公开(公告)号：CN105717755A

公开(公告)日：2016-06-29

申请号：CN201510924658.6

申请日：2015-12-14

Applicant: 东进世美肯株式会社

Inventor： 权五焕 ,  赵泰杓 ,  金炳郁 ,  郑宗铉 ,  尹锡壹 ,  韩莹圭 ,  沈载熙

IPC: G03F7/42

Abstract: 本发明提供一种稀释剂组合物。本发明中的稀释剂特别是对用于旋涂硬掩膜的难溶性光刻胶具有优异的溶解特性和适当的挥发性，可在短时间内有效去除在边缘光刻胶去除工序等中粘附的多余的光刻胶，并且还可以应用于半导体基板的预湿工艺等，使得以少量光刻胶或者旋涂硬掩膜也能有效形成感光膜。

公开(公告)号：CN112028746A

公开(公告)日：2020-12-04

申请号：CN201911219815.8

申请日：2019-12-03

Applicant: 爱思开海力士有限公司 ,  东进世美肯株式会社

Inventor： 沈载熙 ,  宋昌烨 ,  金载宪 ,  李知石 ,  郑仁硕 ,  李承炫 ,  姜贤求 ,  金炫辰 ,  林暎培 ,  金钟元 ,  韩奎元 ,  金甫龙

IPC: C07C35/21 ,  C07C43/196 ,  C07C39/17 ,  C07C43/23 ,  G03F7/004

Abstract: 本发明涉及一种硬掩模用化合物、包含所述化合物的硬掩模组合物及利用其的半导体元件的精细图案形成方法。本发明的硬掩模用化合物具有可应用于旋涂(spin-on coating)方法的高溶剂溶解性，因而可以制备不仅间隙填充性能优秀而且固化后耐热性及蚀刻耐性优秀的硬掩模组合物。另外，可以利用其提供半导体元件的精细图案形成方法。

公开(公告)号：CN105717755B

公开(公告)日：2020-11-06

申请号：CN201510924658.6

申请日：2015-12-14

Applicant: 东进世美肯株式会社

Inventor： 权五焕 ,  赵泰杓 ,  金炳郁 ,  郑宗铉 ,  尹锡壹 ,  韩莹圭 ,  沈载熙

IPC: G03F7/42

Abstract: 本发明提供一种稀释剂组合物。本发明中的稀释剂特别是对用于旋涂硬掩膜的难溶性光刻胶具有优异的溶解特性和适当的挥发性，可在短时间内有效去除在边缘光刻胶去除工序等中粘附的多余的光刻胶，并且还可以应用于半导体基板的预湿工艺等，使得以少量光刻胶或者旋涂硬掩膜也能有效形成感光膜。