公开(公告)号：CN114267579A

公开(公告)日：2022-04-01

申请号：CN202111049655.4

申请日：2021-09-08

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 入宇田启树 ,  千叶洋一郎 ,  远藤笃史

IPC: H01L21/205 ,  C23C16/455

Abstract: 本发明涉及处理装置和处理方法。提供一种能够扩大膜厚的面内分布的调整范围的技术。本公开的一技术方案的处理装置包括：处理容器，其具有大致圆筒形状，在侧壁形成有排气狭缝；以及多个气体喷嘴，其沿着所述处理容器的所述侧壁的内侧在铅垂方向上延伸设置，该多个气体喷嘴相对于将所述处理容器的中心和所述排气狭缝的中心连结的直线对称配置，该多个气体喷嘴分别向所述处理容器内喷出相同的处理气体。

公开(公告)号：CN119920685A

公开(公告)日：2025-05-02

申请号：CN202411476221.6

申请日：2024-10-22

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 新田基己 ,  东条行雄 ,  千叶洋一郎 ,  黑川昌毅

IPC: H01L21/223 ,  H01L21/67

Abstract: 一种基板处理方法和基板处理装置，提供能够提高绝缘膜中的氘浓度的技术。本公开的一个方式的基板处理方法包括以下工序：准备在表面具有绝缘膜的基板；将所述基板从第一温度升温至比所述第一温度高的第二温度；以及将所述基板维持为所述第二温度，其中，升温至所述第二温度的工序包括向所述基板供给氘气和氢气中的至少一种气体，维持为所述第二温度的工序包括向所述基板供给氘气。