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公开(公告)号：CN119948606A
公开(公告)日：2025-05-06
申请号：CN202380067291.3
申请日：2023-08-09
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/3065 , H05H1/00 , H05H1/46
Abstract: 本发明的等离子体处理装置包括：等离子体处理腔室；包括下部电极、静电吸盘和边缘环的基片支承体；配置在基片支承体的上方的上部电极；向上部电极或下部电极供给生成源RF电功率的生成源RF电源；向下部电极供给偏置电功率的偏置电源；向边缘环施加负极性的直流电压的直流电源；包括至少一个可变无源元件的RF滤波器，其电连接在边缘环与直流电源之间；和控制部，其构成为能够控制直流电源和可变无源元件，以控制等离子体中的离子相对于载置在静电吸盘上的基片的边缘区域的入射角度，并且将偏置电功率的电压控制在允许范围。
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公开(公告)号：CN110246739B
公开(公告)日：2024-07-02
申请号：CN201910161278.X
申请日：2019-03-04
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01J37/32
Abstract: 本发明能够将由于对基片进行等离子体处理而产生的反应生成物很好地从载置台的载置面的周缘部除去。等离子体处理方法包括：等离子体处理工序，其一边在形成于载置台的内部的致冷剂流路流通0℃以下的致冷剂，一边对载置于载置台的载置面的基片进行等离子体处理；载置工序，其代替基片而将仿真基片载置在载置台的载置面；和除去工序，其在仿真基片载置于载置台的载置面的状态下，一边利用处理气体的等离子体经由仿真基片加热载置面，一边利用处理气体的等离子体将因基片的等离子体处理而产生的反应生成物从载置面的周缘部除去。
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公开(公告)号：CN118431062A
公开(公告)日：2024-08-02
申请号：CN202410526243.2
申请日：2019-03-26
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01J37/32 , H01L21/687
Abstract: 本发明提供能够减少反应生成物对载置台的载置面的附着的等离子体处理装置，其包括：载置台，具有载置作为等离子体处理的对象的被处理体的载置面；使被处理体相对于载置台的载置面升降的升降机构；和升降控制部，其在从对被处理体的等离子体处理结束至开始输送被处理体的期间，控制升降机构来将被处理体保持在载置台的载置面与被处理体隔开能够抑制反应生成物侵入的间隔的位置，在开始输送被处理体时，控制升降机构来使被处理体从被处理体被保持的位置上升。
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公开(公告)号：CN110323119B
公开(公告)日：2024-05-17
申请号：CN201910231749.X
申请日：2019-03-26
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01J37/32
Abstract: 本发明提供能够减少反应生成物对载置台的载置面的附着的等离子体处理装置，其包括：载置台，具有载置作为等离子体处理的对象的被处理体的载置面；使被处理体相对于载置台的载置面升降的升降机构；和升降控制部，其在从对被处理体的等离子体处理结束至开始输送被处理体的期间，控制升降机构来将被处理体保持在载置台的载置面与被处理体隔开能够抑制反应生成物侵入的间隔的位置，在开始输送被处理体时，控制升降机构来使被处理体从被处理体被保持的位置上升。
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公开(公告)号：CN110323119A
公开(公告)日：2019-10-11
申请号：CN201910231749.X
申请日：2019-03-26
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01J37/32
Abstract: 本发明提供能够减少反应生成物对载置台的载置面的附着的等离子体处理装置，其包括：载置台，具有载置作为等离子体处理的对象的被处理体的载置面；使被处理体相对于载置台的载置面升降的升降机构；和升降控制部，其在从对被处理体的等离子体处理结束至开始输送被处理体的期间，控制升降机构来将被处理体保持在载置台的载置面与被处理体隔开能够抑制反应生成物侵入的间隔的位置，在开始输送被处理体时，控制升降机构来使被处理体从被处理体被保持的位置上升。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110246739A
公开(公告)日：2019-09-17
申请号：CN201910161278.X
申请日：2019-03-04
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01J37/32
Abstract: 本发明能够将由于对基片进行等离子体处理而产生的反应生成物很好地从载置台的载置面的周缘部除去。等离子体处理方法包括：等离子体处理工序，其一边在形成于载置台的内部的致冷剂流路流通0℃以下的致冷剂，一边对载置于载置台的载置面的基片进行等离子体处理；载置工序，其代替基片而将仿真基片载置在载置台的载置面；和除去工序，其在仿真基片载置于载置台的载置面的状态下，一边利用处理气体的等离子体经由仿真基片加热载置面，一边利用处理气体的等离子体将因基片的等离子体处理而产生的反应生成物从载置面的周缘部除去。
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公开(公告)号：CN117321740B
公开(公告)日：2024-06-25
申请号：CN202280029704.4
申请日：2022-12-16
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/3065 , H01L21/31 , C23C16/44
Abstract: 一种基板处理装置的维护方法，所述基板处理装置具备腔室以及向所述腔室的内部供给处理气体的气体供给部，所述维护方法包括以下工序：工序(a)，从所述气体供给部向所述腔室的内部供给第一处理气体，来在所述腔室的内部的构件的表面形成保护膜；以及工序(b)，在所述工序(a)之后，将所述腔室的内部开放为大气气氛来进行所述基板处理装置的维护。
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公开(公告)号：CN117321740A
公开(公告)日：2023-12-29
申请号：CN202280029704.4
申请日：2022-12-16
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/3065
Abstract: 一种基板处理装置的维护方法，所述基板处理装置具备腔室以及向所述腔室的内部供给处理气体的气体供给部，所述维护方法包括以下工序：工序(a)，从所述气体供给部向所述腔室的内部供给第一处理气体，来在所述腔室的内部的构件的表面形成保护膜；以及工序(b)，在所述工序(a)之后，将所述腔室的内部开放为大气气氛来进行所述基板处理装置的维护。
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公开(公告)号：CN116782480A
公开(公告)日：2023-09-19
申请号：CN202310220734.X
申请日：2023-03-09
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Abstract: 本发明提供一种预测方法和信息处理装置，预测等离子体蚀刻处理的处理结果。预测方法包括计算工序和预测工序。在计算工序中，计算对配置于腔室内的基板实施了等离子体蚀刻处理时的腔室内的磁场的空间分布值与针对基板进行的等离子体蚀刻处理的处理结果之间的相关关系。在预测工序中，基于计算出的相关关系，根据腔室内的磁场的空间分布值来预测针对基板进行的等离子体蚀刻处理的处理结果。
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公开(公告)号：CN113594015A
公开(公告)日：2021-11-02
申请号：CN202110429107.8
申请日：2021-04-21
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01J37/32 , H01L21/67 , H01L21/3065
Abstract: 本发明提供一种对基片进行蚀刻的装置，其包括：腔室；基片支承体，其设置在所述腔室的内部，具有电极、设置在所述电极上的静电吸盘和以包围载置在所述静电吸盘上的基片的方式配置的导电性的边缘环；高频电源，其供给用于从所述腔室的内部的气体生成等离子体的高频电功率；和阻抗可变的RF滤波器。所述边缘环和所述RF滤波器经由连接部直接电连接。根据本发明，能够在蚀刻中适当地控制基片的边缘区域的倾斜角度。
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