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公开(公告)号:CN1708739A
公开(公告)日:2005-12-14
申请号:CN200380100227.3
申请日:2003-11-10
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: G05D16/20
Abstract: 该处理装置具有:具有载置被处理体W的载置台(8)的处理容器(4);导入处理气体的气体导入装置(10);供给规定处理气体的处理气体供给系统(14、16、18);供给非活性气体的非活性气体供给系统(12);设置阀开度可以控制的压力控制阀(36)与真空泵(38)的真空排气系统(32);压力计(48)。在进行处理气体的分压重要的处理时,流出固定流量的处理气体,同时根据压力计(48)的检测值控制压力控制阀(36)的阀开度,而在进行处理气体的分压不太重要的处理时,使压力控制阀(36)的阀开度固定为规定值,同时根据压力计(48)的检测值控制非活性气体的供给量。因此,在进行处理压力的范围差异较大的多种处理时,也可以准确地对各个处理时的压力进行控制。
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公开(公告)号:CN102165100A
公开(公告)日:2011-08-24
申请号:CN200980137865.X
申请日:2009-09-25
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: C23C16/54 , C23C16/455 , H01L21/285 , H01L21/31
CPC classification number: C23C16/54 , C23C16/0245 , C23C16/45551 , C23C16/4583 , H01L21/67005 , H01L21/67173 , H01L21/67201 , H01L21/67346 , H01L21/67706
Abstract: 本发明公开的成膜装置包括:基板输送机构,其设置在真空容器内,并具有队列装环绕输送多个基板载置部的环绕输送通路,该环绕输送通路具有直线状环绕输送该多个基板载置部的直线输送通路;在直线输送通路沿着输送基板载置部的输送方向配置的、对在直线输送通路上输送的多个基板载置部供给第一反应气体的第一反应气体供给部;沿着输送方向与第一反应气体供给部交替配置的、对在直线输送通路上输送的多个基板载置部供给第二反应气体的第二反应气体供给部;和在第一反应气体供给部和第二反应气体供给部之间供给分离气体的分离气体供给部。
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公开(公告)号:CN100377319C
公开(公告)日:2008-03-26
申请号:CN03817478.2
申请日:2003-08-25
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/31 , C23C16/448
CPC classification number: H01L21/67017 , C23C16/4481 , Y10T137/0324
Abstract: 本发明提供一种可以将在材料贮存槽内产生的原料气体几乎不产生压力损失地供给至处理装置的处理系统。该处理系统具有,为了对被处理体W实施预定处理,设置有向处理容器26内喷射由低蒸汽压的金属化合物M所形成的预定原料气体的气体喷射装置42的处理装置22;和向所述气体喷射装置供给所述预定原料气体的气体供给装置24。所述气体喷射装置是喷射头部,所述气体供给装置具备,从所述喷射头部向上方延伸的气体通路56;安装于所述气体通路的上端部,且内部收容所述金属化合物材料的材料贮存槽58;和开闭所述气体通路的开关阀60;在所述材料贮存槽中设置有用于向其导入载体气体的第一载体气体供给装置。
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公开(公告)号:CN100458629C
公开(公告)日:2009-02-04
申请号:CN200380100227.3
申请日:2003-11-10
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: G05D16/20
Abstract: 该处理装置具有:具有载置被处理体W的载置台(8)的处理容器(4);导入处理气体的气体导入装置(10);供给规定处理气体的处理气体供给系统(14、16、18);供给非活性气体的非活性气体供给系统(12);设置阀开度可以控制的压力控制阀(36)与真空泵(38)的真空排气系统(32);压力计(48)。在进行处理气体的分压重要的处理时,流出固定流量的处理气体,同时根据压力计(48)的检测值控制压力控制阀(36)的阀开度,而在进行处理气体的分压不太重要的处理时,使压力控制阀(36)的阀开度固定为规定值,同时根据压力计(48)的检测值控制非活性气体的供给量。因此,在进行处理压力的范围差异较大的多种处理时,也可以准确地对各个处理时的压力进行控制。
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公开(公告)号:CN1672247A
公开(公告)日:2005-09-21
申请号:CN03817478.2
申请日:2003-08-25
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/31 , C23C16/448
CPC classification number: H01L21/67017 , C23C16/4481 , Y10T137/0324
Abstract: 本发明提供一种可以将在材料贮存槽内产生的原料气体几乎不产生压力损失地供给至处理装置的处理系统。该处理系统具有,为了对被处理体W实施预定处理,设置有向处理容器26内喷射由低蒸汽压的金属化合物M所形成的预定原料气体的气体喷射装置42的处理装置22;和向所述气体喷射装置供给所述预定原料气体的气体供给装置24。所述气体喷射装置是喷射头部,所述气体供给装置具备,从所述喷射头部向上方延伸的气体通路56;安装于所述气体通路的上端部,且内部收容所述金属化合物材料的材料贮存槽58;开闭所述气体通路的开关阀60。
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