公开(公告)号：CN109153889B

公开(公告)日：2021-10-29

申请号：CN201780030849.5

申请日：2017-05-17

Applicant: 东进世美肯株式会社

Inventor： 朴惠贞 ,  金宰贤 ,  朴锺大 ,  李敏键 ,  申宗哲 ,  陈成勋

IPC: C09G1/02 ,  C09K3/14 ,  H01L21/321 ,  H01L21/304 ,  B01J23/74

Abstract: 公开了一种用于化学机械抛光的浆料组合物，该组合物表现出在酸性气氛下pH随时间的变化小，从而可易于长期储存。用于化学机械抛光的浆料组合物包含磨料、0.000006重量％至0.01重量％的铝、和水。优选的是，磨料的表面上的硅烷醇基团的数量和铝含量满足以下数学式的要求。[数学式1]0.0005≤(S*C)*100≤4.5，其中S是1nm2的磨料表面上存在的硅烷醇基团的数量(单位：个/nm2)，以及C是浆料组合物中的铝含量(重量％)。

公开(公告)号：CN1760742A

公开(公告)日：2006-04-19

申请号：CN200510112840.8

申请日：2005-10-14

Applicant: 东进世美肯株式会社

Inventor： 李骐范 ,  曺三永 ,  李敏键 ,  刘智勇 ,  尹载皙

IPC: G02F1/1368 ,  G03F7/32

Abstract: 本发明涉及薄膜晶体管液晶显示器的蚀刻组合物，特别是涉及包含磷酸、硝酸、醋酸、[H+]离子浓度调节剂以及水的薄膜晶体管液晶显示器的蚀刻组合物。采用所述组合物仅通过湿式工序即可以以下部膜Al－Nd不产生底切现象的方式对构成薄膜晶体管液晶显示器的TFT的栅极配线材料Mo/Al－Nd双重膜进行蚀刻，并可以获得优异的锥形，同时源极/漏极配线材料Mo单一膜也可以形成优异的轮廓。

公开(公告)号：CN1670624A

公开(公告)日：2005-09-21

申请号：CN200510055418.3

申请日：2005-03-17

Applicant: 东进世美肯株式会社

Inventor： 李骐范 ,  曹三永 ,  李敏键 ,  申贤哲

IPC: G03F7/004 ,  G02F1/136 ,  H01L21/027

Abstract: 本发明涉及薄膜晶体管液晶显示装置的蚀刻组合物，为了对薄膜晶体管液晶显示装置的透明导电膜(ITO膜)进行选择性地蚀刻，所用的蚀刻组合物中含有盐酸、醋酸、添加剂及超纯水，它们随时间的变化小，将对于其他的配线的影响最小化，从而实现了对薄膜的稳定蚀刻，且蚀刻速度快，减轻了侧蚀。

公开(公告)号：CN109153889A

公开(公告)日：2019-01-04

申请号：CN201780030849.5

申请日：2017-05-17

Applicant: 东进世美肯株式会社

Inventor： 朴惠贞 ,  金宰贤 ,  朴锺大 ,  李敏键 ,  申宗哲 ,  陈成勋

IPC: C09G1/02 ,  C09K3/14 ,  H01L21/321 ,  H01L21/304 ,  B01J23/74

Abstract: 公开了一种用于化学机械抛光的浆料组合物，该组合物表现出在酸性气氛下pH随时间的变化小，从而可易于长期储存。用于化学机械抛光的浆料组合物包含磨料、0.000006重量％至0.01重量％的铝、和水。优选的是，磨料的表面上的硅烷醇基团的数量和铝含量满足以下数学式的要求。[数学式1]0.0005≤(S*C)*100≤4.5，其中S是1nm2的磨料表面上存在的硅烷醇基团的数量(单位：个/nm2)，以及C是浆料组合物中的铝含量(重量％)。