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公开(公告)号：CN113924474A
公开(公告)日：2022-01-11
申请号：CN202080036423.2
申请日：2020-05-21
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Abstract: 披露了一种用于光学地诊断半导体制造过程的改进的设备和系统以及相关联的方法的实施例。在等离子体加工系统中，使用高光谱成像系统来采集来自等离子体的发射的光谱解析图像。采集的高光谱图像可以用来确定等离子体的化学成分和等离子体过程端点。替代地，高光谱成像系统用来在加工之前、期间或之后采集衬底的光谱解析图像，以确定衬底或在衬底上形成的层和特征的特性，包括是否已经达到过程端点；或者在加工之前或之后，用于检查衬底状况。
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公开(公告)号：CN113574561A
公开(公告)日：2021-10-29
申请号：CN202080020502.4
申请日：2020-03-13
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Abstract: 存储器电路系统中存储了数据集，该数据集指示半导体制造工艺或由其制造的半导体结构的状态。该数据集中的特征能够在受数据分辨率限制的限度内被辨别出。该存储器电路系统中还存储了机器学习模型，该机器学习模型包括参数，这些参数具有受模型训练过程约束的被分配的相应值。通信地耦接到该存储器电路系统的处理器电路系统根据该机器学习模型从该数据集生成输出数据集，使得该输出数据集中的特征能够在受输出数据分辨率限制的限度内被辨别出，该输出数据分辨率比该数据集的数据分辨率更精细。
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公开(公告)号：CN110998292A
公开(公告)日：2020-04-10
申请号：CN201880053668.9
申请日：2018-08-21
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Abstract: 提供了一种用于原位相确定的设备和方法。该设备包括：被配置成保留物质的测量室；以及安装在测量室的一侧上的入射窗。出射窗安装在测量室的相对侧上，并且出射窗与入射窗平行。该设备还包括被配置成生成入射光束的光源。入射光束以相对于入射窗的法线的非零入射角度被引导至入射窗。入射光束穿过入射窗、测量室和出射窗以形成输出光束。检测器位于出射窗下方，并且被配置成收集穿过出射窗的输出光束并且生成测量数据。
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公开(公告)号：CN104736744A
公开(公告)日：2015-06-24
申请号：CN201380054482.2
申请日：2013-10-17
Applicant: 东京毅力科创株式会社
CPC classification number: H01L22/26 , G06F17/16 , H01J37/32963 , H01L21/3065 , H01L21/67069
Abstract: 公开了一种用于使用光学发射光谱(OES)数据作为输入确定蚀刻过程的终点的方法。由附接至等离子体蚀刻处理工具的光谱仪获得光学发射光谱(OES)数据。首先将获得的时间演变光谱数据过滤和去均值，之后使用诸如主成分分析的多变量分析，将获得的时间演变光谱数据变换成变换后的光谱数据或趋势，在主成分分析中先前计算的主成分权重用来实现该变换。包含多个趋势的函数形式可以用于更精确地确定蚀刻过程的终点。公开了用于在实际蚀刻之前基于从先前蚀刻处理收集的OES数据计算主成分权重的方法，该方法有助于趋势和包含多个趋势的函数形式的快速计算，用于蚀刻过程终点的有效和准确的在线确定。
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公开(公告)号：CN110998292B
公开(公告)日：2023-12-15
申请号：CN201880053668.9
申请日：2018-08-21
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Abstract: 提供了一种用于原位相确定的设备和方法。该设备包括：被配置成保留物质的测量室；以及安装在测量室的一侧上的入射窗。出射窗安装在测量室的相对侧上，并且出射窗与入射窗平行。该设备还包括被配置成生成入射光束的光源。入射光束以相对于入射窗的法线的非零入射角度被引导至入射窗。入射光束穿过入射窗、测量室和出射窗以形成输出光束。检测器位于出射窗下方，并且被配置成收集穿过出射窗的输出光束并且生成测量数据。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110998260A
公开(公告)日：2020-04-10
申请号：CN201880052425.3
申请日：2018-07-11
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Abstract: 公开了用于光学发射测量的方法、系统和装置。该装置包括用于通过设置在等离子体处理室的壁处的光学窗口来收集等离子体光学发射谱的收集系统。光学系统包括：镜，其被配置成穿过等离子体处理室扫描多条不重合射线；以及远心耦合器，其用于从等离子体收集光学信号并将该光学信号引导至用于测量等离子体光学发射谱的光谱仪。
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公开(公告)号：CN109643673B
公开(公告)日：2024-01-30
申请号：CN201780053849.7
申请日：2017-08-31
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/66 , H01L21/3065
Abstract: 本文描述的是用于确定从等离子体处理系统获取的光发射光谱(OES)数据的终点的架构、平台和方法。所述OES数据例如包括吸附步骤过程、解吸步骤过程或其组合。在该示例中，所述OES数据在终点确定之前经受信号同步和瞬态信号滤波，这可以通过应用移动平均滤波器来实现。
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公开(公告)号：CN110998260B
公开(公告)日：2022-04-12
申请号：CN201880052425.3
申请日：2018-07-11
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Abstract: 公开了用于光学发射测量的方法、系统和装置。该装置包括用于通过设置在等离子体处理室的壁处的光学窗口来收集等离子体光学发射谱的收集系统。光学系统包括：镜，其被配置成穿过等离子体处理室扫描多条不重合射线；以及远心耦合器，其用于从等离子体收集光学信号并将该光学信号引导至用于测量等离子体光学发射谱的光谱仪。
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公开(公告)号：CN104736744B
公开(公告)日：2017-06-06
申请号：CN201380054482.2
申请日：2013-10-17
Applicant: 东京毅力科创株式会社
CPC classification number: H01L22/26 , G06F17/16 , H01J37/32963 , H01L21/3065 , H01L21/67069
Abstract: 公开了一种用于使用光学发射光谱(OES)数据作为输入确定蚀刻过程的终点的方法。由附接至等离子体蚀刻处理工具的光谱仪获得光学发射光谱(OES)数据。首先将获得的时间演变光谱数据过滤和去均值，之后使用诸如主成分分析的多变量分析，将获得的时间演变光谱数据变换成变换后的光谱数据或趋势，在主成分分析中先前计算的主成分权重用来实现该变换。包含多个趋势的函数形式可以用于更精确地确定蚀刻过程的终点。公开了用于在实际蚀刻之前基于从先前蚀刻处理收集的OES数据计算主成分权重的方法，该方法有助于趋势和包含多个趋势的函数形式的快速计算，用于蚀刻过程终点的有效和准确的在线确定。
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公开(公告)号：CN114270472A
公开(公告)日：2022-04-01
申请号：CN202080058806.X
申请日：2020-08-18
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01J37/32 , H01L21/3065 , H01L21/67 , G06F17/16
Abstract: 描述了一种用于使用光发射光谱法(OES)数据作为输入来确定刻蚀工艺端点的方法。OES数据由等离子体刻蚀加工室中的光谱仪获取。首先对获取的随时间演变的光谱数据进行过滤和去平均，并且随后使用诸如主分量分析等多变量分析将该数据变换为经变换的光谱数据或趋势，在该多变量分析中，使用先前计算的主分量权重来完成该变换。通过将主分量权重分组为与正自然波长和负自然波长相对应的两个单独的组，来创建单独的有符号趋势(合成波长)。
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