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公开(公告)号:CN101398639A
公开(公告)日:2009-04-01
申请号:CN200810211419.6
申请日:2008-09-22
IPC: G03F7/42
CPC classification number: G03F7/425
Abstract: 本发明提供了一种剥离组合物和剥离方法,其能够容易地剥离在基板上形成的颜色抗蚀剂或有机绝缘薄膜以当在基板上形成滤色片或有机绝缘薄膜过程中发现缺陷时重新使用该基板。在一种具体实施方式中,剥离组合物包括约0.5至约45wt%的氢氧化合物、约10至约89wt%的烷撑二醇烷基醚化合物、约5至约45wt%的链烷醇胺化合物、以及约0.01至约5wt%的无机盐化合物。有利地,剥离过程可以在不损坏下基板的薄膜晶体管同时除去颜色抗蚀剂或有机绝缘薄膜的情况下实施。
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公开(公告)号:CN101424888A
公开(公告)日:2009-05-06
申请号:CN200810174803.3
申请日:2008-10-31
Applicant: 东进世美肯株式会社
Abstract: 本发明提供光致抗蚀剂剥离用组合物、使用该组合物的光致抗蚀剂剥离方法和显示装置的制造方法,该光致抗蚀剂剥离用组合物能够再次使用而剥离性能没有实质性降低并且金属图案没有损伤,从而能够减少照相蚀刻工序的成本。本发明中的光致抗蚀剂剥离用组合物含有80重量%~98.5重量%砜系化合物、1重量%~10重量%内酯系化合物以及0.1重量%~5重量%烷基磺酸。
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公开(公告)号:CN101265579A
公开(公告)日:2008-09-17
申请号:CN200810085047.7
申请日:2008-03-14
Applicant: 东进世美肯株式会社
IPC: C23F1/18
Abstract: 本发明涉及薄膜晶体管液晶显示装置的蚀刻液组合物。本发明提供一种优异的蚀刻液,其保障了高的稳定性和工程裕度,能够对含铜的金属层均匀地进行锥角蚀刻。本发明涉及对液晶显示装置的电路图案中使用的铜配线进行蚀刻的蚀刻液组合物。本发明的蚀刻液组合物含有过硫酸铵和吡咯系化合物。本发明的蚀刻液组合物不含有过氧化氢,所以能够确保稳定性和工程上的裕度,具有能够得到优异的锥角蚀刻轮廓的特征。
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公开(公告)号:CN101256366B
公开(公告)日:2012-06-06
申请号:CN200810092008.X
申请日:2008-02-20
IPC: G03F7/42
Abstract: 本发明涉及一种光刻胶剥离组合物和使用其剥离光刻胶膜的方法。提供一种光刻胶剥离组合物,其包括约80重量%-约98.5重量%的γ-丁内酯、约1重量%-约10重量%的氨基甲酸烷基酯、约0.1重量%-约5重量%的烷基磺酸和约0.1重量%-约5重量%的非离子型表面活性剂。可将该光刻胶剥离组合物再度用于从基板上剥离光刻胶膜而不降低剥离能力和损坏金属图案,使得可以降低光刻工艺的成本。
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公开(公告)号:CN101256366A
公开(公告)日:2008-09-03
申请号:CN200810092008.X
申请日:2008-02-20
IPC: G03F7/42
Abstract: 本发明涉及一种光刻胶剥离组合物和使用其剥离光刻胶膜的方法。提供一种光刻胶剥离组合物,其包括约80重量%-约98.5重量%的γ-丁内酯、约1重量%-约10重量%的氨基甲酸烷基酯、约0.1重量%-约5重量%的烷基磺酸和约0.1重量%-约5重量%的非离子型表面活性剂。可将该光刻胶剥离组合物再度用于从基板上剥离光刻胶膜而不降低剥离能力和损坏金属图案,使得可以降低光刻工艺的成本。
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