公开(公告)号：CN115810562A

公开(公告)日：2023-03-17

申请号：CN202211083717.8

申请日：2022-09-06

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 高良穣二 ,  木村友里

IPC: H01L21/67 ,  H01L21/677 ,  H01L21/68 ,  H01J37/32

Abstract: 本发明提供一种基板搬送位置的偏移量探测方法和基板处理装置。基板搬送位置的偏移量探测方法包括以下工序：工序a)，将基板支承面设定为在基板支承面内为相同温度；工序b)，对形成于基板上的第一蚀刻对象膜进行蚀刻；工序c)，获取第一蚀刻对象膜的第一蚀刻速率；工序d)，将基板支承面的温度设定为从中心部去向周缘部而同心圆状地逐渐升高、或者从中心部去向周缘部而同心圆状地逐渐降低；工序e)，对形成于基板上的、种类与第一蚀刻对象膜的种类相同的第二蚀刻对象膜进行蚀刻；工序f)，获取第二蚀刻对象膜的第二蚀刻速率；工序g)，计算获取到的第一蚀刻速率与第二蚀刻速率的差分；以及工序f)，基于计算出的差分来计算基板的偏移量。

公开(公告)号：CN116261737A

公开(公告)日：2023-06-13

申请号：CN202280005913.5

申请日：2022-10-05

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 高良穣二 ,  佐藤秀彦 ,  木村友里 ,  京兼广和

IPC: G06N20/00

Abstract: 缩短直到取得蚀刻质量的检查结果为止的时间。蚀刻处理系统包括：预测部，通过将预测对象的基板的图像数据输入到通过使用学习用数据进行学习而得到的学习完成模型，从而对预测对象的基板的蚀刻质量进行预测，所述学习用数据通过将由布置在基板的输送路径上的摄像装置拍摄的所述基板的图像数据与用于对所述基板的蚀刻质量进行预测的信息相关联而得到。

公开(公告)号：CN115148572A

公开(公告)日：2022-10-04

申请号：CN202210281422.5

申请日：2022-03-21

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 高良穣二 ,  佐藤秀彦 ,  长畑寿 ,  木村友里

IPC: H01J37/32 ,  H01L21/67

Abstract: 本公开涉及一种基板处理装置和基板搬送位置调整方法。基板处理装置具备：工艺模块，其包括载置台和边缘环，载置台设置于腔室的内部且具有第一载置面和第二载置面，边缘环载置于第二载置面；测定部，其测定基板的蚀刻速率；以及控制部，控制部进行控制以在特定的处理条件下将基板搬送到第一载置面的不同的搬送位置，并对每个搬送位置蚀刻基板；控制部针对每个搬送位置从测定部获取基板的端部附近的处于基板的同心圆上的多个地点处的蚀刻速率，基于获取到的每个搬送位置的各蚀刻速率的来生成同心圆的周向的各个近似曲线，控制部基于所生成的每个搬送位置的近似曲线来分别计算表示基板的移动方向的线性式，对计算出的各线性式的交点坐标进行计算。