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公开(公告)号：CN113375567A
公开(公告)日：2021-09-10
申请号：CN202110224635.X
申请日：2021-03-01
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Abstract: 本发明提供一种能够以in‑situ的方式测量成膜后的非常薄的膜的膜厚的膜厚测量装置、膜厚测量方法、成膜系统和成膜方法。膜厚测量装置是在成膜系统中以in‑situ的方式测量形成在基片上的膜的膜厚的膜厚测量装置。该膜厚测量装置包括：能够载置形成有膜的基片的载置台；测量光射出/检测单元，其具有向载置台上的基片射出膜厚测量用的光的光射出部，和接收光在基片反射后的反射光的受光传感器；使光在基片上的照射点移动的移动机构；测量受光传感器与基片上的照射点之间的距离的测距仪；和调节受光传感器与基片上的照射点之间的距离的距离调节机构。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN100514576C
公开(公告)日：2009-07-15
申请号：CN200680007627.3
申请日：2006-02-20
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/316 , H01L21/31 , C23C16/455
CPC classification number: H01J37/32935 , C23C16/405 , C23C16/407 , C23C16/45544 , H01J37/3244 , H01J37/32568
Abstract: 本发明涉及一种基板处理方法，其是基板处理装置的基板处理方法，具特征在于，该基板处理装置具有：处理容器，其内部具有支承被处理基板并该被处理基板上供给第一处理气体或第二处理气体的第一空间和在该第一空间的周围形成的、与该第一空间连通的第二空间；排出所述第一空间的气体的第一排气单元；和排出所述第二空间的气体的第二排气单元。该基板处理方法具有：将所述第一处理气体供给所述第一空间的第一工序；从所述第一空间排出该第一处理气体的第二工序；将所述第二处理气体供给所述第一空间的第三工序；和从所述第一空间排出所述第二处理气体的第四工序。其中，所述第二空间的压力由供给到该第二空间的压力调整气体进行调整。
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公开(公告)号：CN101138076A
公开(公告)日：2008-03-05
申请号：CN200680007627.3
申请日：2006-02-20
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/316 , H01L21/31 , C23C16/455
CPC classification number: H01J37/32935 , C23C16/405 , C23C16/407 , C23C16/45544 , H01J37/3244 , H01J37/32568
Abstract: 本发明涉及一种基板处理方法，其是基板处理装置的基板处理方法，其特征在于，该基板处理装置具有：处理容器，其内部具有支承被处理基板并该被处理基板上供给第一处理气体或第二处理气体的第一空间和在该第一空间的周围形成的、与该第一空间连通的第二空间；排出所述第一空间的气体的第一排气单元；和排出所述第二空间的气体的第二排气单元。该基板处理方法具有：将所述第一处理气体供给所述第一空间的第一工序；从所述第一空间排出该第一处理气体的第二工序；将所述第二处理气体供给所述第一空间的第三工序；和从所述第一空间排出所述第二处理气体的第四工序。其中，所述第二空间的压力由供给到该第二空间的压力调整气体进行调整。
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公开(公告)号：CN117588570A
公开(公告)日：2024-02-23
申请号：CN202310958218.7
申请日：2023-08-01
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Abstract: 本发明涉及自动压力控制装置、成膜装置和压力的控制方法。促进排气管内的气体置换且抑制副产物的附着的影响地进行压力制御。包括蝶形阀，其具有阀芯，阀芯安装为可借助轴相对于内壁面形成排气路径的局部的环状的阀座转动，通过使相对于横截面的倾斜角变化而倾斜配置，从而使排气路径的开口面积变化，蝶形阀基于处理容器内的压力的检测结果使阀芯的倾斜角变化而控制处理容器内的压力，阀芯在表面在倾斜配置时位于下游侧的端部的区域形成第1楔形面，在背面在倾斜配置时位于上游侧的端部的区域形成第2楔形面，表面除第1楔形面外的区域与第1楔形面所成的角度和背面除第2楔形面外的区域与第2楔形面所成的角度均大于95度且为150度以下。
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公开(公告)号：CN100490086C
公开(公告)日：2009-05-20
申请号：CN200680009290.X
申请日：2006-02-21
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/31 , C23C16/455
CPC classification number: C23C16/4412 , C23C16/4401 , C23C16/45523 , C23C16/45548
Abstract: 本发明提供一种基板处理方法，其是具有在内部保持被处理基板的处理容器、将第一处理气体供给所述处理容器且包含流量调整单元的第一气体供给单元、和将第二处理气体供给所述处理容器的第二供给单元的基板处理装置的基板处理方法，其特征在于：其反复进行将所述第一处理气体通过所述流量调整单元控制为第一流量并在所述第一方向上进行供给的第一工序、从所述处理容器排出该第一处理气体的第二工序、将所述第二处理气体供给所述处理容器的第三工序、和从所述处理容器排出该第二处理气体的第四工序，在1的第一工序与在该1的第一工序接下来实施的2的第一工序之间设有处理气体流量稳定工序。
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公开(公告)号：CN101147245A
公开(公告)日：2008-03-19
申请号：CN200680009290.X
申请日：2006-02-21
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/31 , C23C16/455
CPC classification number: C23C16/4412 , C23C16/4401 , C23C16/45523 , C23C16/45548
Abstract: 本发明提供一种基板处理方法，其是具有在内部保持被处理基板的处理容器、将第一处理气体供给所述处理容器且包含流量调整单元的第一气体供给单元、和将第二处理气体供给所述处理容器的第二供给单元的基板处理装置的基板处理方法，其特征在于：其反复进行将所述第一处理气体通过所述流量调整单元控制为第一流量并在所述第一方向上进行供给的第一工序、从所述处理容器排出该第一处理气体的第二工序、将所述第二处理气体供给所述处理容器的第三工序、和从所述处理容器排出该第二处理气体的第四工序，在1的第一工序与在该1的第一工序接下来实施的2的第一工序之间设有处理气体流量稳定工序。
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