3或硅单晶衬底上制备γ-LiAlO2单晶薄膜，本发明方法的工艺简单、易操作，此种具有γ-LiAlO2单晶薄膜覆盖层衬底材料适合于高质量GaN的外延生长。
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公开(公告)号：CN1632182A
公开(公告)日：2005-06-29
申请号：CN200410068058.6
申请日：2004-11-11
Applicant: 中国科学院上海光学精密机械研究所
IPC: C30B1/10
Abstract: 一种低温相偏硼酸钡单晶薄膜的制备方法，包括如下具体步骤：在铂金坩埚内，放置有带气孔的Li2CO3和Al2O3混合料块；将双面抛光的α－BBO晶片置于或悬于铂金丝上，加上覆盖有Li2CO3和Al2O3混合粉料和热电偶的坩埚盖，坩埚顶部加铂金盖密闭，置于电阻炉中；该电阻炉加热升温至700～1000℃，恒温2～100小时，Li2O扩散到α－BBO晶片中，和α－BBO晶片发生固相反应，从而α－BBO晶片表层发生相变，生成β－BBO单晶薄膜。本方法可以在α－BBO衬底上生长出符合需要的微米量级的β－BBO单晶薄膜，不仅节省材料，还可以批量生产，对激光技术以及集成光学的发展具有重要的意义。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1603457A
公开(公告)日：2005-04-06
申请号：CN200410067894.2
申请日：2004-11-05
Applicant: 中国科学院上海光学精密机械研究所
Abstract: 一种射频磁控溅射法制备γ－LiAlO2单晶薄膜覆盖层衬底的方法，先合成制备γ－LiAlO2靶材，然后利用射频磁控溅射法在α－Al2O3或硅等单晶衬底上制备γ－LiAlO2单晶薄膜，本发明的射频磁控溅射法制备γ－LiAlO2单晶薄膜覆盖层衬底的工艺简单、易操作，此种具有γ－LiAlO2单晶薄膜覆盖层衬底材料适合于高质量GaN的外延生长。
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公开(公告)号：CN1587447A
公开(公告)日：2005-03-02
申请号：CN200410053438.2
申请日：2004-08-04
Applicant: 中国科学院上海光学精密机械研究所
Abstract: 一种掺铈焦硅酸镥高温闪烁晶体Lu2(1－x－y－z)Re2xCe2yM2zSi2O7的制备方法，本方法的关键是在配制原料的过程中，引入与CeO2等当量强还原性的Si3N4原料，以及引入痕量的Zr、Ta、或Mg等元素，并在升温化料以及晶体生长过程中将CeO2还原成Ce2O3，再与SiO2和Re2O3等氧化物反应合成含有Ce3+离子的焦硅酸镥高温闪烁单晶体。用本发明方法制备掺铈焦硅酸镥高温闪烁晶体中含Ce4+离子最少，具有较好的晶格完整性和抗辐照性能。
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公开(公告)号：CN1560892A
公开(公告)日：2005-01-05
申请号：CN200410016476.0
申请日：2004-02-23
Applicant: 中国科学院上海光学精密机械研究所
Abstract: 一种掺铈掺铕铝酸镥亚微米成像荧光屏及其制备方法，其特征在于该荧光屏的结构式是 Lu1－x－yCeyEuxAlO3/LuzY1－zAlO3，(0.0001≤x≤0.05，0.0001≤y≤0.05，0≤z≤1)，该荧光屏的制备方法是将晶面方向为(100)或(001)的LuzY1－zAlO3，(0≤z≤1)单晶衬底作大面积籽晶，在电阻加热液相外延炉中，在Lu1－x－yCeyEuxAlO3单晶的结晶温度下，与含有Lu1－x－yCeyEuxAlO3多晶料的助熔剂饱和溶液接触界面上生长一层微米及亚微米量级的Lu1－x－yCeyEuxAlO3单晶薄膜而构成。本发明的荧光屏应具有单晶薄膜质量高、光学性质好、X射线吸收系数高和分辨率高的特点。
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公开(公告)号：CN1308503C
公开(公告)日：2007-04-04
申请号：CN200410017312.X
申请日：2004-03-30
Applicant: 中国科学院上海光学精密机械研究所
IPC: C30B31/16
Abstract: 一种用于锂气氛气相传输平衡方法的坩埚，该坩埚是Al2O3陶瓷坩埚，由坩埚、架角、中间隔板和坩埚盖构成，在该坩埚内安置该架角，在该架角上放置该中间隔板，该中间隔板上开设有若干通气孔和供样品放置的细槽，坩埚盖的边沿设有与坩埚的周边相配合的环行凹槽。经使用证明，本发明坩埚具有加工简便、制造成本低、坩埚气密性好、对处理样品不污染的特点。
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公开(公告)号：CN1295747C
公开(公告)日：2007-01-17
申请号：CN200410067133.7
申请日：2004-10-13
Applicant: 中国科学院上海光学精密机械研究所
Abstract: 一种(Mg，Cd)In2O4/MgAl2O4复合衬底的材料及其制备方法，该复合衬底材料是在MgAl2O4单晶上设有一层(Mg，Cd)In2O4覆盖层构成。该复合衬底材料的制备方法是：用脉冲激光淀积方法在MgAl2O4(111)单晶衬底上形成(Mg，Cd)In2O4覆盖层，通过退火工艺处理，在MgAl2O4(111)单晶衬底得到晶化的(Mg，Cd)In2O4(111)薄膜。本发明的复合衬底材料的制备工艺简单，易操作，此种结构的复合衬底[(Mg，Cd)In2O4/MgAl2O4]适合于高质量GaN的外延生长。
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