公开(公告)号：CN105717755B

公开(公告)日：2020-11-06

申请号：CN201510924658.6

申请日：2015-12-14

Applicant: 东进世美肯株式会社

Inventor： 权五焕 ,  赵泰杓 ,  金炳郁 ,  郑宗铉 ,  尹锡壹 ,  韩莹圭 ,  沈载熙

IPC: G03F7/42

Abstract: 本发明提供一种稀释剂组合物。本发明中的稀释剂特别是对用于旋涂硬掩膜的难溶性光刻胶具有优异的溶解特性和适当的挥发性，可在短时间内有效去除在边缘光刻胶去除工序等中粘附的多余的光刻胶，并且还可以应用于半导体基板的预湿工艺等，使得以少量光刻胶或者旋涂硬掩膜也能有效形成感光膜。

公开(公告)号：CN101000467A

公开(公告)日：2007-07-18

申请号：CN200710000702.X

申请日：2007-01-10

Applicant: 东进世美肯株式会社

Inventor： 尹锡壹 ,  金圣培 ,  郑宗铉 ,  许舜范 ,  金柄郁

IPC: G03F7/42

Abstract: 本发明涉及一种抗蚀剂剥离剂组合物，尤其涉及一种含有内酯类化合物，而且对图形化金属膜上所残留的抗蚀剂具有优秀的剥离效果，并在高温下，其因挥发而引起的成分变化及药液疲劳度极小，且能将对图形化金属膜的腐蚀降到最低。

公开(公告)号：CN101017333A

公开(公告)日：2007-08-15

申请号：CN200610003266.7

申请日：2006-02-06

Applicant: 东进世美肯株式会社

Inventor： 尹锡壹 ,  金圣培 ,  郑宗铉 ,  朴熙珍 ,  辛成健 ,  张锡唱 ,  金玮溶 ,  许舜范 ,  金柄郁

IPC: G03F7/42

Abstract: 本发明公开了一种正型光致抗蚀剂剥离剂组合物，它包括：a)占10－50重量％的有机胺；b)占0－70重量％的二甘醇单烷基醚；c)占20－90重量％的非质子极性溶剂；d)基于所述三种成分的总重量，占0.01－10重量％的非离子表面活性剂。本发明正型光致抗蚀剂剥离剂组合物对经蚀刻处理等工艺而变质的光致抗蚀剂图案膜具有优异的溶解性和剥离性，并与水混合后作为清洗液(rinse)使用时，对铝或铜基板的腐蚀小、蒸发少，不仅对作业环境有利，而且稳定性高，并可用水进行清洗，特别是低温剥离性能优异，因此具有很强的实用性。

公开(公告)号：CN1950754A

公开(公告)日：2007-04-18

申请号：CN200580014563.5

申请日：2005-05-06

Applicant: 东进世美肯株式会社

Inventor： 金柄郁 ,  尹锡壹 ,  金圣培 ,  金玮溶 ,  张锡唱 ,  郑宗铉

IPC: G03F7/32

CPC classification number: G03F7/425 ,  C07D295/027 ,  C07D295/088

Abstract: 本发明涉及一种在制作电路或显示装置图形中使用的光刻胶去除剂组合物，更具体而言，涉及一种含有胺和溶剂的光刻胶去除剂组合物，其中，所述胺为环胺化合物。本发明的光刻胶去除剂组合物可容易并快速地去除光刻胶膜，并可使形成图形的金属电路的腐蚀最小化。

公开(公告)号：CN1924710A

公开(公告)日：2007-03-07

申请号：CN200610128676.4

申请日：2006-09-04

Applicant: 东进世美肯株式会社

Inventor： 尹锡壹 ,  金圣培 ,  郑宗铉 ,  朴熙珍 ,  金柄郁

IPC: G03F7/42

Abstract: 本发明涉及一种用于在制造诸如集成电路(IC)、大规模集成电路(LSI)、超大规模集成电路(VLSI)等的半导体器件的过程中去除光刻胶的光刻胶去除剂组合物，该光刻胶去除剂组合物包括：(a)0.1～10wt％的过氧化氢或过氧化氢衍生物；(b)5～50wt％的有机溶剂；(c)0.5～30wt％的有机胺；(d)5～60wt％的水；(e)0.0001～20wt％的铵盐；(f)0.4～10wt％的防腐剂；和(g)0.5～30wt％的过氧化氢或过氧化氢衍生物的稳定剂。本发明的包括过氧化氢或过氧化氢衍生物的光刻胶去除剂组合物可在短时间内、在高温或低温下有效去除通过硬性烘烤(hardbaking)、干法刻蚀、灰化和/或离子注入硬化并改性的光刻胶膜和通过从光刻胶膜下的金属膜刻蚀出的金属副产品改性的光刻胶膜，并同时将光刻胶膜下的金属布线的腐蚀减到最少。

公开(公告)号：CN104969129B

公开(公告)日：2020-01-17

申请号：CN201480007310.4

申请日：2014-01-24

Applicant: 东进世美肯株式会社

Inventor： 权五焕 ,  尹锡壹 ,  郑宗铉 ,  金炳郁 ,  赵泰杓 ,  辛成健

IPC: G03F7/42 ,  G03F7/32 ,  H01L21/027 ,  G03F7/09

Abstract: 本发明涉及一种稀释剂组合物及其用途。本发明的稀释剂组合物对各种光阻剂都具有优异的溶解力，且具有最适当的挥发性，因此能够在短时间内于边缘球状物移除工艺或类似工艺中有效地去除不必要附着的光阻剂，并且可应用于半导体基板的预润湿工艺，用少量的光阻剂也能够有效地形成感光膜。

公开(公告)号：CN101398639A

公开(公告)日：2009-04-01

申请号：CN200810211419.6

申请日：2008-09-22

Applicant: 三星电子株式会社 ,  东进世美肯株式会社

Inventor： 李智鲜 ,  朴弘植 ,  郑钟铉 ,  洪瑄英 ,  金俸均 ,  李炳珍 ,  金柄郁 ,  郑宗铉 ,  尹锡壹 ,  金圣培 ,  辛成健 ,  许舜范 ,  郑世桓 ,  张斗瑛

IPC: G03F7/42

CPC classification number: G03F7/425

Abstract: 本发明提供了一种剥离组合物和剥离方法，其能够容易地剥离在基板上形成的颜色抗蚀剂或有机绝缘薄膜以当在基板上形成滤色片或有机绝缘薄膜过程中发现缺陷时重新使用该基板。在一种具体实施方式中，剥离组合物包括约0.5至约45wt％的氢氧化合物、约10至约89wt％的烷撑二醇烷基醚化合物、约5至约45wt％的链烷醇胺化合物、以及约0.01至约5wt％的无机盐化合物。有利地，剥离过程可以在不损坏下基板的薄膜晶体管同时除去颜色抗蚀剂或有机绝缘薄膜的情况下实施。

公开(公告)号：CN105717755A

公开(公告)日：2016-06-29

申请号：CN201510924658.6

申请日：2015-12-14

Applicant: 东进世美肯株式会社

Inventor： 权五焕 ,  赵泰杓 ,  金炳郁 ,  郑宗铉 ,  尹锡壹 ,  韩莹圭 ,  沈载熙

IPC: G03F7/42

Abstract: 本发明提供一种稀释剂组合物。本发明中的稀释剂特别是对用于旋涂硬掩膜的难溶性光刻胶具有优异的溶解特性和适当的挥发性，可在短时间内有效去除在边缘光刻胶去除工序等中粘附的多余的光刻胶，并且还可以应用于半导体基板的预湿工艺等，使得以少量光刻胶或者旋涂硬掩膜也能有效形成感光膜。

公开(公告)号：CN1758144A

公开(公告)日：2006-04-12

申请号：CN200510102849.0

申请日：2005-09-13

Applicant: 东进世美肯株式会社

Inventor： 尹锡壹 ,  金圣培 ,  金玮溶 ,  郑宗铉 ,  许舜范 ,  金柄郁

IPC: G03F7/42

Abstract: 本发明涉及一种光阻剂剥离液组合物，提供一种包含环形胺、溶剂及剥离促进剂的光阻剂剥离液组合物。并且，本发明还提供一种包含环形胺、溶剂、防腐剂及剥离促进剂的光阻剂剥离液组合物。本发明光阻剂剥离液组合物不仅在适用于现有LCD模块制备中包括异丙醇(以下简称“IPA”)清洗阶段的一般工程时，而且在适用于最近省略IPA清洗阶段的工程时，不存在对金属布线多余的腐蚀影响，特别是可大大提高剥离能力。

公开(公告)号：CN1702560A

公开(公告)日：2005-11-30

申请号：CN200510074042.0

申请日：2005-05-25

Applicant: 东进世美肯株式会社

Inventor： 尹锡壹 ,  朴熙珍 ,  郑宗铉 ,  金柄郁

IPC: G03F7/26 ,  G03F7/42

Abstract: 提供感光性树脂去除用稀释剂组合物，用于液晶显示设备中使用的玻璃基板及半导体制造时所用的晶片的周边和背面部分，短时间内可高效去除附着的没用的感光性树脂。本发明提供感光性树脂去除用稀释剂组合物，其包含a)烷基酰胺；和b)乙酸烷基酯。上述稀释剂组合物优选含有a)烷基酰胺1～99重量份；b)乙酸烷基酯1～80重量份。此外，本发明提供使用上述稀释剂组合物的半导体元件及液晶显示装置的制造方法。