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公开(公告)号：CN105051609B
公开(公告)日：2020-03-03
申请号：CN201480017300.9
申请日：2014-03-24
Applicant: 东进世美肯株式会社
IPC: G03F7/11 , G03F7/004 , G03F7/26 , H01L21/027
Abstract: 本发明公开一种抗蚀剂下层膜组合物及利用其的图案形成方法，所述抗蚀剂下层膜组合物不仅热稳定性和耐蚀刻性优良，而且间隙填充(gap fill)特性也优良。上述抗蚀剂下层膜组合物，包含：包含以说明书的化学式1表示的重复单元的含芳香环高分子；以说明书的化学式4表示的化合物；以及有机溶剂。在说明书的化学式1中，R1是碳原子数为5至20的单环或多环芳香烃基，R2和R3各自独立地为碳原子数为4至14的单环或多环芳香烃基，a为1至3的整数，b为0至2的整数，在说明书的化学式4中，n为1至250的整数。
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公开(公告)号：CN109153889A
公开(公告)日：2019-01-04
申请号：CN201780030849.5
申请日：2017-05-17
Applicant: 东进世美肯株式会社
IPC: C09G1/02 , C09K3/14 , H01L21/321 , H01L21/304 , B01J23/74
Abstract: 公开了一种用于化学机械抛光的浆料组合物，该组合物表现出在酸性气氛下pH随时间的变化小，从而可易于长期储存。用于化学机械抛光的浆料组合物包含磨料、0.000006重量％至0.01重量％的铝、和水。优选的是，磨料的表面上的硅烷醇基团的数量和铝含量满足以下数学式的要求。[数学式1]0.0005≤(S*C)*100≤4.5，其中S是1nm2的磨料表面上存在的硅烷醇基团的数量(单位：个/nm2)，以及C是浆料组合物中的铝含量(重量％)。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN105658757A
公开(公告)日：2016-06-08
申请号：CN201480058695.7
申请日：2014-10-21
Applicant: 东进世美肯株式会社
IPC: C09K3/14 , H01L21/304
CPC classification number: H01L21/3212 , C09G1/02 , C09K3/1463 , H01L21/7684
Abstract: 本发明公开了用于减少在半导体集成电路制备过程中对金属膜进行抛光时产生的划痕的浆料组合物及使用其减少金属膜抛光时产生的划痕的方法，所述浆料组合物通过降低摩擦力使得在抛光期间可能上升的该组合物温度降低，改善了浆料的热稳定性从而抑制了由于温度的升高而导致的浆料中颗粒的尺寸增加。减少金属膜抛光时产生的划痕的方法包括以下步骤：将用于对金属膜进行抛光的浆料组合物施用于在其上形成金属膜的衬底，所述浆料组合物包含含有氮原子的有机溶剂和基于二醇的有机溶剂；使抛光垫与衬底接触并使抛光垫相对于衬底移动，由此从衬底上移除至少一部分金属膜。
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公开(公告)号：CN109153889B
公开(公告)日：2021-10-29
申请号：CN201780030849.5
申请日：2017-05-17
Applicant: 东进世美肯株式会社
IPC: C09G1/02 , C09K3/14 , H01L21/321 , H01L21/304 , B01J23/74
Abstract: 公开了一种用于化学机械抛光的浆料组合物，该组合物表现出在酸性气氛下pH随时间的变化小，从而可易于长期储存。用于化学机械抛光的浆料组合物包含磨料、0.000006重量％至0.01重量％的铝、和水。优选的是，磨料的表面上的硅烷醇基团的数量和铝含量满足以下数学式的要求。[数学式1]0.0005≤(S*C)*100≤4.5，其中S是1nm2的磨料表面上存在的硅烷醇基团的数量(单位：个/nm2)，以及C是浆料组合物中的铝含量(重量％)。
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公开(公告)号：CN105658757B
公开(公告)日：2019-02-19
申请号：CN201480058695.7
申请日：2014-10-21
Applicant: 东进世美肯株式会社
IPC: C09K3/14 , H01L21/304
Abstract: 本发明公开了用于减少在半导体集成电路制备过程中对金属膜进行抛光时产生的划痕的浆料组合物及使用其减少金属膜抛光时产生的划痕的方法，所述浆料组合物通过降低摩擦力使得在抛光期间可能上升的该组合物温度降低，改善了浆料的热稳定性从而抑制了由于温度的升高而导致的浆料中颗粒的尺寸增加。减少金属膜抛光时产生的划痕的方法包括以下步骤：将用于对金属膜进行抛光的浆料组合物施用于在其上形成金属膜的衬底，所述浆料组合物包含含有氮原子的有机溶剂和基于二醇的有机溶剂；使抛光垫与衬底接触并使抛光垫相对于衬底移动，由此从衬底上移除至少一部分金属膜。
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公开(公告)号：CN105051609A
公开(公告)日：2015-11-11
申请号：CN201480017300.9
申请日：2014-03-24
Applicant: 东进世美肯株式会社
IPC: G03F7/11 , G03F7/004 , G03F7/26 , H01L21/027
Abstract: 本发明公开一种抗蚀剂下层膜组合物及利用其的图案形成方法，所述抗蚀剂下层膜组合物不仅热稳定性和耐蚀刻性优良，而且间隙填充(gap fill)特性也优良。上述抗蚀剂下层膜组合物，包含：包含以说明书的化学式1表示的重复单元的含芳香环高分子；以说明书的化学式4表示的化合物；以及有机溶剂。在说明书的化学式1中，R1是碳原子数为5至20的单环或多环芳香烃基，R2和R3各自独立地为碳原子数为4至14的单环或多环芳香烃基，a为1至3的整数，b为0至2的整数，在说明书的化学式4中，n为1至250的整数。
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公开(公告)号：CN1735655A
公开(公告)日：2006-02-15
申请号：CN200380104374.8
申请日：2003-11-18
Applicant: 东进世美肯株式会社
IPC: C08K5/107
CPC classification number: C08K5/0008 , C08K5/0041 , C08K5/42 , C08L25/18 , C08L33/14 , G03F7/091 , C08L33/10 , C08L2666/04
Abstract: 本发明涉及一种有机抗反射组合物和采用该组合物的构图方法，更具体地说，涉及这样一种有机抗反射组合物和采用该组合物的构图方法，该组合物含有一种交联剂、一种吸光剂、一种热酸生成剂、一种有机溶剂和一种粘合增强剂。本发明的有机抗反射组合物能够解决由晶片上底层膜的光学特性和光刻胶厚度的改变而引起的驻波效应，能够防止由漫反射引起的临界尺寸(CD)的改变，防止有机抗反射膜上的光敏剂的图形坍缩，且能够因此形成稳定的64M、256M、512M、1G、4G和16G DRAM超细图形，并提高生产量。
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