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公开(公告)号：CN1891862A
公开(公告)日：2007-01-10
申请号：CN200610092226.4
申请日：2006-06-15
Applicant: LG.菲利浦LCD株式会社 , 东进世美肯株式会社
IPC: C23F1/16 , H01L21/302
CPC classification number: C23F1/16 , C09K13/06 , C23F1/20 , C23F1/26 , G02F1/13439 , G02F2001/136295
Abstract: 一种用于去除导电材料的组合物以及一种使用该组合物制造阵列基板的方法，其中该组合物可以包括大约3wt％至 15wt％的硝酸、大约40wt％至70wt％的磷酸、大约5wt％至35wt％的醋酸。该组合物还可以包括大约0.05wt％至5wt％的氯化物、大约0.01wt％至5wt％的氯稳定剂、大约0.01wt％至5wt％的pH稳定剂、以及剩余量的水。
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公开(公告)号：CN1873054A
公开(公告)日：2006-12-06
申请号：CN200610084694.7
申请日：2006-05-29
Applicant: 东进世美肯株式会社
IPC: C23F1/16
Abstract: 本发明提供蚀刻组合物，采用所述组合物可以以下部膜Al－Nd或Mo不产生底切现象的方式通过单一工序对构成薄膜晶体管液晶显示装置的TFT的栅极配线材料Al－Nd/Mo双层膜或Mo/Al－Nd/Mo三层膜进行湿式蚀刻，并可以获得优异的锥度，同时源极/漏极配线材料Mo单层膜也可以形成优异的轮廓。本发明的薄膜晶体管液晶显示装置的蚀刻组合物含有磷酸、硝酸、乙酸、磷酸盐阴离子表面活性剂和水。
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公开(公告)号：CN100470345C
公开(公告)日：2009-03-18
申请号：CN200510112849.9
申请日：2005-10-14
Applicant: 东进世美肯株式会社
IPC: G02F1/1368 , G03F7/32
Abstract: 本发明涉及薄膜晶体管液晶显示器的蚀刻组合物，特别涉及含有硝酸、醋酸、氟盐、磷酸盐以及水的薄膜晶体管液晶显示器的蚀刻组合物。采用所述组合物通过单一工序即可以以下部膜Al-Nd不产生底切现象的方式对薄膜晶体管液晶显示器中构成像素电极的ITO及构成TFT的栅极配线材料Mo/Al-Nd双重膜进行湿式蚀刻，并可以获得优异的锥形，同时源极/漏极配线材料Mo单一膜也可以形成优异的轮廓。
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公开(公告)号：CN1760743A
公开(公告)日：2006-04-19
申请号：CN200510112849.9
申请日：2005-10-14
Applicant: 东进世美肯株式会社
IPC: G02F1/1368 , G03F7/32
Abstract: 本发明涉及薄膜晶体管液晶显示器的蚀刻组合物，特别涉及含有硝酸、醋酸、氟盐、磷酸盐以及水的薄膜晶体管液晶显示器的蚀刻组合物。采用所述组合物通过单一工序即可以以下部膜Al－Nd不产生底切现象的方式对薄膜晶体管液晶显示器中构成像素电极的ITO及构成TFT的栅极配线材料Mo/Al－Nd双重膜进行湿式蚀刻，并可以获得优异的锥形，同时源极/漏极配线材料Mo单一膜也可以形成优异的轮廓。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1912187B
公开(公告)日：2010-10-13
申请号：CN200610090316.X
申请日：2006-06-29
IPC: C23F1/16 , H01L21/306
CPC classification number: C23F1/20 , C09K13/06 , C23F1/26 , H01L21/32134
Abstract: 本发明提供了一种蚀刻剂组合物以及使用该蚀刻剂组合物对导电层构图并且制造平板显示器件的方法。该蚀刻剂组合物包括磷酸、硝酸、醋酸、水和添加剂，其中添加剂包括氯基化合物、硝酸盐基化合物、硫酸盐基化合物以及氧化调节剂。此外，可以通过使用相同的蚀刻剂组合物对由不同材料形成的栅极、源极/漏极和像素电极构图来制造平板显示器件。因此，更加简化工序从而可以减少制造成本并且提高生产率。
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公开(公告)号：CN101265579A
公开(公告)日：2008-09-17
申请号：CN200810085047.7
申请日：2008-03-14
Applicant: 东进世美肯株式会社
IPC: C23F1/18
Abstract: 本发明涉及薄膜晶体管液晶显示装置的蚀刻液组合物。本发明提供一种优异的蚀刻液，其保障了高的稳定性和工程裕度，能够对含铜的金属层均匀地进行锥角蚀刻。本发明涉及对液晶显示装置的电路图案中使用的铜配线进行蚀刻的蚀刻液组合物。本发明的蚀刻液组合物含有过硫酸铵和吡咯系化合物。本发明的蚀刻液组合物不含有过氧化氢，所以能够确保稳定性和工程上的裕度，具有能够得到优异的锥角蚀刻轮廓的特征。
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公开(公告)号：CN1912187A
公开(公告)日：2007-02-14
申请号：CN200610090316.X
申请日：2006-06-29
Applicant: LG.菲利浦LCD株式会社 , 东进世美肯株式会社
IPC: C23F1/16 , H01L21/306
CPC classification number: C23F1/20 , C09K13/06 , C23F1/26 , H01L21/32134
Abstract: 本发明提供了一种蚀刻剂组合物以及使用该蚀刻剂组合物对导电层构图并且制造平板显示器件的方法。该蚀刻剂组合物包括磷酸、硝酸、醋酸、水和添加剂，其中添加剂包括氯基化合物、硝酸盐基化合物、硫酸盐基化合物以及氧化调节剂。此外，可以通过使用相同的蚀刻剂组合物对由不同材料形成的栅极、源极/漏极和像素电极构图来制造平板显示器件。因此，更加简化工序从而可以减少制造成本并且提高生产率。
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公开(公告)号：CN101070596A
公开(公告)日：2007-11-14
申请号：CN200710102300.0
申请日：2007-05-10
Applicant: 东进世美肯株式会社
IPC: C23F1/16 , G02F1/1362
Abstract: 本发明提供一种薄膜晶体管液晶显示装置的蚀刻组合物，通过使用该组合物即可利用单一工序来对构成薄膜晶体管液品显示装置的TFT中的作为栅极配线材料的Mo/AlNd双重膜或Mo/AlNd/Mo三重膜进行湿式蚀刻以获得优异的锥形而不会产生作为下部膜的AlNd或Mo的底切现象，同时使得作为源极/漏极配线材料的Mo单一膜和Mo/AlNd/Mo三重膜也可以形成优异的轮廓。本发明涉及薄膜晶体管液晶显示装置的蚀刻组合物，特别是涉及含有a)磷酸、b)硝酸、c)乙酸、d)锂类化合物、e)磷酸盐类化合物和f)水的薄膜晶体管液晶显示装置的蚀刻组合物。
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公开(公告)号：CN1760742A
公开(公告)日：2006-04-19
申请号：CN200510112840.8
申请日：2005-10-14
Applicant: 东进世美肯株式会社
IPC: G02F1/1368 , G03F7/32
Abstract: 本发明涉及薄膜晶体管液晶显示器的蚀刻组合物，特别是涉及包含磷酸、硝酸、醋酸、[H+]离子浓度调节剂以及水的薄膜晶体管液晶显示器的蚀刻组合物。采用所述组合物仅通过湿式工序即可以以下部膜Al－Nd不产生底切现象的方式对构成薄膜晶体管液晶显示器的TFT的栅极配线材料Mo/Al－Nd双重膜进行蚀刻，并可以获得优异的锥形，同时源极/漏极配线材料Mo单一膜也可以形成优异的轮廓。
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