公开(公告)号：CN101622699B

公开(公告)日：2012-10-10

申请号：CN200880006449.1

申请日：2008-02-22

Applicant: 国立大学法人东北大学 ,  东京毅力科创株式会社 ,  日本瑞翁株式会社

Inventor： 大见忠弘 ,  安田圣治 ,  井口敦智 ,  松冈孝明 ,  川村刚平 ,  中村昌洋

IPC: H01L21/314 ,  H01L21/768 ,  H01L23/522

CPC classification number: H01L21/3127 ,  H01L21/02115 ,  H01L21/0212 ,  H01L21/022 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/312 ,  H01L21/76829 ,  H01L21/76835 ,  H01L23/53295 ,  H01L2924/0002 ,  Y10T156/10 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明的层叠绝缘膜，层叠含有Si原子的碳氢层和含有N原子的碳氟层而构成，且上述碳氢层以H原子数与C原子数的比(H/C)为0.8～1.2的比例含有H原子和C原子。该层间绝缘膜在泄漏电流的产生、由热退火引起的膜的缩小受到抑制的同时，具有低介电常数且稳定。

公开(公告)号：CN101785095A

公开(公告)日：2010-07-21

申请号：CN200880103633.8

申请日：2008-08-14

Applicant: 国立大学法人东北大学 ,  东京毅力科创株式会社 ,  宇部兴产株式会社 ,  宇部日东化成株式会社

Inventor： 大见忠弘 ,  松冈孝明 ,  井口敦智 ,  绵贯耕平 ,  小池匡 ,  足立龙彦

IPC: H01L21/76 ,  H01L21/312 ,  H01L21/3205 ,  H01L21/768 ,  H01L21/8238 ,  H01L27/08 ,  H01L27/092

CPC classification number: H01L21/02255 ,  H01L21/02118 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/022 ,  H01L21/3121 ,  H01L21/316 ,  H01L21/76807 ,  H01L21/76828 ,  H01L21/76835 ,  H01L21/76897 ,  H01L21/823425 ,  H01L21/823475 ,  H01L21/823481 ,  H01L21/823871 ,  H01L21/823878 ,  H01L23/53295 ,  H01L24/19 ,  H01L24/96 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/1461 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/19105 ,  H01L2924/3511 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供半导体器件及其制造方法。在包含浅沟槽元件分离区域、多层结构的层间绝缘膜的半导体器件的制造工序中，需要反复使用CMP，然而由于CMP本身成本高，因此CMP的反复使用导致制造成本上升。作为浅沟槽(ST)元件分离区域中所用的绝缘膜和/或最下层的层间绝缘膜，使用可以利用旋转涂布来涂布的绝缘性涂布膜。该绝缘性涂布膜具有以((CH3)nSiO2-n/2)x(SiO2)1-x(其中，n＝1～3、0≤x≤1.0)表示的组成，通过选择热处理条件，形成比介电常数k不同的膜。另外，通过将绝缘性涂布膜完全地改性为SiO2膜，可以形成STI元件分离区域，通过设为不完全改性的状态，可以形成比介电常数k小的层间绝缘膜。

公开(公告)号：CN101681817A

公开(公告)日：2010-03-24

申请号：CN200880017388.9

申请日：2008-05-02

Applicant: 国立大学法人东北大学 ,  罗姆股份有限公司 ,  东京毅力科创株式会社 ,  宇部兴产株式会社

Inventor： 大见忠弘 ,  浅原浩和 ,  井口敦智 ,  绵贯耕平

IPC: H01L21/205 ,  C23C16/511 ,  H01L21/336 ,  H01L21/365 ,  H01L29/786 ,  H01L31/04 ,  H01L33/00

CPC classification number: C23C16/511 ,  C23C16/18 ,  C23C16/45565 ,  H01L21/0242 ,  H01L21/02422 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/02472 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02554 ,  H01L21/02565 ,  H01L21/0262 ,  H01L29/7869 ,  H01L31/1804 ,  H01L31/1828 ,  H01L31/184 ,  H01L31/1884 ,  H01L31/206 ,  H01L33/0066 ,  H01L33/0087 ,  H01L33/02 ,  H01L2924/0002 ,  Y02E10/543 ,  Y02E10/544 ,  Y02E10/547 ,  Y02P70/521 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明通过向由微波激发的低电子温度高密度等离子体中供给有机金属系材料气体，在作为成膜对象物的基板上形成化合物的薄膜。此时，有机金属系材料气体的供给系统利用有机金属系材料气体的蒸气压和温度的关系进行温度控制。

公开(公告)号：CN101622699A

公开(公告)日：2010-01-06

申请号：CN200880006449.1

申请日：2008-02-22

Applicant: 国立大学法人东北大学 ,  东京毅力科创株式会社 ,  日本瑞翁株式会社

Inventor： 大见忠弘 ,  安田圣治 ,  井口敦智 ,  松冈孝明 ,  川村刚平 ,  中村昌洋

IPC: H01L21/314 ,  H01L21/768 ,  H01L23/522

CPC classification number: H01L21/3127 ,  H01L21/02115 ,  H01L21/0212 ,  H01L21/022 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/312 ,  H01L21/76829 ,  H01L21/76835 ,  H01L23/53295 ,  H01L2924/0002 ,  Y10T156/10 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明的层叠绝缘膜，层叠含有Si原子的碳氢层和含有N原子的碳氟层而构成，且上述碳氢层以H原子数与C原子数的比(H/C)为0.8～1.2的比例含有H原子和C原子。该层间绝缘膜在泄漏电流的产生、由热退火引起的膜的缩小受到抑制的同时，具有低介电常数且稳定。

公开(公告)号：CN101529563B

公开(公告)日：2010-11-10

申请号：CN200780038770.3

申请日：2007-09-26

Applicant: 东京毅力科创株式会社 ,  国立大学法人东北大学

Inventor： 桶作正广 ,  大见忠弘 ,  后藤哲也 ,  松冈孝明 ,  野泽俊久 ,  井口敦智 ,  石桥清隆

IPC: H01L21/31 ,  C23C16/455 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/316 ,  H01L21/318

CPC classification number: H01J37/3244 ,  C23C16/45565 ,  C23C16/45568 ,  H01J37/32192 ,  H01J37/32449 ,  H01J37/32477 ,  H01J37/3255

Abstract: 本发明提供一种一体烧结气体排出孔而成的簇射极板及其制造方法。为了防止等离子体的逆流，配置在簇射极板的纵孔内的气体排出孔构件(陶瓷构件或多孔质气体流通体)被无间隙地一体烧结结合，在使用簇射极板时不会自纵孔脱落、且自各纵孔排出的气体排出量无偏差，能够更完全地防止等离子体发生逆流，并可高效地激励等离子体的簇射极板。簇射极板(106)配置在等离子体处理装置的处理室(102)中，为了在处理室(102)中产生等离子体而排出等离子体激励用气体，其中，在形成为等离子体激励用气体的排出路径的许多个纵孔(105)内，一体烧结结合地配置具有多个直径为20μm～70μm的气体排出孔的陶瓷构件和/或具有最大气孔直径为75μm以下的沿气体流通方向连通的气孔的多孔质气体流通体。

公开(公告)号：CN101779279A

公开(公告)日：2010-07-14

申请号：CN200880103082.5

申请日：2008-08-14

Applicant: 国立大学法人东北大学 ,  东京毅力科创株式会社 ,  宇部兴产株式会社 ,  宇部日东化成株式会社

Inventor： 大见忠弘 ,  松冈孝明 ,  井口敦智 ,  绵贯耕平 ,  小池匡 ,  足立龙彦

IPC: H01L21/312 ,  H01L21/768 ,  H01L23/522

CPC classification number: H01L23/5329 ,  H01L21/0212 ,  H01L21/02126 ,  H01L21/022 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/02304 ,  H01L21/02362 ,  H01L21/3121 ,  H01L21/316 ,  H01L21/76807 ,  H01L21/76819 ,  H01L21/76829 ,  H01L21/76832 ,  H01L21/76835 ,  H01L21/7684 ,  H01L21/76897 ,  H01L23/53238 ,  H01L23/53295 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明使用绝缘性涂布膜形成层间绝缘膜，所述绝缘性涂布膜具有2.5以下的介电常数k，且由通式((CH3)nSiO2-n/2)x(SiO2)1-x(式中，n＝1～3、x≤1)所表示的一种或二种以上的氧化物构成。利用旋涂涂布得到的绝缘性涂布膜不反映基底的凹凸，是平坦的，而且，经热处理的膜的表面粗糙度以Ra计为1nm以下，以P-V值计为20nm以下。含有绝缘性涂布膜的层间绝缘膜无需CMP工艺，仅通过蚀刻就可以形成布线结构及电极。

公开(公告)号：CN101681817B

公开(公告)日：2012-11-14

申请号：CN200880017388.9

申请日：2008-05-02

Applicant: 国立大学法人东北大学 ,  罗姆股份有限公司 ,  东京毅力科创株式会社 ,  宇部兴产株式会社

Inventor： 大见忠弘 ,  浅原浩和 ,  井口敦智 ,  绵贯耕平

IPC: H01L21/205 ,  C23C16/511 ,  H01L21/336 ,  H01L21/365 ,  H01L29/786 ,  H01L31/04 ,  H01L33/00

CPC classification number: C23C16/511 ,  C23C16/18 ,  C23C16/45565 ,  H01L21/0242 ,  H01L21/02422 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/02472 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02554 ,  H01L21/02565 ,  H01L21/0262 ,  H01L29/7869 ,  H01L31/1804 ,  H01L31/1828 ,  H01L31/184 ,  H01L31/1884 ,  H01L31/206 ,  H01L33/0066 ,  H01L33/0087 ,  H01L33/02 ,  H01L2924/0002 ,  Y02E10/543 ,  Y02E10/544 ,  Y02E10/547 ,  Y02P70/521 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明通过向由微波激发的低电子温度高密度等离子体中供给有机金属系材料气体，在作为成膜对象物的基板上形成化合物的薄膜。此时，有机金属系材料气体的供给系统利用有机金属系材料气体的蒸气压和温度的关系进行温度控制。

公开(公告)号：CN101785095B

公开(公告)日：2012-11-07

申请号：CN200880103633.8

申请日：2008-08-14

Applicant: 国立大学法人东北大学 ,  东京毅力科创株式会社 ,  宇部兴产株式会社 ,  宇部日东化成株式会社

Inventor： 大见忠弘 ,  松冈孝明 ,  井口敦智 ,  绵贯耕平 ,  小池匡 ,  足立龙彦

IPC: H01L21/76 ,  H01L21/312 ,  H01L21/3205 ,  H01L21/768 ,  H01L21/8238 ,  H01L27/08 ,  H01L27/092

CPC classification number: H01L21/02255 ,  H01L21/02118 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/022 ,  H01L21/3121 ,  H01L21/316 ,  H01L21/76807 ,  H01L21/76828 ,  H01L21/76835 ,  H01L21/76897 ,  H01L21/823425 ,  H01L21/823475 ,  H01L21/823481 ,  H01L21/823871 ,  H01L21/823878 ,  H01L23/53295 ,  H01L24/19 ,  H01L24/96 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/1461 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/19105 ,  H01L2924/3511 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供半导体器件及其制造方法。在包含浅沟槽元件分离区域、多层结构的层间绝缘膜的半导体器件的制造工序中，需要反复使用CMP，然而由于CMP本身成本高，因此CMP的反复使用导致制造成本上升。作为浅沟槽(ST)元件分离区域中所用的绝缘膜和/或最下层的层间绝缘膜，使用可以利用旋转涂布来涂布的绝缘性涂布膜。该绝缘性涂布膜具有以((CH3)nSiO2-n/2)x(SiO2)1-x(其中，n＝1～3、0≤x≤1.0)表示的组成，通过选择热处理条件，形成比介电常数k不同的膜。另外，通过将绝缘性涂布膜完全地改性为SiO2膜，可以形成STI元件分离区域，通过设为不完全改性的状态，可以形成比介电常数k小的层间绝缘膜。

公开(公告)号：CN102575341A

公开(公告)日：2012-07-11

申请号：CN201080045493.0

申请日：2010-10-07

Applicant: 国立大学法人东北大学 ,  罗姆股份有限公司 ,  东京毅力科创株式会社

Inventor： 大见忠弘 ,  浅原浩和 ,  井口敦智

IPC: C23C16/40 ,  C23C16/511 ,  H01L21/365 ,  H01L33/42

CPC classification number: C23C16/407 ,  C23C16/308 ,  C23C16/40 ,  C23C16/56 ,  H01L21/0242 ,  H01L21/02422 ,  H01L21/02472 ,  H01L21/02554 ,  H01L21/02565 ,  H01L21/02576 ,  H01L21/0262 ,  H01L33/0087 ,  H01L33/28

Abstract: 本发明的课题为稳定地形成N掺杂的ZnO系化合物薄膜。在本发明中，通过将含氧和氮的气体以及氮气与有机金属系材料气体一起供给至由微波激发的低电子温度高密度等离子体中，在作为成膜对象物的基板上形成N掺杂的ZnO系化合物薄膜。

公开(公告)号：CN101529563A

公开(公告)日：2009-09-09

申请号：CN200780038770.3

申请日：2007-09-26

Applicant: 东京毅力科创株式会社 ,  国立大学法人东北大学

Inventor： 桶作正广 ,  大见忠弘 ,  后藤哲也 ,  松冈孝明 ,  野泽俊久 ,  井口敦智 ,  石桥清隆

IPC: H01L21/31 ,  C23C16/455 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/316 ,  H01L21/318

CPC classification number: H01J37/3244 ,  C23C16/45565 ,  C23C16/45568 ,  H01J37/32192 ,  H01J37/32449 ,  H01J37/32477 ,  H01J37/3255

Abstract: 本发明提供一种一体烧结气体排出孔而成的簇射极板及其制造方法。为了防止等离子体的逆流，配置在簇射极板的纵孔内的气体排出孔构件(陶瓷构件或多孔质气体流通体)被无间隙地一体烧结结合，在使用簇射极板时不会自纵孔脱落、且自各纵孔排出的气体排出量无偏差，能够更完全地防止等离子体发生逆流，并可高效地激励等离子体的簇射极板。簇射极板(105)配置在等离子体处理装置的处理室(102)中，为了在处理室(102)中产生等离子体而排出等离子体激励用气体，其中，在形成为等离子体激励用气体的排出路径的许多个纵孔(105)内，一体烧结结合地配置具有多个直径为20μm～70μm的气体排出孔的陶瓷构件和/或具有最大气孔直径为75μm以下的沿气体流通方向连通的气孔的多孔质气体流通体。