公开(公告)号：CN109153889A

公开(公告)日：2019-01-04

申请号：CN201780030849.5

申请日：2017-05-17

Applicant: 东进世美肯株式会社

Inventor： 朴惠贞 ,  金宰贤 ,  朴锺大 ,  李敏键 ,  申宗哲 ,  陈成勋

IPC: C09G1/02 ,  C09K3/14 ,  H01L21/321 ,  H01L21/304 ,  B01J23/74

Abstract: 公开了一种用于化学机械抛光的浆料组合物，该组合物表现出在酸性气氛下pH随时间的变化小，从而可易于长期储存。用于化学机械抛光的浆料组合物包含磨料、0.000006重量％至0.01重量％的铝、和水。优选的是，磨料的表面上的硅烷醇基团的数量和铝含量满足以下数学式的要求。[数学式1]0.0005≤(S*C)*100≤4.5，其中S是1nm2的磨料表面上存在的硅烷醇基团的数量(单位：个/nm2)，以及C是浆料组合物中的铝含量(重量％)。

公开(公告)号：CN105658757A

公开(公告)日：2016-06-08

申请号：CN201480058695.7

申请日：2014-10-21

Applicant: 东进世美肯株式会社

Inventor： 朴昌墉 ,  朴钟大 ,  申宗哲 ,  金宰贤 ,  李玖和 ,  朴民成

IPC: C09K3/14 ,  H01L21/304

CPC classification number: H01L21/3212 ,  C09G1/02 ,  C09K3/1463 ,  H01L21/7684

Abstract: 本发明公开了用于减少在半导体集成电路制备过程中对金属膜进行抛光时产生的划痕的浆料组合物及使用其减少金属膜抛光时产生的划痕的方法，所述浆料组合物通过降低摩擦力使得在抛光期间可能上升的该组合物温度降低，改善了浆料的热稳定性从而抑制了由于温度的升高而导致的浆料中颗粒的尺寸增加。减少金属膜抛光时产生的划痕的方法包括以下步骤：将用于对金属膜进行抛光的浆料组合物施用于在其上形成金属膜的衬底，所述浆料组合物包含含有氮原子的有机溶剂和基于二醇的有机溶剂；使抛光垫与衬底接触并使抛光垫相对于衬底移动，由此从衬底上移除至少一部分金属膜。

公开(公告)号：CN109153889B

公开(公告)日：2021-10-29

申请号：CN201780030849.5

申请日：2017-05-17

Applicant: 东进世美肯株式会社

Inventor： 朴惠贞 ,  金宰贤 ,  朴锺大 ,  李敏键 ,  申宗哲 ,  陈成勋

IPC: C09G1/02 ,  C09K3/14 ,  H01L21/321 ,  H01L21/304 ,  B01J23/74

Abstract: 公开了一种用于化学机械抛光的浆料组合物，该组合物表现出在酸性气氛下pH随时间的变化小，从而可易于长期储存。用于化学机械抛光的浆料组合物包含磨料、0.000006重量％至0.01重量％的铝、和水。优选的是，磨料的表面上的硅烷醇基团的数量和铝含量满足以下数学式的要求。[数学式1]0.0005≤(S*C)*100≤4.5，其中S是1nm2的磨料表面上存在的硅烷醇基团的数量(单位：个/nm2)，以及C是浆料组合物中的铝含量(重量％)。

公开(公告)号：CN105658757B

公开(公告)日：2019-02-19

申请号：CN201480058695.7

申请日：2014-10-21

Applicant: 东进世美肯株式会社

Inventor： 朴昌墉 ,  朴钟大 ,  申宗哲 ,  金宰贤 ,  李玖和 ,  朴民成

IPC: C09K3/14 ,  H01L21/304

Abstract: 本发明公开了用于减少在半导体集成电路制备过程中对金属膜进行抛光时产生的划痕的浆料组合物及使用其减少金属膜抛光时产生的划痕的方法，所述浆料组合物通过降低摩擦力使得在抛光期间可能上升的该组合物温度降低，改善了浆料的热稳定性从而抑制了由于温度的升高而导致的浆料中颗粒的尺寸增加。减少金属膜抛光时产生的划痕的方法包括以下步骤：将用于对金属膜进行抛光的浆料组合物施用于在其上形成金属膜的衬底，所述浆料组合物包含含有氮原子的有机溶剂和基于二醇的有机溶剂；使抛光垫与衬底接触并使抛光垫相对于衬底移动，由此从衬底上移除至少一部分金属膜。