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公开(公告)号:CN1760742A
公开(公告)日:2006-04-19
申请号:CN200510112840.8
申请日:2005-10-14
Applicant: 东进世美肯株式会社
IPC: G02F1/1368 , G03F7/32
Abstract: 本发明涉及薄膜晶体管液晶显示器的蚀刻组合物,特别是涉及包含磷酸、硝酸、醋酸、[H+]离子浓度调节剂以及水的薄膜晶体管液晶显示器的蚀刻组合物。采用所述组合物仅通过湿式工序即可以以下部膜Al-Nd不产生底切现象的方式对构成薄膜晶体管液晶显示器的TFT的栅极配线材料Mo/Al-Nd双重膜进行蚀刻,并可以获得优异的锥形,同时源极/漏极配线材料Mo单一膜也可以形成优异的轮廓。