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公开(公告)号：CN101886266A
公开(公告)日：2010-11-17
申请号：CN201010183534.4
申请日：2010-05-14
CPC classification number: C23F1/26 , C23F1/18 , H01L21/32134 , H01L27/124 , H01L29/458
Abstract: 本发明披露了一种蚀刻剂和使用蚀刻剂制造阵列基板的方法。该蚀刻剂包括按重量计大约0.1％至按重量计大约30％的过硫酸铵(NH4)2S2O8、按重量计大约0.1％至按重量计大约10％的无机酸、按重量计大约0.1％至按重量计大约10％的乙酸盐、按重量计大约0.01％至按重量计大约5％的含氟化合物、按重量计大约0.01％至按重量计大约5％的磺酸化合物、按重量计大约0.01％至按重量计大约2％的唑化合物、以及余量的水。这样，蚀刻剂可以具有高稳定性以保持蚀刻能力。因此，可以提高制造裕度，使得可以降低制造成本。
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公开(公告)号：CN1873054A
公开(公告)日：2006-12-06
申请号：CN200610084694.7
申请日：2006-05-29
Applicant: 东进世美肯株式会社
IPC: C23F1/16
Abstract: 本发明提供蚀刻组合物，采用所述组合物可以以下部膜Al－Nd或Mo不产生底切现象的方式通过单一工序对构成薄膜晶体管液晶显示装置的TFT的栅极配线材料Al－Nd/Mo双层膜或Mo/Al－Nd/Mo三层膜进行湿式蚀刻，并可以获得优异的锥度，同时源极/漏极配线材料Mo单层膜也可以形成优异的轮廓。本发明的薄膜晶体管液晶显示装置的蚀刻组合物含有磷酸、硝酸、乙酸、磷酸盐阴离子表面活性剂和水。
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公开(公告)号：CN101265579A
公开(公告)日：2008-09-17
申请号：CN200810085047.7
申请日：2008-03-14
Applicant: 东进世美肯株式会社
IPC: C23F1/18
Abstract: 本发明涉及薄膜晶体管液晶显示装置的蚀刻液组合物。本发明提供一种优异的蚀刻液，其保障了高的稳定性和工程裕度，能够对含铜的金属层均匀地进行锥角蚀刻。本发明涉及对液晶显示装置的电路图案中使用的铜配线进行蚀刻的蚀刻液组合物。本发明的蚀刻液组合物含有过硫酸铵和吡咯系化合物。本发明的蚀刻液组合物不含有过氧化氢，所以能够确保稳定性和工程上的裕度，具有能够得到优异的锥角蚀刻轮廓的特征。
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公开(公告)号：CN101187777A
公开(公告)日：2008-05-28
申请号：CN200710187100.X
申请日：2007-11-23
Applicant: 东进世美肯株式会社
Abstract: 本发明涉及压印光刻用模板和应用该模板的压印光刻方法，所述压印光刻用模板能够防止由压印光刻中出现的静电所产生的杂质的粘合以及下部图案的损毁，能够在基板上提供具有良好品质的图案，所述压印光刻方法是利用高分子树脂模的成型物制造工序，在该方法中，在利用高分子树脂的模板形成图案时，在具有图案形状的高分子树脂模的背面使用通过蒸镀等而含有导电体的透光率高的导电层作为背面支持体，从而抑制静电的产生。本发明的压印光刻用模板的特征在于，其包括高分子树脂模和具有透光性和传导性的背面支持体，所述高分子树脂模在一面形成有用于形成图案的凹凸，所述背面支持体附着于上述高分子树脂模的与形成有凸凹一面相反的面上。
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公开(公告)号：CN101030046A
公开(公告)日：2007-09-05
申请号：CN200710086161.7
申请日：2007-03-05
Applicant: 东进世美肯株式会社
Abstract: 本发明提供一种抗蚀剂剥离废液再生方法和再生装置，其特别适于经济性较好地对使用含各种专门的胺化合物的剥离液的剥离工序时以及使用各种抗蚀剂和剥离液时所产生的抗蚀剂剥离废液进行再生。所述再生装置适用于该再生方法。本发明所述的再生方法是对含有水、抗蚀剂、胺化合物、有机溶剂的抗蚀剂剥离废液进行再生的方法，该方法的特征在于，其含有：(a)添加酸的工序，所述酸与抗蚀剂剥离废液的胺化合物发生反应而使得胺化合物以胺－酸化合物的形式从剥离废液中析出；(b)将上述(a)工序中析出的胺－酸化合物从剥离废液中滤出的工序；和(c)对上述(b)工序中除去胺的剥离废液进行分别蒸馏而仅获取有机溶剂的工序。
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公开(公告)号：CN113061891A
公开(公告)日：2021-07-02
申请号：CN202110309236.3
申请日：2014-10-15
Applicant: 东进世美肯株式会社
Abstract: 本发明公开一种蚀刻金属膜而形成构成半导体电路的薄膜晶体管的栅极以及源极‑漏极区域的金属配线蚀刻液组合物及利用该组合物的金属配线形成方法。上述金属配线蚀刻液组合物包含：15至25重量％的过氧化氢；0.1至1重量％的氟化合物；0.5至3重量％的含有羧基的胺类；0.1至1重量％的唑类化合物；0.01至2重量％的磷酸类化合物或其盐；0.1至3重量％的硫酸盐；以及，其余重量％的水。
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公开(公告)号：CN104838040B
公开(公告)日：2018-01-23
申请号：CN201380064446.4
申请日：2013-12-04
Applicant: 东进世美肯株式会社
CPC classification number: C23F1/18 , C23F1/38 , C23F1/44 , H01L21/32134 , H01L29/45 , H01L29/458
Abstract: 本发明公开一种能够同时蚀刻铜膜和氧化铟锡膜的双重膜或铜膜和金属膜的双重膜的蚀刻液组合物及利用了该组合物的蚀刻方法。上述蚀刻液组合物包含：5至20重量％的过氧化氢；0.1至5重量％的磺酸化合物；0.1至2重量％的羰基类有机酸化合物；0.1至0.4重量％的氟化合物；0.01至3重量％的唑类化合物；以及，其余重量％的水。
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公开(公告)号：CN102939407B
公开(公告)日：2016-04-20
申请号：CN201180014543.3
申请日：2011-02-17
CPC classification number: C09K13/08 , C23F1/18 , C23F1/26 , C23F1/44 , H01L21/28088 , H01L21/32134 , H01L27/1214 , H01L27/124 , H05K3/067
Abstract: 本发明的示例性实施方式提供了金属线蚀刻剂。根据本发明的示例性实施方式的金属线蚀刻剂包含过硫酸铵、有机酸、铵盐、含氟化合物、二醇类化合物和唑类化合物。
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公开(公告)号：CN104562009A
公开(公告)日：2015-04-29
申请号：CN201410543417.2
申请日：2014-10-15
Applicant: 东进世美肯株式会社
IPC: C23F1/14
Abstract: 本发明公开一种蚀刻金属膜而形成构成半导体电路的薄膜晶体管的栅极以及源极-漏极区域的金属配线蚀刻液组合物及利用该组合物的金属配线形成方法。上述金属配线蚀刻液组合物包含：15至25重量％的过氧化氢；0.1至1重量％的氟化合物；0.5至3重量％的含有羧基的胺类；0.1至1重量％的唑类化合物；0.01至2重量％的磷酸类化合物或其盐；0.1至3重量％的硫酸盐；以及，其余重量％的水。
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公开(公告)号：CN100510187C
公开(公告)日：2009-07-08
申请号：CN200510114837.X
申请日：2005-11-17
Abstract: 本发明公开了一种用于蚀刻金属层的组合物，该组合物包括：重量比为大约55%到大约80%的磷酸；重量比为大约3%到大约15%的硝酸；重量比为大约5%到大约20%的乙酸；重量比为大约0.5%到大约10%的磷酸盐；重量比为大约0.1%到大约5%的含氯化合物；重量比为大约0.01%到大约4%的偶氮化合物；以及水。
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