公开(公告)号：CN119592953A

公开(公告)日：2025-03-11

申请号：CN202411183128.6

申请日：2024-08-27

Applicant: 东进世美肯株式会社

Inventor： 金成玟 ,  金奎怖 ,  黄俊荣 ,  徐佳贤 ,  申贤哲

IPC: C23F1/16 ,  C23F1/02

Abstract: 公开一种可以确保在金属布线膜的上部膜上没有上凹以及尖端存在的蚀刻液组合物。本发明的一方面，提供一种蚀刻液组合物，包含：无机酸；有机酸；磺酸化合物；环状化合物；糖醇；以及氟类化合物。

公开(公告)号：CN1670624A

公开(公告)日：2005-09-21

申请号：CN200510055418.3

申请日：2005-03-17

Applicant: 东进世美肯株式会社

Inventor： 李骐范 ,  曹三永 ,  李敏键 ,  申贤哲

IPC: G03F7/004 ,  G02F1/136 ,  H01L21/027

Abstract: 本发明涉及薄膜晶体管液晶显示装置的蚀刻组合物，为了对薄膜晶体管液晶显示装置的透明导电膜(ITO膜)进行选择性地蚀刻，所用的蚀刻组合物中含有盐酸、醋酸、添加剂及超纯水，它们随时间的变化小，将对于其他的配线的影响最小化，从而实现了对薄膜的稳定蚀刻，且蚀刻速度快，减轻了侧蚀。

公开(公告)号：CN110295368B

公开(公告)日：2024-04-09

申请号：CN201910221474.1

申请日：2019-03-22

Applicant: 东进世美肯株式会社

Inventor： 申贤哲 ,  李相赫 ,  金奎佈

IPC: C23F1/30

Abstract: 本发明公开了一种制造显示器时使用于金属配线制造工序的不包含磷酸盐的氧化铟锡/银多层膜蚀刻液组合物及利用此的金属配线形成方法。提供一种蚀刻液组合物，包含：所述有机酸化合物的阴离子、磺酸化合物的阴离子、硝酸根离子、硫酸根离子、包含氮的二羰基(Dicarbonyl)化合物、以及余量的水，并且所述有机酸化合物的阴离子的含量为35重量百分比至50重量百分比。

公开(公告)号：CN113061891A

公开(公告)日：2021-07-02

申请号：CN202110309236.3

申请日：2014-10-15

Applicant: 东进世美肯株式会社

Inventor： 徐源国 ,  申贤哲 ,  金奎布 ,  曹三永 ,  李骐范

IPC: C23F1/18 ,  C23F1/26 ,  C23F1/02

Abstract: 本发明公开一种蚀刻金属膜而形成构成半导体电路的薄膜晶体管的栅极以及源极‑漏极区域的金属配线蚀刻液组合物及利用该组合物的金属配线形成方法。上述金属配线蚀刻液组合物包含：15至25重量％的过氧化氢；0.1至1重量％的氟化合物；0.5至3重量％的含有羧基的胺类；0.1至1重量％的唑类化合物；0.01至2重量％的磷酸类化合物或其盐；0.1至3重量％的硫酸盐；以及，其余重量％的水。

公开(公告)号：CN110295368A

公开(公告)日：2019-10-01

申请号：CN201910221474.1

申请日：2019-03-22

Applicant: 东进世美肯株式会社

Inventor： 申贤哲 ,  李相赫 ,  金奎佈

IPC: C23F1/30

Abstract: 本发明公开了一种制造显示器时使用于金属配线制造工序的不包含磷酸盐的氧化铟锡/银多层膜蚀刻液组合物及利用此的金属配线形成方法。提供一种蚀刻液组合物，包含：所述有机酸化合物的阴离子、磺酸化合物的阴离子、硝酸根离子、硫酸根离子、包含氮的二羰基(Dicarbonyl)化合物、以及余量的水，并且所述有机酸化合物的阴离子的含量为35重量百分比至50重量百分比。

公开(公告)号：CN102939407B

公开(公告)日：2016-04-20

申请号：CN201180014543.3

申请日：2011-02-17

Applicant: 三星显示有限公司 ,  东进世美肯株式会社

Inventor： 徐南锡 ,  洪瑄英 ,  郑钟铉 ,  金俸均 ,  朴弘植 ,  宋溱镐 ,  李旺宇 ,  金图元 ,  金相佑 ,  徐源国 ,  申贤哲 ,  李骐范 ,  曹三永

IPC: C23F1/34 ,  C23F1/02 ,  H05K3/06

CPC classification number: C09K13/08 ,  C23F1/18 ,  C23F1/26 ,  C23F1/44 ,  H01L21/28088 ,  H01L21/32134 ,  H01L27/1214 ,  H01L27/124 ,  H05K3/067

Abstract: 本发明的示例性实施方式提供了金属线蚀刻剂。根据本发明的示例性实施方式的金属线蚀刻剂包含过硫酸铵、有机酸、铵盐、含氟化合物、二醇类化合物和唑类化合物。

公开(公告)号：CN104562009A

公开(公告)日：2015-04-29

申请号：CN201410543417.2

申请日：2014-10-15

Applicant: 东进世美肯株式会社

Inventor： 徐源国 ,  申贤哲 ,  金奎布 ,  曹三永 ,  李骐范

IPC: C23F1/14

Abstract: 本发明公开一种蚀刻金属膜而形成构成半导体电路的薄膜晶体管的栅极以及源极-漏极区域的金属配线蚀刻液组合物及利用该组合物的金属配线形成方法。上述金属配线蚀刻液组合物包含：15至25重量％的过氧化氢；0.1至1重量％的氟化合物；0.5至3重量％的含有羧基的胺类；0.1至1重量％的唑类化合物；0.01至2重量％的磷酸类化合物或其盐；0.1至3重量％的硫酸盐；以及，其余重量％的水。

公开(公告)号：CN100510187C

公开(公告)日：2009-07-08

申请号：CN200510114837.X

申请日：2005-11-17

Applicant: 乐金显示有限公司 ,  东进世美肯株式会社

Inventor： 金钟一 ,  李坰默 ,  宋桂燦 ,  曹三永 ,  申贤哲 ,  金南绪 ,  李骐范

IPC: C23F1/16 ,  G02F1/136

Abstract: 本发明公开了一种用于蚀刻金属层的组合物，该组合物包括：重量比为大约55%到大约80%的磷酸；重量比为大约3%到大约15%的硝酸；重量比为大约5%到大约20%的乙酸；重量比为大约0.5%到大约10%的磷酸盐；重量比为大约0.1%到大约5%的含氯化合物；重量比为大约0.01%到大约4%的偶氮化合物；以及水。

公开(公告)号：CN1966772A

公开(公告)日：2007-05-23

申请号：CN200510114837.X

申请日：2005-11-17

Applicant: LG.菲利浦LCD株式会社 ,  东进世美肯株式会社

Inventor： 金钟一 ,  李坰默 ,  宋桂燦 ,  曹三永 ,  申贤哲 ,  金南绪 ,  李骐范

IPC: C23F1/16 ,  G02F1/136

Abstract: 本发明公开了一种用于蚀刻金属层的组合物，该组合物包括：重量比为大约55％到大约80％的磷酸；重量比为大约3％到大约15％的硝酸；重量比为大约5％到大约20％的乙酸；重量比为大约0.5％到大约10％的磷酸盐；重量比为大约0.1％到大约5％的含氯化合物；重量比为大约0.01％到大约4％的偶氮化合物；以及水。

公开(公告)号：CN108456885B

公开(公告)日：2022-08-23

申请号：CN201810149885.X

申请日：2018-02-13

Applicant: 东进世美肯株式会社

Inventor： 李相赫 ,  申贤哲 ,  金奎怖 ,  李秉雄

IPC: C23F1/18 ,  H01L21/306

Abstract: 本发明涉及一种蚀刻液组合物以及利用其的金属布线形成方法，更详细而言，涉及在金属布线的制备工艺中通过以预定图案蚀刻金属膜而用于金属布线形成的蚀刻液组合物。所述蚀刻液组合物包含过硫酸盐、含氟化合物、4氮杂环化合物、2氯化物以及水，其中所述4氮杂环化合物与2氯化物的含量比为1:1.4至1:2。