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公开(公告)号：CN108172493A
公开(公告)日：2018-06-15
申请号：CN201711285454.8
申请日：2017-12-07
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01J37/32 , H01L21/3065
Abstract: 本发明提供一种在具有后混合结构的等离子体处理装置中能够得到良好的蚀刻形状的等离子体处理装置和等离子体处理方法。通过具有如下特征的等离子体处理装置来解决上述课题，该等离子体处理装置包括：处理容器；设置于所述处理容器内的保持基片的载置台；能够从与所述载置台相对的位置供给第一气体的第一气体供给部；将所述第一气体等离子体化的高频电源；以包围所述载置台的周围的方式设置的、遮挡被等离子体化了的所述第一气体的遮挡部；经由所述遮挡部将所述处理容器内排气的排气部；和能够对所述遮挡部与所述排气部之间的空间供给第二气体的第二气体供给部。
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公开(公告)号：CN114141658A
公开(公告)日：2022-03-04
申请号：CN202111027548.1
申请日：2021-09-02
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/67 , H01L21/3065 , G05D23/20
Abstract: 本发明提供推定与进行等离子体处理的处理空间内的状态的变化对应的温度的温度推定装置、等离子体处理系统、温度推定方法以及温度推定程序。温度推定装置具有推定部，该推定部通过向生成完毕时间序列模型依次输入与进行等离子体处理的处理空间内的状态有关的新的时间序列的工艺数据而依次推定温度数据，其中，该生成完毕时间序列模型是将与上述处理空间内的状态有关的时间序列的工艺数据的各时间范围的数据与在该处理空间内测定出的时间序列的温度数据的各时间的数据建立关联的模型。
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公开(公告)号：CN108172493B
公开(公告)日：2020-06-26
申请号：CN201711285454.8
申请日：2017-12-07
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01J37/32 , H01L21/3065
Abstract: 本发明提供一种在具有后混合结构的等离子体处理装置中能够得到良好的蚀刻形状的等离子体处理装置和等离子体处理方法。通过具有如下特征的等离子体处理装置来解决上述课题，该等离子体处理装置包括：处理容器；设置于所述处理容器内的保持基片的载置台；能够从与所述载置台相对的位置供给第一气体的第一气体供给部；将所述第一气体等离子体化的高频电源；以包围所述载置台的周围的方式设置的、遮挡被等离子体化了的所述第一气体的遮挡部；经由所述遮挡部将所述处理容器内排气的排气部；和能够对所述遮挡部与所述排气部之间的空间供给第二气体的第二气体供给部。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102709208B
公开(公告)日：2015-06-17
申请号：CN201210086331.2
申请日：2012-03-28
Applicant: 东京毅力科创株式会社
CPC classification number: H01J37/32642 , H01J37/32009 , H01J37/3244 , H01J37/32724 , H01J37/32807 , H01J37/3288 , H01J37/32972 , H01J37/3299 , H01J2237/334 , H01J2237/3343 , H01L21/3065
Abstract: 本发明提供一种能够可靠并且迅速的判定聚焦环的更换时期的判定方法、控制方法、判定装置、图案形成系统和程序。在对基板上的膜进行蚀刻形成图案时，对配置在该基板周围的聚焦环的更换时期进行判定，用以提高该图案的面内均一性，该判定方法包括：测定所述图案的形状或尺寸的测定工序；和基于所测定的所述图案的形状或尺寸，判定所述聚焦环的更换时期的判定工序。
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公开(公告)号：CN102709208A
公开(公告)日：2012-10-03
申请号：CN201210086331.2
申请日：2012-03-28
Applicant: 东京毅力科创株式会社
CPC classification number: H01J37/32642 , H01J37/32009 , H01J37/3244 , H01J37/32724 , H01J37/32807 , H01J37/3288 , H01J37/32972 , H01J37/3299 , H01J2237/334 , H01J2237/3343 , H01L21/3065
Abstract: 本发明提供一种能够可靠并且迅速的判定聚焦环的更换时期的判定方法、控制方法、判定装置、图案形成系统和程序。在对基板上的膜进行蚀刻形成图案时，对配置在该基板周围的聚焦环的更换时期进行判定，用以提高该图案的面内均一性，该判定方法包括：测定所述图案的形状或尺寸的测定工序；和基于所测定的所述图案的形状或尺寸，判定所述聚焦环的更换时期的判定工序。
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公开(公告)号：CN115148572A
公开(公告)日：2022-10-04
申请号：CN202210281422.5
申请日：2022-03-21
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Abstract: 本公开涉及一种基板处理装置和基板搬送位置调整方法。基板处理装置具备：工艺模块，其包括载置台和边缘环，载置台设置于腔室的内部且具有第一载置面和第二载置面，边缘环载置于第二载置面；测定部，其测定基板的蚀刻速率；以及控制部，控制部进行控制以在特定的处理条件下将基板搬送到第一载置面的不同的搬送位置，并对每个搬送位置蚀刻基板；控制部针对每个搬送位置从测定部获取基板的端部附近的处于基板的同心圆上的多个地点处的蚀刻速率，基于获取到的每个搬送位置的各蚀刻速率的来生成同心圆的周向的各个近似曲线，控制部基于所生成的每个搬送位置的近似曲线来分别计算表示基板的移动方向的线性式，对计算出的各线性式的交点坐标进行计算。
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公开(公告)号：CN104979154B
公开(公告)日：2018-01-05
申请号：CN201510242801.3
申请日：2012-03-28
Applicant: 东京毅力科创株式会社
CPC classification number: H01J37/32642 , H01J37/32009 , H01J37/3244 , H01J37/32724 , H01J37/32807 , H01J37/3288 , H01J37/32972 , H01J37/3299 , H01J2237/334 , H01J2237/3343 , H01L21/3065
Abstract: 本发明提供一种能够可靠并且迅速的判定处理容器内的部件的更换时期的判定方法、控制方法、判定装置、和图案形成系统。判定处理容器内的部件的更换时期的判定方法，包括：预先根据第一图案的形状或尺寸算出第一偏差的工序；在所述处理容器内对基板上的膜进行蚀刻形成第二图案的工序；对所述第二图案的形状或尺寸进行测定的测定工序；根据所测定的所述第二图案的形状或尺寸算出第二偏差的工序；和当所述第二偏差比所述第一偏差大时，判定为所述处理容器内的部件的更换时期的工序。
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公开(公告)号：CN104979154A
公开(公告)日：2015-10-14
申请号：CN201510242801.3
申请日：2012-03-28
Applicant: 东京毅力科创株式会社
CPC classification number: H01J37/32642 , H01J37/32009 , H01J37/3244 , H01J37/32724 , H01J37/32807 , H01J37/3288 , H01J37/32972 , H01J37/3299 , H01J2237/334 , H01J2237/3343 , H01L21/3065
Abstract: 本发明提供一种能够可靠并且迅速的判定处理容器内的部件的更换时期的判定方法、控制方法、判定装置、和图案形成系统。判定处理容器内的部件的更换时期的判定方法，包括：预先根据第一图案的形状或尺寸算出第一偏差的工序；在所述处理容器内对基板上的膜进行蚀刻形成第二图案的工序；对所述第二图案的形状或尺寸进行测定的测定工序；根据所测定的所述第二图案的形状或尺寸算出第二偏差的工序；和当所述第二偏差比所述第一偏差大时，判定为所述处理容器内的部件的更换时期的工序。
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