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公开(公告)号:CN112514043A
公开(公告)日:2021-03-16
申请号:CN201980050131.1
申请日:2019-07-23
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/67 , H01L21/66 , H01L21/3065 , G01N21/95 , G01N21/88
Abstract: 提供了一种用于在等离子体加工室中进行原位蚀刻监测的装置、系统和方法。该装置包括连续波宽带光源、照射系统、收集系统和处理电路,该连续波宽带光源用于产生入射光束,该照射系统被配置为照射衬底上的区域,其中入射光束以正入射被引导到该衬底,该收集系统被配置为收集从该衬底上的照射区域反射的反射光束,并且将该反射光束引导到检测器。该处理电路被配置为处理该反射光束以抑制背景光,基于参考光束和被处理以抑制该背景光的该反射光束来确定该衬底或形成在其上的结构的性能,并且基于所确定的性能来控制蚀刻过程。
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公开(公告)号:CN112074940A
公开(公告)日:2020-12-11
申请号:CN201980029791.1
申请日:2019-03-15
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/67 , H01L21/02 , H01L21/677 , H01L21/027 , H01L21/66
Abstract: 本披露涉及一种大批量生产系统,用于在不离开该系统的受控环境(例如,亚大气压)的情况下按半导体加工序列加工和测量工件。系统加工室经由搬送室相互连接,这些搬送室用于在该受控环境中在加工室之间移动这些工件。这些搬送室包括能够在加工处理之前和/或之后测量工件属性的测量模块。该测量模块可以包括安装在搬送室上方、下方或内部的检查系统。
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