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公开(公告)号：CN110998260A
公开(公告)日：2020-04-10
申请号：CN201880052425.3
申请日：2018-07-11
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Abstract: 公开了用于光学发射测量的方法、系统和装置。该装置包括用于通过设置在等离子体处理室的壁处的光学窗口来收集等离子体光学发射谱的收集系统。光学系统包括：镜，其被配置成穿过等离子体处理室扫描多条不重合射线；以及远心耦合器，其用于从等离子体收集光学信号并将该光学信号引导至用于测量等离子体光学发射谱的光谱仪。
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公开(公告)号：CN110998260B
公开(公告)日：2022-04-12
申请号：CN201880052425.3
申请日：2018-07-11
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Abstract: 公开了用于光学发射测量的方法、系统和装置。该装置包括用于通过设置在等离子体处理室的壁处的光学窗口来收集等离子体光学发射谱的收集系统。光学系统包括：镜，其被配置成穿过等离子体处理室扫描多条不重合射线；以及远心耦合器，其用于从等离子体收集光学信号并将该光学信号引导至用于测量等离子体光学发射谱的光谱仪。
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公开(公告)号：CN112106182A
公开(公告)日：2020-12-18
申请号：CN201980031247.0
申请日：2019-03-18
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/67 , H01L21/687 , H01L21/683 , H01L21/66
Abstract: 本披露涉及一种大批量生产系统，用于在不离开该系统的受控环境(例如，亚大气压)的情况下按半导体加工序列加工和测量工件。系统加工室经由搬送室相互连接，这些搬送室用于在该受控环境中在加工室之间移动这些工件。这些搬送室包括带有专用工件支撑吸盘的测量区域，这些吸盘能够在测量期间平移和/或旋转工件。
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公开(公告)号：CN112514043A
公开(公告)日：2021-03-16
申请号：CN201980050131.1
申请日：2019-07-23
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/67 , H01L21/66 , H01L21/3065 , G01N21/95 , G01N21/88
Abstract: 提供了一种用于在等离子体加工室中进行原位蚀刻监测的装置、系统和方法。该装置包括连续波宽带光源、照射系统、收集系统和处理电路，该连续波宽带光源用于产生入射光束，该照射系统被配置为照射衬底上的区域，其中入射光束以正入射被引导到该衬底，该收集系统被配置为收集从该衬底上的照射区域反射的反射光束，并且将该反射光束引导到检测器。该处理电路被配置为处理该反射光束以抑制背景光，基于参考光束和被处理以抑制该背景光的该反射光束来确定该衬底或形成在其上的结构的性能，并且基于所确定的性能来控制蚀刻过程。
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公开(公告)号：CN110546749A
公开(公告)日：2019-12-06
申请号：CN201880026624.7
申请日：2018-03-13
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/67 , H01L21/3065 , H01L21/66
Abstract: 用于在等离子体处理室中进行原位蚀刻监测的装置、系统和方法。该装置包括连续波宽带光源；照射系统，其被配置成利用具有固定偏振方向的入射光束照射基板上的区域，来自宽带光源的入射光束由光闸进行调制；收集系统，其被配置成收集从所照射的基板上的区域反射的反射光束，并且将该反射光束引导至检测器；以及处理电路。处理电路被配置成处理反射光束以抑制背景光，根据经处理的光确定性质值以及基于所确定的性质值来控制蚀刻处理。
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