-
公开(公告)号：CN1799007A
公开(公告)日：2006-07-05
申请号：CN200480015004.1
申请日：2004-05-17
Applicant: 东进世美肯株式会社
IPC: G03F7/42
Abstract: 本发明涉及一种用于去除在半导体装置或液晶显示装置的制造过程中被使用的光致抗蚀剂的稀释剂组合物，并且更具体地涉及一种包括a)丙二醇单烷基醚；b)烷基乙酸酯；和c)环酮的稀释剂组合物。本发明的稀释剂组合物可以进一步包括选自包括d)基于聚环氧乙烷的表面活性剂和e)氟化丙烯酸共聚物的组的至少一种化合物。本发明的用于去除光致抗蚀剂的稀释剂组合物能够在短时间内有效地去除粘在制造液晶显示装置或有机EL显示装置中使用的玻璃衬底或晶片的边缘和背面的不需要的光致抗蚀剂，减小界面处的间隙，并且特别地，防止渗透到光致抗蚀剂的界面中。所以，该稀释剂组合物可以用于多种方法中以提供经济上的利益，简化制造工艺，并且提高生产率。
-
公开(公告)号：CN1702560A
公开(公告)日：2005-11-30
申请号：CN200510074042.0
申请日：2005-05-25
Applicant: 东进世美肯株式会社
Abstract: 提供感光性树脂去除用稀释剂组合物，用于液晶显示设备中使用的玻璃基板及半导体制造时所用的晶片的周边和背面部分，短时间内可高效去除附着的没用的感光性树脂。本发明提供感光性树脂去除用稀释剂组合物，其包含a)烷基酰胺；和b)乙酸烷基酯。上述稀释剂组合物优选含有a)烷基酰胺1～99重量份；b)乙酸烷基酯1～80重量份。此外，本发明提供使用上述稀释剂组合物的半导体元件及液晶显示装置的制造方法。
-
公开(公告)号：CN101017333A
公开(公告)日：2007-08-15
申请号：CN200610003266.7
申请日：2006-02-06
Applicant: 东进世美肯株式会社
IPC: G03F7/42
Abstract: 本发明公开了一种正型光致抗蚀剂剥离剂组合物，它包括：a)占10－50重量％的有机胺；b)占0－70重量％的二甘醇单烷基醚；c)占20－90重量％的非质子极性溶剂；d)基于所述三种成分的总重量，占0.01－10重量％的非离子表面活性剂。本发明正型光致抗蚀剂剥离剂组合物对经蚀刻处理等工艺而变质的光致抗蚀剂图案膜具有优异的溶解性和剥离性，并与水混合后作为清洗液(rinse)使用时，对铝或铜基板的腐蚀小、蒸发少，不仅对作业环境有利，而且稳定性高，并可用水进行清洗，特别是低温剥离性能优异，因此具有很强的实用性。
-
公开(公告)号：CN1924710A
公开(公告)日：2007-03-07
申请号：CN200610128676.4
申请日：2006-09-04
Applicant: 东进世美肯株式会社
IPC: G03F7/42
Abstract: 本发明涉及一种用于在制造诸如集成电路(IC)、大规模集成电路(LSI)、超大规模集成电路(VLSI)等的半导体器件的过程中去除光刻胶的光刻胶去除剂组合物，该光刻胶去除剂组合物包括：(a)0.1～10wt％的过氧化氢或过氧化氢衍生物；(b)5～50wt％的有机溶剂；(c)0.5～30wt％的有机胺；(d)5～60wt％的水；(e)0.0001～20wt％的铵盐；(f)0.4～10wt％的防腐剂；和(g)0.5～30wt％的过氧化氢或过氧化氢衍生物的稳定剂。本发明的包括过氧化氢或过氧化氢衍生物的光刻胶去除剂组合物可在短时间内、在高温或低温下有效去除通过硬性烘烤(hardbaking)、干法刻蚀、灰化和/或离子注入硬化并改性的光刻胶膜和通过从光刻胶膜下的金属膜刻蚀出的金属副产品改性的光刻胶膜，并同时将光刻胶膜下的金属布线的腐蚀减到最少。
-
-
-
Search Results
4
records
(took 0.018 seconds)
