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公开(公告)号：CN117813679A
公开(公告)日：2024-04-02
申请号：CN202280056022.2
申请日：2022-08-01
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Inventor： 伊万·马莱耶夫 , 陆心怡 , 迪米特里·克利亚奇科 , 孟庆玲 , 田新康
IPC: H01L21/67 , H01L21/677 , H01J37/32 , H01L21/687
Abstract: 一种半导体加工系统包括加工室，该加工室被配置为对多个晶片中的每一个执行半导体制造工艺。该加工室包括至少一个可消耗部件、以及衬底转移模块，该衬底转移模块被定位成靠近该加工室并且经由晶片进出端口与该加工室连通。该晶片转移模块包括晶片转移机器人和光学诊断系统，该晶片转移机器人被配置为穿过该晶片进出端口在该衬底转移模块与该加工室之间传送这些晶片中的每一个，该光学诊断系统包括被配置为检测来自该至少一个可消耗部件的光学信号的光学传感器。控制器被配置为使该加工室对每个相应的晶片执行该半导体制造工艺、并且使该光学诊断系统在该加工室没有对这些晶片执行半导体制造工艺的时间期间检测该光学信号。
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公开(公告)号：CN110998292B
公开(公告)日：2023-12-15
申请号：CN201880053668.9
申请日：2018-08-21
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Abstract: 提供了一种用于原位相确定的设备和方法。该设备包括：被配置成保留物质的测量室；以及安装在测量室的一侧上的入射窗。出射窗安装在测量室的相对侧上，并且出射窗与入射窗平行。该设备还包括被配置成生成入射光束的光源。入射光束以相对于入射窗的法线的非零入射角度被引导至入射窗。入射光束穿过入射窗、测量室和出射窗以形成输出光束。检测器位于出射窗下方，并且被配置成收集穿过出射窗的输出光束并且生成测量数据。
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公开(公告)号：CN110998260A
公开(公告)日：2020-04-10
申请号：CN201880052425.3
申请日：2018-07-11
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Abstract: 公开了用于光学发射测量的方法、系统和装置。该装置包括用于通过设置在等离子体处理室的壁处的光学窗口来收集等离子体光学发射谱的收集系统。光学系统包括：镜，其被配置成穿过等离子体处理室扫描多条不重合射线；以及远心耦合器，其用于从等离子体收集光学信号并将该光学信号引导至用于测量等离子体光学发射谱的光谱仪。
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公开(公告)号：CN109196336A
公开(公告)日：2019-01-11
申请号：CN201780033786.9
申请日：2017-05-31
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Abstract: 提供了用于检查基底的方法、系统和装置。所述方法包括：用奇异激光束照射所述基底，所述奇异激光束在所述基底上形成照射斑并且在所述基底的表面形成明条纹，所述明条纹沿所述照射斑的至少一部分延伸；以及通过光学检测系统检测在所述照射斑中的来自存在于所述基底上的纳米缺陷的散射光。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110998292A
公开(公告)日：2020-04-10
申请号：CN201880053668.9
申请日：2018-08-21
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Abstract: 提供了一种用于原位相确定的设备和方法。该设备包括：被配置成保留物质的测量室；以及安装在测量室的一侧上的入射窗。出射窗安装在测量室的相对侧上，并且出射窗与入射窗平行。该设备还包括被配置成生成入射光束的光源。入射光束以相对于入射窗的法线的非零入射角度被引导至入射窗。入射光束穿过入射窗、测量室和出射窗以形成输出光束。检测器位于出射窗下方，并且被配置成收集穿过出射窗的输出光束并且生成测量数据。
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公开(公告)号：CN110998260B
公开(公告)日：2022-04-12
申请号：CN201880052425.3
申请日：2018-07-11
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Abstract: 公开了用于光学发射测量的方法、系统和装置。该装置包括用于通过设置在等离子体处理室的壁处的光学窗口来收集等离子体光学发射谱的收集系统。光学系统包括：镜，其被配置成穿过等离子体处理室扫描多条不重合射线；以及远心耦合器，其用于从等离子体收集光学信号并将该光学信号引导至用于测量等离子体光学发射谱的光谱仪。
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公开(公告)号：CN109196336B
公开(公告)日：2021-10-15
申请号：CN201780033786.9
申请日：2017-05-31
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Abstract: 提供了用于检查基底的方法、系统和装置。所述方法包括：用奇异激光束照射所述基底，所述奇异激光束在所述基底上形成照射斑并且在所述基底的表面形成明条纹，所述明条纹沿所述照射斑的至少一部分延伸；以及通过光学检测系统检测在所述照射斑中的来自存在于所述基底上的纳米缺陷的散射光。
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公开(公告)号：CN112514043A
公开(公告)日：2021-03-16
申请号：CN201980050131.1
申请日：2019-07-23
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/67 , H01L21/66 , H01L21/3065 , G01N21/95 , G01N21/88
Abstract: 提供了一种用于在等离子体加工室中进行原位蚀刻监测的装置、系统和方法。该装置包括连续波宽带光源、照射系统、收集系统和处理电路，该连续波宽带光源用于产生入射光束，该照射系统被配置为照射衬底上的区域，其中入射光束以正入射被引导到该衬底，该收集系统被配置为收集从该衬底上的照射区域反射的反射光束，并且将该反射光束引导到检测器。该处理电路被配置为处理该反射光束以抑制背景光，基于参考光束和被处理以抑制该背景光的该反射光束来确定该衬底或形成在其上的结构的性能，并且基于所确定的性能来控制蚀刻过程。
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公开(公告)号：CN110546749A
公开(公告)日：2019-12-06
申请号：CN201880026624.7
申请日：2018-03-13
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/67 , H01L21/3065 , H01L21/66
Abstract: 用于在等离子体处理室中进行原位蚀刻监测的装置、系统和方法。该装置包括连续波宽带光源；照射系统，其被配置成利用具有固定偏振方向的入射光束照射基板上的区域，来自宽带光源的入射光束由光闸进行调制；收集系统，其被配置成收集从所照射的基板上的区域反射的反射光束，并且将该反射光束引导至检测器；以及处理电路。处理电路被配置成处理反射光束以抑制背景光，根据经处理的光确定性质值以及基于所确定的性质值来控制蚀刻处理。
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