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公开(公告)号：CN109643673B
公开(公告)日：2024-01-30
申请号：CN201780053849.7
申请日：2017-08-31
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/66 , H01L21/3065
Abstract: 本文描述的是用于确定从等离子体处理系统获取的光发射光谱(OES)数据的终点的架构、平台和方法。所述OES数据例如包括吸附步骤过程、解吸步骤过程或其组合。在该示例中，所述OES数据在终点确定之前经受信号同步和瞬态信号滤波，这可以通过应用移动平均滤波器来实现。
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公开(公告)号：CN109196336B
公开(公告)日：2021-10-15
申请号：CN201780033786.9
申请日：2017-05-31
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Abstract: 提供了用于检查基底的方法、系统和装置。所述方法包括：用奇异激光束照射所述基底，所述奇异激光束在所述基底上形成照射斑并且在所述基底的表面形成明条纹，所述明条纹沿所述照射斑的至少一部分延伸；以及通过光学检测系统检测在所述照射斑中的来自存在于所述基底上的纳米缺陷的散射光。
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公开(公告)号：CN117813679A
公开(公告)日：2024-04-02
申请号：CN202280056022.2
申请日：2022-08-01
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Inventor： 伊万·马莱耶夫 , 陆心怡 , 迪米特里·克利亚奇科 , 孟庆玲 , 田新康
IPC: H01L21/67 , H01L21/677 , H01J37/32 , H01L21/687
Abstract: 一种半导体加工系统包括加工室，该加工室被配置为对多个晶片中的每一个执行半导体制造工艺。该加工室包括至少一个可消耗部件、以及衬底转移模块，该衬底转移模块被定位成靠近该加工室并且经由晶片进出端口与该加工室连通。该晶片转移模块包括晶片转移机器人和光学诊断系统，该晶片转移机器人被配置为穿过该晶片进出端口在该衬底转移模块与该加工室之间传送这些晶片中的每一个，该光学诊断系统包括被配置为检测来自该至少一个可消耗部件的光学信号的光学传感器。控制器被配置为使该加工室对每个相应的晶片执行该半导体制造工艺、并且使该光学诊断系统在该加工室没有对这些晶片执行半导体制造工艺的时间期间检测该光学信号。
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公开(公告)号：CN110998292B
公开(公告)日：2023-12-15
申请号：CN201880053668.9
申请日：2018-08-21
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Abstract: 提供了一种用于原位相确定的设备和方法。该设备包括：被配置成保留物质的测量室；以及安装在测量室的一侧上的入射窗。出射窗安装在测量室的相对侧上，并且出射窗与入射窗平行。该设备还包括被配置成生成入射光束的光源。入射光束以相对于入射窗的法线的非零入射角度被引导至入射窗。入射光束穿过入射窗、测量室和出射窗以形成输出光束。检测器位于出射窗下方，并且被配置成收集穿过出射窗的输出光束并且生成测量数据。
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公开(公告)号：CN109196336A
公开(公告)日：2019-01-11
申请号：CN201780033786.9
申请日：2017-05-31
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Abstract: 提供了用于检查基底的方法、系统和装置。所述方法包括：用奇异激光束照射所述基底，所述奇异激光束在所述基底上形成照射斑并且在所述基底的表面形成明条纹，所述明条纹沿所述照射斑的至少一部分延伸；以及通过光学检测系统检测在所述照射斑中的来自存在于所述基底上的纳米缺陷的散射光。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN113924474A
公开(公告)日：2022-01-11
申请号：CN202080036423.2
申请日：2020-05-21
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Abstract: 披露了一种用于光学地诊断半导体制造过程的改进的设备和系统以及相关联的方法的实施例。在等离子体加工系统中，使用高光谱成像系统来采集来自等离子体的发射的光谱解析图像。采集的高光谱图像可以用来确定等离子体的化学成分和等离子体过程端点。替代地，高光谱成像系统用来在加工之前、期间或之后采集衬底的光谱解析图像，以确定衬底或在衬底上形成的层和特征的特性，包括是否已经达到过程端点；或者在加工之前或之后，用于检查衬底状况。
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公开(公告)号：CN113574561A
公开(公告)日：2021-10-29
申请号：CN202080020502.4
申请日：2020-03-13
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Abstract: 存储器电路系统中存储了数据集，该数据集指示半导体制造工艺或由其制造的半导体结构的状态。该数据集中的特征能够在受数据分辨率限制的限度内被辨别出。该存储器电路系统中还存储了机器学习模型，该机器学习模型包括参数，这些参数具有受模型训练过程约束的被分配的相应值。通信地耦接到该存储器电路系统的处理器电路系统根据该机器学习模型从该数据集生成输出数据集，使得该输出数据集中的特征能够在受输出数据分辨率限制的限度内被辨别出，该输出数据分辨率比该数据集的数据分辨率更精细。
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公开(公告)号：CN110998292A
公开(公告)日：2020-04-10
申请号：CN201880053668.9
申请日：2018-08-21
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Abstract: 提供了一种用于原位相确定的设备和方法。该设备包括：被配置成保留物质的测量室；以及安装在测量室的一侧上的入射窗。出射窗安装在测量室的相对侧上，并且出射窗与入射窗平行。该设备还包括被配置成生成入射光束的光源。入射光束以相对于入射窗的法线的非零入射角度被引导至入射窗。入射光束穿过入射窗、测量室和出射窗以形成输出光束。检测器位于出射窗下方，并且被配置成收集穿过出射窗的输出光束并且生成测量数据。
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公开(公告)号：CN114270472A
公开(公告)日：2022-04-01
申请号：CN202080058806.X
申请日：2020-08-18
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01J37/32 , H01L21/3065 , H01L21/67 , G06F17/16
Abstract: 描述了一种用于使用光发射光谱法(OES)数据作为输入来确定刻蚀工艺端点的方法。OES数据由等离子体刻蚀加工室中的光谱仪获取。首先对获取的随时间演变的光谱数据进行过滤和去平均，并且随后使用诸如主分量分析等多变量分析将该数据变换为经变换的光谱数据或趋势，在该多变量分析中，使用先前计算的主分量权重来完成该变换。通过将主分量权重分组为与正自然波长和负自然波长相对应的两个单独的组，来创建单独的有符号趋势(合成波长)。
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公开(公告)号：CN112514043A
公开(公告)日：2021-03-16
申请号：CN201980050131.1
申请日：2019-07-23
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/67 , H01L21/66 , H01L21/3065 , G01N21/95 , G01N21/88
Abstract: 提供了一种用于在等离子体加工室中进行原位蚀刻监测的装置、系统和方法。该装置包括连续波宽带光源、照射系统、收集系统和处理电路，该连续波宽带光源用于产生入射光束，该照射系统被配置为照射衬底上的区域，其中入射光束以正入射被引导到该衬底，该收集系统被配置为收集从该衬底上的照射区域反射的反射光束，并且将该反射光束引导到检测器。该处理电路被配置为处理该反射光束以抑制背景光，基于参考光束和被处理以抑制该背景光的该反射光束来确定该衬底或形成在其上的结构的性能，并且基于所确定的性能来控制蚀刻过程。
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