公开(公告)号：CN112178332B

公开(公告)日：2022-05-27

申请号：CN202010578342.7

申请日：2020-06-23

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 饭塚八城 ,  渡边将久 ,  我妻雄一郎

IPC: F16L39/00 ,  C23C14/56 ,  H01L21/67

Abstract: 本发明提供密封结构、真空处理装置和密封方法。在真空气氛下进行基片的处理的处理腔室所连接的气体供给配管的密封结构，其包括：第1配管部件，其构成上述气体供给配管，具有形成有与处理腔室连通的开口部的端面；第2配管部件，其构成上述气体供给配管，具有被配置在与上述第1配管部件的端面对置的位置的对置面；弹性体制的密封部件，其以包围上述开口部的方式设置在上述第1配管部件的端面与上述第2配管部件的对置面之间；和片状的多孔部件，其以包围上述密封部件的周围的方式设置在上述第1配管部件的端面与上述第2配管部件的对置面之间。本发明在使用弹性体制的密封部件进行密封时，能够抑制大气透过。

公开(公告)号：CN102456531B

公开(公告)日：2014-10-08

申请号：CN201110332469.1

申请日：2011-10-27

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 饭塚八城

IPC: H01J37/32

CPC classification number: H01J37/321 ,  H01J37/3211 ,  H01J37/3244 ,  H01J37/32458 ,  H01J37/32522

Abstract: 本发明提供一种与过去相比能够提高处理的面内均一性的等离子体处理装置。本发明是在处理腔室内产生感应耦合等离子体并对被收纳在处理腔室内的基板进行处理的等离子体处理装置，它包括：具有上部开口，且形成容器状的处理腔室主体；将直径各异的多个环状的电介质部件和金属部件成同心圆状交互地组合而成，且具有气密密封电介质部件和金属部件之间的顶板部，以覆盖上部开口的方式而设的上盖；设置于上盖的金属部件的部分，且用来向处理腔室内供给处理气体的多个气体导入机构；和设置于处理腔室外的电介质部件的上部的高频线圈。

公开(公告)号：CN102142357B

公开(公告)日：2013-05-29

申请号：CN201010579401.9

申请日：2010-12-03

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 饭塚八城

IPC: H01L21/00 ,  H01J37/32

CPC classification number: H01J37/32623 ,  C23C16/45563 ,  C23C16/4558 ,  H01J37/32091 ,  H01J37/3244 ,  H01J37/32568 ,  H01L21/6719

Abstract: 本发明提供一种等离子处理装置。与以往相比能提高处理的面内均匀性，并能削减处理腔室内无用的空间而谋求装置的小型化，而且能容易地改变上部电极和下部电极的间隔。该等离子处理装置包括：上部电极，其与下部电极相对地设置于处理腔室内，自设置于相对面的多个气体喷出孔供给气体，且能够上下运动；盖体，其设置于上部电极的上侧并气密地闭塞处理腔室的上部开口；多个排气孔，其形成于相对面；环状构件，其沿上部电极的周缘部设置，能与上部电极连动地上下移动，在其下降位置形成由环状构件、下部电极和上部电极围成的处理空间；多个环状构件气体喷出孔，其开口于环状构件的内壁部分；多个环状构件排气孔，其开口于环状构件的内壁部分。

公开(公告)号：CN102263025A

公开(公告)日：2011-11-30

申请号：CN201110142111.2

申请日：2011-05-26

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 饭塚八城

IPC: H01L21/3065

CPC classification number: H01J37/32449 ,  H01J37/321 ,  H01J37/3244 ,  H01J2237/3343 ,  Y10T137/8593

Abstract: 本发明提供一种与现有技术相比能够提高处理的面内均一性的等离子体处理装置及其处理气体供给机构。它是一种在处理腔内发生电感耦合等离子体然后对被收纳在处理腔内的基板进行处理的等离子体处理装置，它具备：以覆盖处理腔的上部开口的方式设置，且具备电介质窗的上盖；设置于处理腔外的电介质窗的上部的高频线圈；以位于电介质窗的内侧的方式被支承于上盖，采用层叠具有透孔的多个板体而成的层叠体构成，通过设置于板体之间或者板体与电介质窗之间且其端部向透孔的边缘部开口的多个槽状的气体通道，从多个部位朝着水平方向向处理腔内供给处理气体的气体供给机构。

公开(公告)号：CN101374973B

公开(公告)日：2011-11-30

申请号：CN200780003326.8

申请日：2007-03-30

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 饭塚八城

IPC: C23C16/455 ,  C23C16/46 ,  H01L21/31 ,  H01L21/683

CPC classification number: H01L21/68757 ,  C23C16/45561 ,  C23C16/45565 ,  C23C16/4557 ,  C23C16/45572 ,  C23C16/45574 ,  C23C16/4585 ,  C23C16/46

Abstract: 本发明提供一种成膜装置，其包括：收容半导体晶片W的处理容器(2)；配置在处理容器(2)内、用于载置半导体晶片W的载置台(5)；设置在与该载置台(5)相对的位置处，用于向处理容器(2)内喷出处理气体的作为处理气体喷出机构的喷淋头(40)；和对处理容器(2)内进行排气的排气装置(101)，基板载置台(5)具有载置台主体(5a)；和热遮蔽体(200)，该热遮蔽体(200)被设置在与载置台主体(5a)的载置半导体晶片W的区域相比位于更外侧的区域，用于降低从载置台主体向喷淋头(40)的热扩散。

公开(公告)号：CN101540273B

公开(公告)日：2011-06-22

申请号：CN200910127260.4

申请日：2009-03-12

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 饭塚八城

IPC: H01L21/00 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/311 ,  H01L21/3213 ,  C23F4/00 ,  H05H1/24

CPC classification number: C23C16/45565 ,  C23C16/4412 ,  C23C16/45574 ,  H01J37/3244 ,  H01J37/32449

Abstract: 本发明提供一种喷淋头以及基板处理装置，与以往相比能够提高处理的均一性，并能够实现装置的小型化，另外能够迅速且准确地调整处理空间内的压力。该喷淋头(100)由将下侧部件(1)、中间部件(2)和上侧部件(3)层叠的层叠体(10)构成。在下侧部件(1)上形成多个气体喷出孔(11)，从第一气体喷出孔(11)朝向基板以喷淋状供给第一气体。在上侧部件(3)上形成多个第二气体喷出孔(21)，从第二气体喷出孔(21)朝向基板的相反侧以喷淋状供给第二气体。在层叠体(10)上贯通该层叠体(10)形成多个排气孔(31)，从这些排气孔(31)进行排气。

公开(公告)号：CN101540273A

公开(公告)日：2009-09-23

申请号：CN200910127260.4

申请日：2009-03-12

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 饭塚八城

IPC: H01L21/00 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/311 ,  H01L21/3213 ,  C23F4/00 ,  H05H1/24

CPC classification number: C23C16/45565 ,  C23C16/4412 ,  C23C16/45574 ,  H01J37/3244 ,  H01J37/32449

Abstract: 本发明提供一种喷淋头以及基板处理装置，与以往相比能够提高处理的均一性，并能够实现装置的小型化，另外能够迅速且准确地调整处理空间内的压力。该喷淋头(100)由将下侧部件(1)、中间部件(2)和上侧部件(3)层叠的层叠体(10)构成。在下侧部件(1)上形成多个气体喷出孔(11)，从第一气体喷出孔(11)朝向基板以喷淋状供给第一气体。在上侧部件(3)上形成多个第二气体喷出孔(21)，从第二气体喷出孔(21)朝向基板的相反侧以喷淋状供给第二气体。在层叠体(10)上贯通该层叠体(10)形成多个排气孔(31)，从这些排气孔(31)进行排气。

公开(公告)号：CN100485870C

公开(公告)日：2009-05-06

申请号：CN200580019315.X

申请日：2005-08-12

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 饭塚八城 ,  安室章 ,  木村宏一郎 ,  辻德彦

IPC: H01L21/205 ,  C23C16/44

Abstract: 本发明提供一种成膜装置，其具有：供给由液体或气液混合物构成的原料的原料供给部；使原料气化并生成原料气体的原料气化部；和使用生成的原料气体进行成膜处理的成膜部，其中在从原料气化部至成膜部的导入部分的原料气体的输送路径的途中配置有过滤器(153)。过滤器(153)的外缘(153a)，利用相对于按压方向的负载比上述外缘(153a)难变形的环状支撑部件(158)，遍及其全周相对于输送路径的内面进行按压，在输送路径的内面与支撑部件(158)之间被压缩的状态下，固定在输送路径的内面上。

公开(公告)号：CN100367471C

公开(公告)日：2008-02-06

申请号：CN200480000341.3

申请日：2004-05-11

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 饭塚八城

IPC: H01L21/31 ,  C23C16/448

Abstract: 一种气化器，具有气化液体原料来形成气体原料的气化室(110)。为了向气化室喷雾液体原料，配设喷雾部(120)。为了从气化室向气体出口(131SO)送出气体原料，配设送出部(130)。配设用于加热气化器的加热部(112、132)。送出部(130)具有过滤部件(133)，其覆盖气体出口使得通过气体原料。在气体出口的相反侧配设覆盖过滤部件的遮挡板(134)。

公开(公告)号：CN1993805A

公开(公告)日：2007-07-04

申请号：CN200580026440.3

申请日：2005-10-18

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 安室章 ,  饭塚八城

IPC: H01L21/205 ,  C23C16/448 ,  G01F23/28

CPC classification number: C23C16/4481 ,  C23C16/409 ,  C23C16/4485 ,  C23C16/52 ,  C30B25/14 ,  G01F23/2962 ,  G01F23/2968 ,  Y10T137/2931

Abstract: 半导体制造装置包括：包含收容液体材料的容器(Xb、Ab、Bb、Cb)，从该容器供给上述液体材料的液体材料供给部；使由上述液体材料供给部供给的上述液体材料气化而生成气体的液体气化部；使用由上述液体气化部供给的上述气体进行成膜处理的处理部；对上述处理部进行排气的排气部；以及配置在上述容器的底部，利用声波检测上述液体材料的液位的液位检测器(Xs、As、Bs、Cs)。