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公开(公告)号：CN101432866B
公开(公告)日：2011-05-25
申请号：CN200780015403.1
申请日：2007-05-16
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Inventor： 花田良幸
IPC: H01L21/66
CPC classification number: H01L21/67207 , G06T7/001 , G06T2207/30148 , H01L21/67288 , H01L21/681 , H01L21/68742
Abstract: 本发明提供缺陷分布图案的对照方法和装置。本发明的对照装置包括缺陷检查部(72)、基准图案存储部(74)、图案对照部(76)、对照结果处理部(78)、和输出部(80)。检查部(72)对由处理系统处理的半导体晶片等被处理体进行检测，得到在其表面产生的缺陷的分布图案。存储部(74)预先存储表示在处理系统中与被处理体接触或接近的特定部分的特征形状的基准图案。对照部(76)对由检查部(72)得到的缺陷的分布图案和存储在存储部(74)中的基准图案进行对照。对照结果处理部(78)基于对照部(76)的对照，求取两图案的一致度。输出部(80)将求得的一致度通过显示器(80A)等输出。
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公开(公告)号：CN101331596B
公开(公告)日：2010-06-02
申请号：CN200780000687.7
申请日：2007-05-28
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Inventor： 花田良幸
IPC: H01L21/31 , H01L21/205 , C23C16/455
CPC classification number: C23C16/52 , C23C16/45525 , C23C16/45544 , C23C16/45574 , H01L21/68742 , Y10T29/49826
Abstract: 本发明提供一种能够迅速且同时从各气体喷射孔进行气体的供给开始和供给停止的气体导入装置(24)，其被配置在可排气的处理容器(22)内，具备与处理容器内相对设置的气体导入头体(110)。在气体导入头体上设置有用于供给气体流动的供给气体流路(112)、排气流路(114)、用于控制气体流动的控制气体流路(116)、设置在导入头体的与处理容器相对面上的多个气体喷射孔(28)。另外，在气体导入头体(18)上设置有与供给气体流路、排气流路和控制气体流路连通并且与气体喷射孔对应设置的纯流体逻辑元件(118)。
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公开(公告)号：CN101432866A
公开(公告)日：2009-05-13
申请号：CN200780015403.1
申请日：2007-05-16
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Inventor： 花田良幸
IPC: H01L21/66
CPC classification number: H01L21/67207 , G06T7/001 , G06T2207/30148 , H01L21/67288 , H01L21/681 , H01L21/68742
Abstract: 本发明提供缺陷分布图案的对照方法和装置。本发明的对照装置包括缺陷检查部(72)、基准图案存储部(74)、图案对照部(76)、对照结果处理部(78)、和输出部(80)。检查部(72)对由处理系统处理的半导体晶片等被处理体进行检测，得到在其表面产生的缺陷的分布图案。存储部(74)预先存储表示在处理系统中与被处理体接触或接近的特定部分的特征形状的基准图案。对照部(76)对由检查部(72)得到的缺陷的分布图案和存储在存储部(74)中的基准图案进行对照。对照结果处理部(78)基于对照部(76)的对照，求取两图案的一致度。输出部(80)将求得的一致度通过显示器(80A)等输出。
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公开(公告)号：CN101331596A
公开(公告)日：2008-12-24
申请号：CN200780000687.7
申请日：2007-05-28
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Inventor： 花田良幸
IPC: H01L21/31 , H01L21/205 , C23C16/455
CPC classification number: C23C16/52 , C23C16/45525 , C23C16/45544 , C23C16/45574 , H01L21/68742 , Y10T29/49826
Abstract: 本发明提供一种能够迅速且同时从各气体喷射孔进行气体的供给开始和供给停止的气体导入装置(24)，其被配置在可排气的处理容器(22)内，具备与处理容器内相对设置的气体导入头体(110)。在气体导入头体上设置有用于供给气体流动的供给气体流路(112)、排气流路(114)、用于控制气体流动的控制气体流路(116)、设置在导入头体的与处理容器相对面上的多个气体喷射孔(28)。另外，在气体导入头体(18)上设置有与供给气体流路、排气流路和控制气体流路连通并且与气体喷射孔对应设置的纯流体逻辑元件(118)。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1533447A
公开(公告)日：2004-09-29
申请号：CN03800692.8
申请日：2003-02-20
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: C23C16/455
CPC classification number: C23C16/45574 , C23C16/45514 , C23C16/45565
Abstract: 本发明的气体喷头，它与基板的表面相对地设置，同时，在与上述基板相对的表面上设置多个孔，从气体供给通路送出的多种成膜气体可通过这些孔同时供给上述基板，该气体喷头具有喷头本体和多个气体流路，该喷头本体有多个金属构件，通过在将该多个金属构件上下重合的状态下，在给定的温度条件下加热，各个金属构件的接触面彼此可以在局部金属扩散接合，该多个气体流路横切贯通上述喷头本体内的上述接触面，而且可使每种成膜气体均不混合地独立地形成，上述温度条件是通过之后的再加热，局部地金属扩散接合的部分可分离的温度条件。
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公开(公告)号：CN102165100A
公开(公告)日：2011-08-24
申请号：CN200980137865.X
申请日：2009-09-25
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: C23C16/54 , C23C16/455 , H01L21/285 , H01L21/31
CPC classification number: C23C16/54 , C23C16/0245 , C23C16/45551 , C23C16/4583 , H01L21/67005 , H01L21/67173 , H01L21/67201 , H01L21/67346 , H01L21/67706
Abstract: 本发明公开的成膜装置包括：基板输送机构，其设置在真空容器内，并具有队列装环绕输送多个基板载置部的环绕输送通路，该环绕输送通路具有直线状环绕输送该多个基板载置部的直线输送通路；在直线输送通路沿着输送基板载置部的输送方向配置的、对在直线输送通路上输送的多个基板载置部供给第一反应气体的第一反应气体供给部；沿着输送方向与第一反应气体供给部交替配置的、对在直线输送通路上输送的多个基板载置部供给第二反应气体的第二反应气体供给部；和在第一反应气体供给部和第二反应气体供给部之间供给分离气体的分离气体供给部。
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公开(公告)号：CN101031527B
公开(公告)日：2010-06-23
申请号：CN200680000905.2
申请日：2006-08-23
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Inventor： 花田良幸
IPC: C04B35/64 , H05B3/02 , H01L21/683
CPC classification number: H01L21/67103 , C04B35/581 , C04B35/645 , C04B2235/3208 , C04B2235/3225 , C04B2235/3409 , C04B2235/3804 , C04B2235/656 , C04B2235/66 , C04B2235/75 , C04B2235/96 , C04B2235/9615 , H01L21/68757 , H05B3/143
Abstract: 本发明的作为陶瓷加热器而构成的晶片载置台(11)，具有对作为易于成为破坏起点部位的发热体(13)进行供电的供电部(14)以及与支撑部件(12)接合的接合部(16)。而且，构成为使压缩应力产生于这些易于成为破坏起点部位的供电终端部(14)以及/或者接合部(16)上。
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公开(公告)号：CN101031527A
公开(公告)日：2007-09-05
申请号：CN200680000905.2
申请日：2006-08-23
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Inventor： 花田良幸
IPC: C04B35/64 , H05B3/02 , H01L21/683
CPC classification number: H01L21/67103 , C04B35/581 , C04B35/645 , C04B2235/3208 , C04B2235/3225 , C04B2235/3409 , C04B2235/3804 , C04B2235/656 , C04B2235/66 , C04B2235/75 , C04B2235/96 , C04B2235/9615 , H01L21/68757 , H05B3/143
Abstract: 本发明的作为陶瓷加热器而构成的晶片载置台(11)，具有对作为易于成为破坏起点部位的发热体(13)进行供电的供电部(14)以及与支撑部件(12)接合的接合部(16)。而且，构成为使压缩应力产生于这些易于成为破坏起点部位的供电终端部(14)以及/或者接合部(16)上。
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公开(公告)号：CN1250767C
公开(公告)日：2006-04-12
申请号：CN03800692.8
申请日：2003-02-20
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: C23C16/455
CPC classification number: C23C16/45574 , C23C16/45514 , C23C16/45565
Abstract: 本发明的气体喷头，它与基板的表面相对地设置，同时，在与上述基板相对的表面上设置多个孔，从气体供给通路送出的多种成膜气体可通过这些孔同时供给上述基板，该气体喷头具有喷头本体和多个气体流路，该喷头本体有多个金属构件，通过在将该多个金属构件上下重合的状态下，在给定的温度条件下加热，各个金属构件的接触面彼此可以在局部金属扩散接合，该多个气体流路横切贯通上述喷头本体内的上述接触面，而且可使每种成膜气体均不混合地独立地形成，上述温度条件是通过之后的再加热，局部地金属扩散接合的部分可分离的温度条件。
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