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公开(公告)号：CN113820290B
公开(公告)日：2024-10-01
申请号：CN202110652858.6
申请日：2021-06-11
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: G01N21/3563 , G01N21/35 , C23C16/52
Abstract: 本发明提供一种成膜方法和成膜装置，用于检测在形成有包括凹部的图案的基板上成膜出的膜的状态。在第一测定工序中，通过红外光谱法来测定形成有包括凹部的图案的基板。在成膜工序中，在第一测定工序之后，对基板进行膜的成膜。在第二测定工序中，在成膜工序之后，通过红外光谱法来测定基板。在提取工序中，提取第一测定工序的测定数据与第二测定工序的测定数据的差数据。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN112513324A
公开(公告)日：2021-03-16
申请号：CN201980050065.8
申请日：2019-07-29
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: C23C16/455 , C23C16/44 , H01L21/31 , H01L21/318
Abstract: 提供一种成膜装置，该成膜装置具有：处理容器；支承机构，其将基板支承成能够升降；第1气体供给部，其向被所述支承机构支承着的基板的表面供给第1气体；第2气体供给部，其向被所述支承机构支承着的基板的背面供给第2气体；以及第3气体供给部，其向被所述支承机构支承着的基板的表面和背面中的至少任一者供给第3气体。
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公开(公告)号：CN112956003B
公开(公告)日：2024-09-27
申请号：CN201980071967.X
申请日：2019-10-30
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/31 , H01L21/318 , C23C16/04
Abstract: 本发明提供一种成膜方法，其包括：准备与基片的正面状态的测量结果相应的掩模的步骤；将上述掩模送入处理容器内的步骤；将上述基片送入上述处理容器内的步骤；和在上述基片的背面配置有上述掩模的状态下，对上述基片的背面进行成膜的步骤。
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公开(公告)号：CN112956003A
公开(公告)日：2021-06-11
申请号：CN201980071967.X
申请日：2019-10-30
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/31 , H01L21/318 , C23C16/04
Abstract: 本发明提供一种成膜方法，其包括：准备与基片的正面状态的测量结果相应的掩模的步骤；将上述掩模送入处理容器内的步骤；将上述基片送入上述处理容器内的步骤；和在上述基片的背面配置有上述掩模的状态下，对上述基片的背面进行成膜的步骤。
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公开(公告)号：CN112513324B
公开(公告)日：2023-04-11
申请号：CN201980050065.8
申请日：2019-07-29
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: C23C16/455 , C23C16/44 , H01L21/31 , H01L21/318
Abstract: 提供一种成膜装置，该成膜装置具有：处理容器；支承机构，其将基板支承成能够升降；第1气体供给部，其向被所述支承机构支承着的基板的表面供给第1气体；第2气体供给部，其向被所述支承机构支承着的基板的背面供给第2气体；以及第3气体供给部，其向被所述支承机构支承着的基板的表面和背面中的至少任一者供给第3气体。
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公开(公告)号：CN113820290A
公开(公告)日：2021-12-21
申请号：CN202110652858.6
申请日：2021-06-11
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: G01N21/3563 , G01N21/35 , C23C16/52
Abstract: 本发明提供一种成膜方法和成膜装置，用于检测在形成有包括凹部的图案的基板上成膜出的膜的状态。在第一测定工序中，通过红外光谱法来测定形成有包括凹部的图案的基板。在成膜工序中，在第一测定工序之后，对基板进行膜的成膜。在第二测定工序中，在成膜工序之后，通过红外光谱法来测定基板。在提取工序中，提取第一测定工序的测定数据与第二测定工序的测定数据的差数据。
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