公开(公告)号：CN119585851A

公开(公告)日：2025-03-07

申请号：CN202380053613.9

申请日：2023-07-14

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 竹田谅平 ,  高山航 ,  近江宗行 ,  八重樫圭太 ,  富永翔 ,  高良穰二

IPC: H01L21/3065 ,  H05H1/46

Abstract: 提供一种控制程序、信息处理程序、控制方法、信息处理方法、等离子体处理装置以及信息处理装置。一种控制程序，是通过向等离子体生成源供给源电力并向载置作为处理对象的基板的载置台供给偏置电力来进行等离子体处理的等离子体处理装置的控制程序，控制程序用于使计算机执行以下过程：观测源电力和偏置电力的峰间电压；以及调整作为用于控制观测到的峰间电压的变动幅度的调整用参数的、向等离子体生成源供给的源电力、向载置台供给的偏置电力、向配置于载置台的周围的外周构件施加的直流电压、以及连接在直流电压的供给源与外周构件之间的滤波器电路的阻抗。

公开(公告)号：CN114093761A

公开(公告)日：2022-02-25

申请号：CN202110942114.8

申请日：2021-08-17

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 中谷理子 ,  后平拓 ,  宋孝锡 ,  田所昌洋 ,  沼田健太郎 ,  八重樫圭太

IPC: H01L21/3065 ,  H01J37/32

Abstract: 本发明的课题在于提供在使硅氧化膜与硅膜交替地层叠的层叠膜的蚀刻时，提高选择比的技术。本发明提供一种蚀刻方法，其为对于在基板上交替地层叠有硅氧化膜和硅膜的层叠膜，通过等离子体形成所期望的蚀刻形状的蚀刻方法，其包括下述步骤：准备上述基板的步骤；将上述基板的表面温度冷却至‑40℃以下的步骤；通过等离子体生成用的高频电力来生成含有氢和氟的气体的等离子体的步骤；以及通过生成的等离子体将上述层叠膜进行蚀刻的步骤。

公开(公告)号：CN116782480A

公开(公告)日：2023-09-19

申请号：CN202310220734.X

申请日：2023-03-09

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 八重樫圭太 ,  高良穣二 ,  铃木贵幸 ,  竹田谅平 ,  藤堂飒哉 ,  斋藤祐介 ,  斋野高遥

IPC: H05H1/46 ,  G01R33/02

Abstract: 本发明提供一种预测方法和信息处理装置，预测等离子体蚀刻处理的处理结果。预测方法包括计算工序和预测工序。在计算工序中，计算对配置于腔室内的基板实施了等离子体蚀刻处理时的腔室内的磁场的空间分布值与针对基板进行的等离子体蚀刻处理的处理结果之间的相关关系。在预测工序中，基于计算出的相关关系，根据腔室内的磁场的空间分布值来预测针对基板进行的等离子体蚀刻处理的处理结果。