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公开(公告)号：CN110029321A
公开(公告)日：2019-07-19
申请号：CN201811474092.1
申请日：2018-12-04
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Abstract: 本发明提供一种基板处理装置。一实施方式的基板处理装置具备支承台。支承台提供基板载置区域。支承着遮板的旋转轴与支承台分开并沿着铅垂方向延伸。利用旋转轴绕中心轴线的旋转，遮板在支承台的上方的第1区域和远离支承台的第2区域之间移动。遮板具有管。管提供有朝向下方开口的多个气体输出孔。在遮板配置于第1区域内时，多个气体输出孔的排列在从第2区域朝向第1区域的旋转方向上相对于载置区域位于外侧。中心轴线与多个气体输出孔之间的最小距离是中心轴线与载置区域之间的最小距离以下。中心轴线与多个气体输出孔之间的最大距离是中心轴线与载置区域之间的最大距离以上。
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公开(公告)号：CN113375567A
公开(公告)日：2021-09-10
申请号：CN202110224635.X
申请日：2021-03-01
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Abstract: 本发明提供一种能够以in‑situ的方式测量成膜后的非常薄的膜的膜厚的膜厚测量装置、膜厚测量方法、成膜系统和成膜方法。膜厚测量装置是在成膜系统中以in‑situ的方式测量形成在基片上的膜的膜厚的膜厚测量装置。该膜厚测量装置包括：能够载置形成有膜的基片的载置台；测量光射出/检测单元，其具有向载置台上的基片射出膜厚测量用的光的光射出部，和接收光在基片反射后的反射光的受光传感器；使光在基片上的照射点移动的移动机构；测量受光传感器与基片上的照射点之间的距离的测距仪；和调节受光传感器与基片上的照射点之间的距离的距离调节机构。
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公开(公告)号：CN112530835A
公开(公告)日：2021-03-19
申请号：CN202010933375.9
申请日：2020-09-08
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/67 , H01L21/203 , H01L43/12 , H01L43/08
Abstract: 本发明提供成膜系统及其中使用的磁化特性测量装置和成膜方法。成膜系统包括：在基片上形成磁性膜的处理单元；磁化特性测量装置，其测量在处理单元中形成的磁性膜的磁化特性；以及在处理单元与磁化特性测量装置之间输送基片的输送部。磁化特性测量装置包括：磁场施加机构，其具有对基片施加磁场并能够调节施加到上述基片的磁场的永磁体磁路；和检测上述基片的磁化特性的检测器。本发明能够测量所形成磁性膜的磁化特性。
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公开(公告)号：CN110029321B
公开(公告)日：2021-03-16
申请号：CN201811474092.1
申请日：2018-12-04
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Abstract: 本发明提供一种基板处理装置。一实施方式的基板处理装置具备支承台。支承台提供基板载置区域。支承着遮板的旋转轴与支承台分开并沿着铅垂方向延伸。利用旋转轴绕中心轴线的旋转，遮板在支承台的上方的第1区域和远离支承台的第2区域之间移动。遮板具有管。管提供有朝向下方开口的多个气体输出孔。在遮板配置于第1区域内时，多个气体输出孔的排列在从第2区域朝向第1区域的旋转方向上相对于载置区域位于外侧。中心轴线与多个气体输出孔之间的最小距离是中心轴线与载置区域之间的最小距离以下。中心轴线与多个气体输出孔之间的最大距离是中心轴线与载置区域之间的最大距离以上。
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