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公开(公告)号：CN115725956A
公开(公告)日：2023-03-03
申请号：CN202211005532.5
申请日：2022-08-22
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: C23C16/455 , C23C16/458 , C23C16/46
Abstract: 本发明提供一种对基板进行成膜的装置和对基板进行成膜的方法。配置到用于在真空气氛下向基板的表面供给反应气体而进行成膜处理的处理容器内的升降轴以从下表面支承着基板的载置台的状态以在上下方向上延伸的方式设置，穿过在处理容器设置的贯通口而与外部的升降机构连接起来。壳体覆盖升降轴的周围，盖构件以隔着间隙包围升降轴的方式配置。设置有以如下方式进行引导的引导构件：从吹扫气体供给部供给到壳体的吹扫气体在经由间隙向处理容器流入了之后，从朝向载置台的背面的方向逸散而流动。由此，吹扫气体从载置台逸散而流动，因此，载置台的温度在面内一致，改善成膜处理的面内均匀性。
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公开(公告)号：CN100514576C
公开(公告)日：2009-07-15
申请号：CN200680007627.3
申请日：2006-02-20
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/316 , H01L21/31 , C23C16/455
CPC classification number: H01J37/32935 , C23C16/405 , C23C16/407 , C23C16/45544 , H01J37/3244 , H01J37/32568
Abstract: 本发明涉及一种基板处理方法，其是基板处理装置的基板处理方法，具特征在于，该基板处理装置具有：处理容器，其内部具有支承被处理基板并该被处理基板上供给第一处理气体或第二处理气体的第一空间和在该第一空间的周围形成的、与该第一空间连通的第二空间；排出所述第一空间的气体的第一排气单元；和排出所述第二空间的气体的第二排气单元。该基板处理方法具有：将所述第一处理气体供给所述第一空间的第一工序；从所述第一空间排出该第一处理气体的第二工序；将所述第二处理气体供给所述第一空间的第三工序；和从所述第一空间排出所述第二处理气体的第四工序。其中，所述第二空间的压力由供给到该第二空间的压力调整气体进行调整。
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公开(公告)号：CN101138076A
公开(公告)日：2008-03-05
申请号：CN200680007627.3
申请日：2006-02-20
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/316 , H01L21/31 , C23C16/455
CPC classification number: H01J37/32935 , C23C16/405 , C23C16/407 , C23C16/45544 , H01J37/3244 , H01J37/32568
Abstract: 本发明涉及一种基板处理方法，其是基板处理装置的基板处理方法，其特征在于，该基板处理装置具有：处理容器，其内部具有支承被处理基板并该被处理基板上供给第一处理气体或第二处理气体的第一空间和在该第一空间的周围形成的、与该第一空间连通的第二空间；排出所述第一空间的气体的第一排气单元；和排出所述第二空间的气体的第二排气单元。该基板处理方法具有：将所述第一处理气体供给所述第一空间的第一工序；从所述第一空间排出该第一处理气体的第二工序；将所述第二处理气体供给所述第一空间的第三工序；和从所述第一空间排出所述第二处理气体的第四工序。其中，所述第二空间的压力由供给到该第二空间的压力调整气体进行调整。
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公开(公告)号：CN115466941B
公开(公告)日：2024-11-05
申请号：CN202210609924.6
申请日：2022-05-31
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: C23C16/455 , C23C16/14 , C23C16/46 , C23C16/52 , H01L21/67
Abstract: 提供一种用于改善膜厚的面内分布的喷淋头及基板处理装置。该喷淋头包括：喷淋板；基座部件，设置有气体流路，并对所述喷淋板进行固定；以及多个气体供给部件，布置在形成于所述喷淋板与所述基座部件之间的气体扩散空间中，并与所述气体流路连接，其中，所述气体供给部件具有用于沿放射方向喷出气体的多个喷出口，从多个所述气体供给部件的喷出口喷出的气体形成旋流。
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公开(公告)号：CN115466942B
公开(公告)日：2024-08-13
申请号：CN202210625595.4
申请日：2022-06-02
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: C23C16/455 , C23C16/14 , C23C16/52 , H01L21/3205
Abstract: 本发明提供一种改善膜厚的面内分布的喷淋头和基板处理装置。该喷淋头包括:喷淋板；基座部件,其设有气体流路,用于固定上述喷淋板；多个气体供给部件,其配置于在上述喷淋板和上述基座部件之间形成的气体扩散空间内,并且与上述气体流路连接；以及整流板,其配置于上述气体扩散空间内,并且配置于比上述气体供给部件靠外周部。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN115466942A
公开(公告)日：2022-12-13
申请号：CN202210625595.4
申请日：2022-06-02
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: C23C16/455 , C23C16/14 , C23C16/52 , H01L21/3205
Abstract: 本发明提供一种改善膜厚的面内分布的喷淋头和基板处理装置。该喷淋头包括:喷淋板；基座部件,其设有气体流路,用于固定上述喷淋板；多个气体供给部件,其配置于在上述喷淋板和上述基座部件之间形成的气体扩散空间内,并且与上述气体流路连接；以及整流板,其配置于上述气体扩散空间内,并且配置于比上述气体供给部件靠外周部。
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公开(公告)号：CN112071752A
公开(公告)日：2020-12-11
申请号：CN202010500322.8
申请日：2020-06-04
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/285 , C23C16/455 , C23C16/52
Abstract: 本公开提供基板处理方法和基板处理装置。所述方法是基板处理装置的控制方法，该基板处理装置具备：处理容器，其具有可升降的载置台；构件，在该构件与载置台之间形成处理空间；原料气体供给部；反应气体供给部；以及排气部，其具有能够调整开度的压力调整阀，所述方法包括重复以下工序的工序：吸附工序，供给原料气体并使其吸附于基板；第一吹扫工序，对剩余的原料气体进行排气；反应工序，供给反应气体来与原料气体进行反应；以及第二吹扫工序，对剩余的反应气体进行排气，其中，吸附工序以及/或者反应工序中的载置台与构件之间的间隙的宽度以及/或者压力调整阀的开度比第一吹扫工序以及/或者第二吹扫工序中的所述宽度以及/或者所述开度小。
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公开(公告)号：CN112071752B
公开(公告)日：2024-07-19
申请号：CN202010500322.8
申请日：2020-06-04
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/285 , C23C16/455 , C23C16/52
Abstract: 本公开提供基板处理方法和基板处理装置。所述方法是基板处理装置的控制方法，该基板处理装置具备：处理容器，其具有可升降的载置台；构件，在该构件与载置台之间形成处理空间；原料气体供给部；反应气体供给部；以及排气部，其具有能够调整开度的压力调整阀，所述方法包括重复以下工序的工序：吸附工序，供给原料气体并使其吸附于基板；第一吹扫工序，对剩余的原料气体进行排气；反应工序，供给反应气体来与原料气体进行反应；以及第二吹扫工序，对剩余的反应气体进行排气，其中，吸附工序以及/或者反应工序中的载置台与构件之间的间隙的宽度以及/或者压力调整阀的开度比第一吹扫工序以及/或者第二吹扫工序中的所述宽度以及/或者所述开度小。
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公开(公告)号：CN115466941A
公开(公告)日：2022-12-13
申请号：CN202210609924.6
申请日：2022-05-31
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: C23C16/455 , C23C16/14 , C23C16/46 , C23C16/52 , H01L21/67
Abstract: 提供一种用于改善膜厚的面内分布的喷淋头及基板处理装置。该喷淋头包括：喷淋板；基座部件，设置有气体流路，并对所述喷淋板进行固定；以及多个气体供给部件，布置在形成于所述喷淋板与所述基座部件之间的气体扩散空间中，并与所述气体流路连接，其中，所述气体供给部件具有用于沿放射方向喷出气体的多个喷出口，从多个所述气体供给部件的喷出口喷出的气体形成旋流。
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公开(公告)号：CN101647104B
公开(公告)日：2012-04-04
申请号：CN200880010113.2
申请日：2008-03-13
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Inventor： 高木俊夫
IPC: H01L21/31 , C23C16/455
CPC classification number: C23C16/45565 , C23C16/45521 , C23C16/45574 , C23C16/4586 , H01L21/3141 , H01L21/31641
Abstract: 本发明提供成膜装置、成膜方法和存储介质。该成膜装置包括：处理容器(31)；和配置在处理容器(31)内、用于载置基板W的载置台(71)。该成膜装置还包括：气体喷淋头(51)，其具有多个气体供给孔(61a、62a、63a)，被划分为与该基板(W)的中央部相对的中央区域(53)和与该基板(W)的周边部相对的周边区域(54)；向中央区域(53)供给第一处理气体的第一处理气体供给单元；向中央区域(53)供给第二处理气体的第二处理气体供给单元；能量供给单元，其供给用于使第一处理气体和第二处理气体在基板(W)上反应的能量；和吹扫气体供给单元，其用于在切换第一处理气体的供给和第二处理气体的供给时，向气体喷淋头(51)的中央区域(53)和周边区域(54)供给吹扫气体。
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