公开(公告)号：CN1758144A

公开(公告)日：2006-04-12

申请号：CN200510102849.0

申请日：2005-09-13

Applicant: 东进世美肯株式会社

Inventor： 尹锡壹 ,  金圣培 ,  金玮溶 ,  郑宗铉 ,  许舜范 ,  金柄郁

IPC: G03F7/42

Abstract: 本发明涉及一种光阻剂剥离液组合物，提供一种包含环形胺、溶剂及剥离促进剂的光阻剂剥离液组合物。并且，本发明还提供一种包含环形胺、溶剂、防腐剂及剥离促进剂的光阻剂剥离液组合物。本发明光阻剂剥离液组合物不仅在适用于现有LCD模块制备中包括异丙醇(以下简称“IPA”)清洗阶段的一般工程时，而且在适用于最近省略IPA清洗阶段的工程时，不存在对金属布线多余的腐蚀影响，特别是可大大提高剥离能力。

公开(公告)号：CN101017333A

公开(公告)日：2007-08-15

申请号：CN200610003266.7

申请日：2006-02-06

Applicant: 东进世美肯株式会社

Inventor： 尹锡壹 ,  金圣培 ,  郑宗铉 ,  朴熙珍 ,  辛成健 ,  张锡唱 ,  金玮溶 ,  许舜范 ,  金柄郁

IPC: G03F7/42

Abstract: 本发明公开了一种正型光致抗蚀剂剥离剂组合物，它包括：a)占10－50重量％的有机胺；b)占0－70重量％的二甘醇单烷基醚；c)占20－90重量％的非质子极性溶剂；d)基于所述三种成分的总重量，占0.01－10重量％的非离子表面活性剂。本发明正型光致抗蚀剂剥离剂组合物对经蚀刻处理等工艺而变质的光致抗蚀剂图案膜具有优异的溶解性和剥离性，并与水混合后作为清洗液(rinse)使用时，对铝或铜基板的腐蚀小、蒸发少，不仅对作业环境有利，而且稳定性高，并可用水进行清洗，特别是低温剥离性能优异，因此具有很强的实用性。

公开(公告)号：CN1950754A

公开(公告)日：2007-04-18

申请号：CN200580014563.5

申请日：2005-05-06

Applicant: 东进世美肯株式会社

Inventor： 金柄郁 ,  尹锡壹 ,  金圣培 ,  金玮溶 ,  张锡唱 ,  郑宗铉

IPC: G03F7/32

CPC classification number: G03F7/425 ,  C07D295/027 ,  C07D295/088

Abstract: 本发明涉及一种在制作电路或显示装置图形中使用的光刻胶去除剂组合物，更具体而言，涉及一种含有胺和溶剂的光刻胶去除剂组合物，其中，所述胺为环胺化合物。本发明的光刻胶去除剂组合物可容易并快速地去除光刻胶膜，并可使形成图形的金属电路的腐蚀最小化。

公开(公告)号：CN1920672A

公开(公告)日：2007-02-28

申请号：CN200610111383.5

申请日：2006-08-24

Applicant: 东进世美肯株式会社

Inventor： 金柄郁 ,  尹锡壹 ,  金玮溶 ,  许舜范

IPC: G03F7/42

Abstract: 本发明涉及一种用于去除光致抗蚀剂和透明导电膜的剥离液组合物。具体地，本发明提供一种能去除半导体装置上透明导电膜的有机酸类透明导电膜去除剂及由有机胺及溶剂组成的双组分以上的剥离液组合物中包含上述去除剂的剥离液组合物。该组合物还可再含有作为抗离析剂使用的乙二醇醚化合物。本发明组合物中含有有机酸类透明导电膜去除剂，由此可去除透明导电膜。而且，上述透明导电膜去除剂中含有硫磺，也可作为防腐剂使用，可防止下部金属膜的金属布线的腐蚀，由此在保存由目前的LCD制备过程所制作出的金属图案的条件下，可以去除已形成图案的光致抗蚀剂，并有选择地或全部地去除涂敷在金属布线上光致抗蚀剂上的透明电极和位于金属布线上的透明电极。

公开(公告)号：CN1950755A

公开(公告)日：2007-04-18

申请号：CN200580014564.X

申请日：2005-05-06

Applicant: 东进世美肯株式会社

Inventor： 金柄郁 ,  尹锡壹 ,  金圣培 ,  金玮溶 ,  张锡唱 ,  郑宗铉

IPC: G03F7/32

CPC classification number: G03F7/425 ,  G03F7/426

Abstract: 本发明涉及一种在制作电路或显示器件图形中使用的光刻胶去除剂组合物，更具体地说，涉及一种含有胺、溶剂和防腐剂的光刻胶去除剂组合物，所述防腐剂为选自包括三唑化合物、巯基化合物、含有羟基的有机酚化合物及其混合物的组的至少一种化合物。本发明的光刻胶去除剂组合物能够容易快速地去除光刻胶膜，并且能够使图形化的金属电路的腐蚀降低至最小。