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公开(公告)号：CN101213320A
公开(公告)日：2008-07-02
申请号：CN200680024112.4
申请日：2006-06-23
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: C23C16/14 , H01L21/285 , H01L21/768
CPC classification number: C23C16/14 , C23C16/45527 , H01L21/28562 , H01L21/76856 , H01L21/76876 , H01L21/76877
Abstract: 本发明提供形成比现有技术中电阻率更小，在与基底的阻挡层的临界部分氟浓度更低，与阻挡层的密接性更高的钨膜的方法。具有向处理容器14内的晶片M供给含硅气体的工序、在该工序之后，通过交替重复进行供给含钨气体的含钨气体供给步骤与供给不含硅的氢化物气体的氢化物气体供给步骤，并在两步骤之间插入向所述处理容器内供给惰性气体的清扫步骤和/或将所述处理容器抽真空的抽真空步骤，形成第一钨膜的工序。
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公开(公告)号：CN106191815A
公开(公告)日：2016-12-07
申请号：CN201610364429.8
申请日：2016-05-27
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: C23C16/455 , C23C16/14
CPC classification number: C23C16/045 , C23C16/14 , C23C16/45527 , H01L21/28562 , H01L21/76877 , H01L27/11582 , C23C16/45523
Abstract: 本发明提供一种金属膜的成膜方法。在使用氯化物原料在具有复杂形状部分和平坦形状部分的被处理基板上形成金属膜的情况下，能够在任何部分都形成膜。在该金属膜的成膜方法中，隔着被保持在减压气氛下的腔室内的吹扫，在按顺序向腔室内供给作为原料气体的金属氯化物气体以及对金属氯化物进行还原的还原气体而在配置于所述腔室内的具有复杂形状部分和平坦形状部分的被处理基板形成金属膜时，交替地实施相对地减少金属氯化物原料的供给量而形成第一金属膜的工序和相对地增多金属氯化物原料的供给量而形成第二金属膜的工序。
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公开(公告)号：CN104947065A
公开(公告)日：2015-09-30
申请号：CN201510142640.0
申请日：2015-03-27
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: C23C16/14
CPC classification number: H01L21/76883 , H01L21/28556 , H01L21/28562 , H01L21/32135 , H01L21/76877 , H01L21/76879 , H01L23/53257 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明不使工序变得繁杂且即使微细化也不对基底产生恶劣影响，并且以高生产量形成消除了埋入部分的孔隙或接缝的钨膜。在腔室内配置具有孔的晶片，同时或交替供给WCl6气体和H2气体，将晶片加热并使这些气体反应，在孔内形成钨的埋入部(步骤1)，接着，向腔室内供给WCl6气体，对埋入部的上部进行蚀刻，形成开口(步骤2)，接着，向腔室内同时或交替供给WCl6气体和还原气体，将晶片加热并使WCl6气体和还原气体反应，对具有形成有开口的埋入部的晶片形成钨膜(步骤3)。
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公开(公告)号：CN110808228B
公开(公告)日：2023-05-26
申请号：CN201910716800.6
申请日：2019-08-05
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/762 , H01L21/306
Abstract: 本发明提供能够抑制有机绝缘膜的表面粗糙的蚀刻方法和半导体器件的制造方法。该蚀刻方法的特征在于：通过在层叠于层叠结构之上的有机绝缘膜设置的开口对该层叠结构进行蚀刻，其中所述层叠结构是将至少1层氧化硅膜和至少1层氮化硅膜层叠而形成的，上述蚀刻方法包括：第一步骤，其利用由CF系气体和含有氧原子的气体构成的第一处理气体而生成的等离子体，通过上述开口来蚀刻上述层叠结构；和第二步骤，其利用等离子体，通过上述开口对上述层叠结构进行蚀刻，其中上述等离子体是利用由CF系气体和稀有气体构成的或者由CHF系气体和稀有气体构成的第二处理气体而生成的。
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公开(公告)号：CN106191815B
公开(公告)日：2019-07-30
申请号：CN201610364429.8
申请日：2016-05-27
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: C23C16/455 , C23C16/14
CPC classification number: C23C16/045 , C23C16/14 , C23C16/45527 , H01L21/28562 , H01L21/76877 , H01L27/11582
Abstract: 本发明提供一种金属膜的成膜方法。在使用氯化物原料在具有复杂形状部分和平坦形状部分的被处理基板上形成金属膜的情况下，能够在任何部分都形成膜。在该金属膜的成膜方法中，隔着被保持在减压气氛下的腔室内的吹扫，在按顺序向腔室内供给作为原料气体的金属氯化物气体以及对金属氯化物进行还原的还原气体而在配置于所述腔室内的具有复杂形状部分和平坦形状部分的被处理基板形成金属膜时，交替地实施相对地减少金属氯化物原料的供给量而形成第一金属膜的工序和相对地增多金属氯化物原料的供给量而形成第二金属膜的工序。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN105369213A
公开(公告)日：2016-03-02
申请号：CN201510490838.8
申请日：2015-08-11
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: C23C16/14 , C23C16/455
CPC classification number: C23C16/14 , C23C16/4488 , C23C16/45534
Abstract: 本发明提供一种钨膜的成膜方法。在使用WCl6气体作为原料气体并通过顺序供给气体而形成钨膜的情况下，以足够的堆积速度将钨膜成膜。对收纳有被处理基板并且保持在减压环境下的腔室内，顺序供给作为钨原料气体的WCl6气体、由含有氢的还原性气体构成的还原气体和吹扫气体，由此在被处理基板的表面形成钨膜。在供给WCl6气体时同时供给Cl2气体或者同时供给还原气体。
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公开(公告)号：CN104947082A
公开(公告)日：2015-09-30
申请号：CN201510142689.6
申请日：2015-03-27
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: C23C16/455
CPC classification number: C23C16/45557 , C23C16/08 , C23C16/4481 , C23C16/45544 , C23C16/52
Abstract: 本发明以短时间且大流量供给由液体原料或固体原料生成的原料气体，并且避免原料的浪费。具备：收纳固体状或液体状的原料的原料容器(1)；在原料容器(1)中加热原料的加热器(2)；向原料容器(1)内供给载气的载气供给配管(3)；控制载气的流量的流量控制器(4)；向腔室(10)供给原料气体的原料气体供给配管(5)；设置于原料气体供给配管(5)的腔室(10)附近的原料气体供给·切断阀(6)；和气体供给控制器(8)，进行控制使得：控制流量控制器(4)，并且在关闭原料气体供给·切断阀(6)的状态下，通过流通载气，使原料容器(1)和原料气体供给配管(5)成为高压状态之后，打开原料气体供给·切断阀(6)。
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公开(公告)号：CN101899649A
公开(公告)日：2010-12-01
申请号：CN200910253445.X
申请日：2006-06-23
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: C23C16/14 , C23C16/455
CPC classification number: C23C16/14 , C23C16/45527 , H01L21/28562 , H01L21/76856 , H01L21/76876 , H01L21/76877
Abstract: 本发明提供一种钨膜的形成方法，用于在处理容器内的被处理体上形成钨膜。该钨膜形成方法包括：向处理容器中供给SiH4气体的初始化工序；交替重复进行向处理容器中供给WF6气体的步骤和向处理容器中供给B2H6气体的步骤，并在两步骤之间插入向处理容器中供给惰性气体的清扫步骤，在被处理体的表面形成第一钨膜的第一钨膜形成工序；和向处理容器中同时供给WF6气体和H2气体，在第一钨膜上形成第二钨膜的第二钨膜形成工序；其中，在清扫步骤期间，设置停止惰性气体的供给、对处理容器进行真空排气的时间，使第一钨膜成为无定形体状态，由此增大第二钨膜的颗粒尺寸。
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公开(公告)号：CN1989271A
公开(公告)日：2007-06-27
申请号：CN200580024960.0
申请日：2005-08-25
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: C23C16/458 , H01L21/285 , H01L21/28
CPC classification number: H01L21/67115 , C23C16/45521 , C23C16/4585 , H01L21/68721 , H01L21/6875
Abstract: 本发明提供一种成膜装置(20)，具备处理容器(22)；向该容器内供给含有成膜气体的处理气体的气体供给系统；和对容器内的气氛进行排气的排气系统。在处理容器内，设置有具有载置平板状被处理体(W)的载置面的载置台(46)。以加热器(80)加热该载置台上的被处理体。设置有与被处理体表面周边部分接触/分离，相对于载置台挤压/释放被处理体的压紧装置(56)。在载置台的载置面上形成于具有凹部(94)的吸附结构(92)，用于在与被处理体的背面之间形成几乎密闭的空间，利用差压暂时吸附该被处理体。
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公开(公告)号：CN110808228A
公开(公告)日：2020-02-18
申请号：CN201910716800.6
申请日：2019-08-05
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/762 , H01L21/306
Abstract: 本发明提供能够抑制有机绝缘膜的表面粗糙的蚀刻方法和半导体器件的制造方法。该蚀刻方法的特征在于：通过在层叠于层叠结构之上的有机绝缘膜设置的开口对该层叠结构进行蚀刻，其中所述层叠结构是将至少1层氧化硅膜和至少1层氮化硅膜层叠而形成的，上述蚀刻方法包括：第一步骤，其利用由CF系气体和含有氧原子的气体构成的第一处理气体而生成的等离子体，通过上述开口来蚀刻上述层叠结构；和第二步骤，其利用等离子体，通过上述开口对上述层叠结构进行蚀刻，其中上述等离子体是利用由CF系气体和稀有气体构成的或者由CHF系气体和稀有气体构成的第二处理气体而生成的。
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