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公开(公告)号：CN102796997A
公开(公告)日：2012-11-28
申请号：CN201210167749.6
申请日：2012-05-25
Applicant: 东京毅力科创株式会社
CPC classification number: C23C16/45525 , C23C16/4584 , C23C16/4585 , C23C16/46 , C23C16/52 , G01J5/0007 , G01J5/0022 , G01J5/025 , G01J5/0255 , G01J5/026 , G01J5/0809 , G01J5/0831 , G01J5/089 , G01J5/0893 , G01J2005/0085
Abstract: 本发明提供用于热处理装置的温度测量装置、温度测量方法和热处理装置。该热处理装置具有加热部和在内部设有用于载置基板的旋转台的处理容器，该温度测量装置包括：辐射温度测量部，其能够在使旋转台以规定的转速旋转的状态下，通过沿旋转台的径向对该旋转台的一表面侧进行扫描来测量沿着该径向形成的多个温度测量区域的温度；温度映射制作部，其根据由辐射温度测量部沿旋转台的径向进行扫描的每次扫描的温度测量区域的数量、及旋转台的规定的转速，确定由辐射温度测量部测量了温度的温度测量区域的地址，将该温度与该地址相关联，存储到存储部；温度数据显示处理部，其根据由温度映射制作部存储在存储部的温度与地址，显示基板的温度分布。
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公开(公告)号：CN106987824A
公开(公告)日：2017-07-28
申请号：CN201611095814.3
申请日：2016-12-02
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: C23C16/455 , C23C16/52
Abstract: 本发明在将包含收容于原料容器内的固体或液体原料气化后的气体的原料气体供给至成膜处理部时，能够以较高的精度对原料容器内的原料的剩余量进行测定。在用于向原料容器供给载气的载气供给通路设置有MFC1，在原料气体供给通路设置有MFM3。在用于向原料气体供给通路供给稀释气体的稀释气体供给通路设置MFC2。从MFM3的测定值减去MFC1测定值与MFC2的测定值的合计值，求取偏差值，从自MFM3的测定值减去MFC1的测定值与MFC2的测定值的合计值而得到的值减去偏差值，求取原料的流量的实测值，并求取原料的重量的实测值。从原料容器内的初期的填充量(新的原料容器的填充量)减去原料的流量的实测值的累计值，测定原料的剩余量。
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公开(公告)号：CN104947082A
公开(公告)日：2015-09-30
申请号：CN201510142689.6
申请日：2015-03-27
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: C23C16/455
CPC classification number: C23C16/45557 , C23C16/08 , C23C16/4481 , C23C16/45544 , C23C16/52
Abstract: 本发明以短时间且大流量供给由液体原料或固体原料生成的原料气体，并且避免原料的浪费。具备：收纳固体状或液体状的原料的原料容器(1)；在原料容器(1)中加热原料的加热器(2)；向原料容器(1)内供给载气的载气供给配管(3)；控制载气的流量的流量控制器(4)；向腔室(10)供给原料气体的原料气体供给配管(5)；设置于原料气体供给配管(5)的腔室(10)附近的原料气体供给·切断阀(6)；和气体供给控制器(8)，进行控制使得：控制流量控制器(4)，并且在关闭原料气体供给·切断阀(6)的状态下，通过流通载气，使原料容器(1)和原料气体供给配管(5)成为高压状态之后，打开原料气体供给·切断阀(6)。
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公开(公告)号：CN102017096A
公开(公告)日：2011-04-13
申请号：CN200980113887.2
申请日：2009-09-29
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/31 , C23C16/455
CPC classification number: C23C16/45544 , B29C66/71 , C23C16/45517 , C23C16/45527 , C23C16/45551 , C23C16/45563 , H01L21/02164 , H01L21/02197 , H01L21/0228 , H01L21/3141 , H01L21/31608 , H01L21/31691
Abstract: 一种成膜装置，通过在真空容器内，多次执行交替地供给第一反应气体和第二反应气体并排气的循环，而在基板的表面将薄膜成膜，其特征在于，具有：设置在上述真空容器内、各自包含基板的载置区域的多个下部件；与上述多个下部件分别对置地设置，在与上述载置区域之间形成处理空间的多个上部件；用于向上述处理空间内供给气体的、第一反应气体供给部、第二反应气体供给部；以及用于在供给上述第一反应气体的时刻和供给第二反应气体的时刻之间供给吹扫气体的吹扫气体供给部；沿上述处理空间的周向形成，用于连通该处理空间内和作为该处理空间的外部的上述真空容器内的环境气氛的排气用开口部；用于将上述处理空间经由上述排气用开口部以及上述真空容器内的环境气氛进行真空排气的真空排气机构。
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公开(公告)号：CN102796997B
公开(公告)日：2016-03-16
申请号：CN201210167749.6
申请日：2012-05-25
Applicant: 东京毅力科创株式会社
CPC classification number: C23C16/45525 , C23C16/4584 , C23C16/4585 , C23C16/46 , C23C16/52 , G01J5/0007 , G01J5/0022 , G01J5/025 , G01J5/0255 , G01J5/026 , G01J5/0809 , G01J5/0831 , G01J5/089 , G01J5/0893 , G01J2005/0085
Abstract: 本发明提供用于热处理装置的温度测量装置、温度测量方法和热处理装置。该热处理装置具有加热部和在内部设有用于载置基板的旋转台的处理容器，该温度测量装置包括：辐射温度测量部，其能够在使旋转台以规定的转速旋转的状态下，通过沿旋转台的径向对该旋转台的一表面侧进行扫描来测量沿着该径向形成的多个温度测量区域的温度；温度映射制作部，其根据由辐射温度测量部沿旋转台的径向进行扫描的每次扫描的温度测量区域的数量、及旋转台的规定的转速，确定由辐射温度测量部测量了温度的温度测量区域的地址，将该温度与该地址相关联，存储到存储部；温度数据显示处理部，其根据由温度映射制作部存储在存储部的温度与地址，显示基板的温度分布。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102165100A
公开(公告)日：2011-08-24
申请号：CN200980137865.X
申请日：2009-09-25
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: C23C16/54 , C23C16/455 , H01L21/285 , H01L21/31
CPC classification number: C23C16/54 , C23C16/0245 , C23C16/45551 , C23C16/4583 , H01L21/67005 , H01L21/67173 , H01L21/67201 , H01L21/67346 , H01L21/67706
Abstract: 本发明公开的成膜装置包括：基板输送机构，其设置在真空容器内，并具有队列装环绕输送多个基板载置部的环绕输送通路，该环绕输送通路具有直线状环绕输送该多个基板载置部的直线输送通路；在直线输送通路沿着输送基板载置部的输送方向配置的、对在直线输送通路上输送的多个基板载置部供给第一反应气体的第一反应气体供给部；沿着输送方向与第一反应气体供给部交替配置的、对在直线输送通路上输送的多个基板载置部供给第二反应气体的第二反应气体供给部；和在第一反应气体供给部和第二反应气体供给部之间供给分离气体的分离气体供给部。
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公开(公告)号：CN101322226A
公开(公告)日：2008-12-10
申请号：CN200780000475.9
申请日：2007-03-30
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/31 , C23C16/455
CPC classification number: C23C16/45565 , C23C16/409 , C23C16/4557 , C23C16/45574 , H01L21/31691
Abstract: 本发明提供一种成膜装置，其包括：收容半导体晶片W的处理容器(2)；配置在处理容器(2)内、用于载置半导体晶片W的载置台(5)；设置在与该载置台(5)相对的位置处，用于向处理容器(2)内喷出处理气体的作为处理气体喷出机构的喷淋头(40)；和对处理容器(2)内进行排气的排气装置(101)，喷淋头(40)具有用于导入处理气体的气体流路，并且具有围绕气体流路的环状调温室(400)。
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公开(公告)号：CN106987824B
公开(公告)日：2019-09-03
申请号：CN201611095814.3
申请日：2016-12-02
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: C23C16/455 , C23C16/52
Abstract: 本发明在将包含收容于原料容器内的固体或液体原料气化后的气体的原料气体供给至成膜处理部时，能够以较高的精度对原料容器内的原料的剩余量进行测定。在用于向原料容器供给载气的载气供给通路设置有MFC1，在原料气体供给通路设置有MFM3。在用于向原料气体供给通路供给稀释气体的稀释气体供给通路设置MFC2。从MFM3的测定值减去MFC1测定值与MFC2的测定值的合计值，求取偏差值，从自MFM3的测定值减去MFC1的测定值与MFC2的测定值的合计值而得到的值减去偏差值，求取原料的流量的实测值，并求取原料的重量的实测值。从原料容器内的初期的填充量(新的原料容器的填充量)减去原料的流量的实测值的累计值，测定原料的剩余量。
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公开(公告)号：CN103173741A
公开(公告)日：2013-06-26
申请号：CN201210457407.8
申请日：2009-09-29
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: C23C16/455 , H01L21/67 , H01L21/02 , H01L21/316 , H01L21/314
CPC classification number: C23C16/45544 , B29C66/71 , C23C16/45517 , C23C16/45527 , C23C16/45551 , C23C16/45563 , H01L21/02164 , H01L21/02197 , H01L21/0228 , H01L21/3141 , H01L21/31608 , H01L21/31691
Abstract: 一种成膜装置，通过在真空容器内，多次执行交替地供给第一反应气体和第二反应气体并排气的循环，而在基板的表面将薄膜成膜，其特征在于，具有：设置在上述真空容器内、各自包含基板的载置区域的多个下部件；与上述多个下部件分别对置地设置，在与上述载置区域之间形成处理空间的多个上部件；用于向上述处理空间内供给气体的、第一反应气体供给部、第二反应气体供给部；以及用于在供给上述第一反应气体的时刻和供给第二反应气体的时刻之间供给吹扫气体的吹扫气体供给部；沿上述处理空间的周向形成，用于连通该处理空间内和作为该处理空间的外部的上述真空容器内的环境气氛的排气用开口部；用于将上述处理空间经由上述排气用开口部以及上述真空容器内的环境气氛进行真空排气的真空排气机构。
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公开(公告)号：CN102017096B
公开(公告)日：2012-12-26
申请号：CN200980113887.2
申请日：2009-09-29
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/31 , C23C16/455
CPC classification number: C23C16/45544 , B29C66/71 , C23C16/45517 , C23C16/45527 , C23C16/45551 , C23C16/45563 , H01L21/02164 , H01L21/02197 , H01L21/0228 , H01L21/3141 , H01L21/31608 , H01L21/31691
Abstract: 一种成膜装置，通过在真空容器内，多次执行交替地供给第一反应气体和第二反应气体并排气的循环，而在基板的表面将薄膜成膜，其特征在于，具有：设置在上述真空容器内、各自包含基板的载置区域的多个下部件；与上述多个下部件分别对置地设置，在与上述载置区域之间形成处理空间的多个上部件；用于向上述处理空间内供给气体的、第一反应气体供给部、第二反应气体供给部；以及用于在供给上述第一反应气体的时刻和供给第二反应气体的时刻之间供给吹扫气体的吹扫气体供给部；沿上述处理空间的周向形成，用于连通该处理空间内和作为该处理空间的外部的上述真空容器内的环境气氛的排气用开口部；用于将上述处理空间经由上述排气用开口部以及上述真空容器内的环境气氛进行真空排气的真空排气机构。
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