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公开(公告)号：CN117813679A
公开(公告)日：2024-04-02
申请号：CN202280056022.2
申请日：2022-08-01
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Inventor： 伊万·马莱耶夫 , 陆心怡 , 迪米特里·克利亚奇科 , 孟庆玲 , 田新康
IPC: H01L21/67 , H01L21/677 , H01J37/32 , H01L21/687
Abstract: 一种半导体加工系统包括加工室，该加工室被配置为对多个晶片中的每一个执行半导体制造工艺。该加工室包括至少一个可消耗部件、以及衬底转移模块，该衬底转移模块被定位成靠近该加工室并且经由晶片进出端口与该加工室连通。该晶片转移模块包括晶片转移机器人和光学诊断系统，该晶片转移机器人被配置为穿过该晶片进出端口在该衬底转移模块与该加工室之间传送这些晶片中的每一个，该光学诊断系统包括被配置为检测来自该至少一个可消耗部件的光学信号的光学传感器。控制器被配置为使该加工室对每个相应的晶片执行该半导体制造工艺、并且使该光学诊断系统在该加工室没有对这些晶片执行半导体制造工艺的时间期间检测该光学信号。
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公开(公告)号：CN117769646A
公开(公告)日：2024-03-26
申请号：CN202280047266.4
申请日：2022-07-18
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Inventor： 伊万·马莱耶夫
Abstract: 一种包括被配置为保存一种或多种样本物质的测量腔室的装置。该装置包括安装在测量腔室一侧的入口窗。该装置包括被配置为产生入射光束的光源。该装置包括拉曼传感器，该拉曼传感器被配置为收集来自腔室的非弹性散射光，并基于所收集的非弹性散射光来测量来自一种或多种样本物质的第一物质的拉曼峰值强度。该装置进一步包括处理器，该处理器被配置为(i)至少基于所测量的第一物质的拉曼峰值强度来计算第一物质的浓度，(ii)基于所计算的第一物质的浓度来确定晶片清洗工艺的终点，以及(iii)基于所确定的终点来终止晶片清洗工艺。
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公开(公告)号：CN110998292B
公开(公告)日：2023-12-15
申请号：CN201880053668.9
申请日：2018-08-21
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Abstract: 提供了一种用于原位相确定的设备和方法。该设备包括：被配置成保留物质的测量室；以及安装在测量室的一侧上的入射窗。出射窗安装在测量室的相对侧上，并且出射窗与入射窗平行。该设备还包括被配置成生成入射光束的光源。入射光束以相对于入射窗的法线的非零入射角度被引导至入射窗。入射光束穿过入射窗、测量室和出射窗以形成输出光束。检测器位于出射窗下方，并且被配置成收集穿过出射窗的输出光束并且生成测量数据。
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公开(公告)号：CN118984930A
公开(公告)日：2024-11-19
申请号：CN202380032818.9
申请日：2023-05-24
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: G01J5/00 , G01J5/0802 , G01J5/0806 , G01J5/0821 , G01J5/10 , H01L21/67
Abstract: 本披露内容的方面提供了一种用于远距温度测量的传感器。例如，传感器可以包括：光源，该光源被配置为形成照射束；聚焦光学器件，该聚焦光学器件被配置为将来自光源的照射束引导到半导体样品上的照射光点处，用于在半导体样品中激发出带隙光致发光(PL)光；集光光学器件，该集光光学器件被配置为收集从半导体样品激发出的带隙PL光；至少一个光检测器，该至少一个光检测器被配置为测量带隙PL光邻近半导体样品的半导体带隙波长的光谱强度；以及透射光学器件，该透射光学器件被配置为将来自集光光学器件的带隙PL光透射到该至少一个光学检测器。
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公开(公告)号：CN110998292A
公开(公告)日：2020-04-10
申请号：CN201880053668.9
申请日：2018-08-21
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Abstract: 提供了一种用于原位相确定的设备和方法。该设备包括：被配置成保留物质的测量室；以及安装在测量室的一侧上的入射窗。出射窗安装在测量室的相对侧上，并且出射窗与入射窗平行。该设备还包括被配置成生成入射光束的光源。入射光束以相对于入射窗的法线的非零入射角度被引导至入射窗。入射光束穿过入射窗、测量室和出射窗以形成输出光束。检测器位于出射窗下方，并且被配置成收集穿过出射窗的输出光束并且生成测量数据。
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