公开(公告)号：CN104471106B

公开(公告)日：2017-06-30

申请号：CN201380035584.X

申请日：2013-06-11

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 大仓成幸 ,  山中孟

IPC: C23C16/448 ,  H01L21/31 ,  H01L21/316

CPC classification number: C23C16/52 ,  C23C16/4412 ,  C23C16/4481 ,  C23C16/45512 ,  C23C16/45561

Abstract: 在步骤1的升压步骤中，利用PCV(54)对原料容器(60)内供给运载气体，使原料容器(60)内上升至第一压力P1。在步骤2的降压步骤中，使排气装置(35)工作，从原料气体供给管(71)经由排气旁通管(75)将原料气体废弃，使原料容器(60)内下降至作为第二压力的压力P2。在步骤3的稳定化步骤中，一边将运载气体导入原料容器(60)内，一边使排气装置(35)工作，从原料气体供给管(71)经由排气旁通管(75)将原料气体废弃，使原料容器(60)内的原料气化的气化效率(k)稳定化。在步骤4的成膜步骤中，经由原料气体供给管(71)将原料气体供给到处理容器(1)内，利用CVD法使薄膜沉积在晶片(W)上。

公开(公告)号：CN104947082B

公开(公告)日：2018-03-30

申请号：CN201510142689.6

申请日：2015-03-27

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 诸井政幸 ,  山中孟 ,  饗场康 ,  堀田隼史

IPC: C23C16/455

CPC classification number: C23C16/45557 ,  C23C16/08 ,  C23C16/4481 ,  C23C16/45544 ,  C23C16/52

Abstract: 本发明以短时间且大流量供给由液体原料或固体原料生成的原料气体，并且避免原料的浪费。具备：收纳固体状或液体状的原料的原料容器(1)；在原料容器(1)中加热原料的加热器(2)；向原料容器(1)内供给载气的载气供给配管(3)；控制载气的流量的流量控制器(4)；向腔室(10)供给原料气体的原料气体供给配管(5)；设置于原料气体供给配管(5)的腔室(10)附近的原料气体供给·切断阀(6)；和气体供给控制器(8)，进行控制使得：控制流量控制器(4)，并且在关闭原料气体供给·切断阀(6)的状态下，通过流通载气，使原料容器(1)和原料气体供给配管(5)成为高压状态之后，打开原料气体供给·切断阀(6)。

公开(公告)号：CN104947082A

公开(公告)日：2015-09-30

申请号：CN201510142689.6

申请日：2015-03-27

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 诸井政幸 ,  山中孟 ,  饗场康 ,  堀田隼史

IPC: C23C16/455

CPC classification number: C23C16/45557 ,  C23C16/08 ,  C23C16/4481 ,  C23C16/45544 ,  C23C16/52

Abstract: 本发明以短时间且大流量供给由液体原料或固体原料生成的原料气体，并且避免原料的浪费。具备：收纳固体状或液体状的原料的原料容器(1)；在原料容器(1)中加热原料的加热器(2)；向原料容器(1)内供给载气的载气供给配管(3)；控制载气的流量的流量控制器(4)；向腔室(10)供给原料气体的原料气体供给配管(5)；设置于原料气体供给配管(5)的腔室(10)附近的原料气体供给·切断阀(6)；和气体供给控制器(8)，进行控制使得：控制流量控制器(4)，并且在关闭原料气体供给·切断阀(6)的状态下，通过流通载气，使原料容器(1)和原料气体供给配管(5)成为高压状态之后，打开原料气体供给·切断阀(6)。

公开(公告)号：CN104471106A

公开(公告)日：2015-03-25

申请号：CN201380035584.X

申请日：2013-06-11

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 大仓成幸 ,  山中孟

IPC: C23C16/448 ,  H01L21/31 ,  H01L21/316

CPC classification number: C23C16/52 ,  C23C16/4412 ,  C23C16/4481 ,  C23C16/45512 ,  C23C16/45561 ,  C23C16/4482

Abstract: 在步骤1的升压步骤中，利用PCV(54)对原料容器(60)内供给运载气体，使原料容器(60)内上升至第一压力P1。在步骤2的降压步骤中，使排气装置(35)工作，从原料气体供给管(71)经由排气旁通管(75)将原料气体废弃，使原料容器(60)内下降至作为第二压力的压力P2。在步骤3的稳定化步骤中，一边将运载气体导入原料容器(60)内，一边使排气装置(35)工作，从原料气体供给管(71)经由排气旁通管(75)将原料气体废弃，使原料容器(60)内的原料气化的气化效率(k)稳定化。在步骤4的成膜步骤中，经由原料气体供给管(71)将原料气体供给到处理容器(1)内，利用CVD法使薄膜沉积在晶片(W)上。