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公开(公告)号：CN102597587A
公开(公告)日：2012-07-18
申请号：CN201080050629.7
申请日：2010-10-29
Applicant: 株式会社富士金 , 东京毅力科创株式会社 , 国立大学法人东北大学
IPC: F16K31/126 , F16K1/34 , F16K51/02
CPC classification number: F16K31/126 , F16K1/34 , F16K25/005 , Y10T137/776
Abstract: 本发明提供一种提高阀的开关精度的调整阀装置。调整阀装置（300）包括：具有阀体头部（310a）的阀体（310）；向阀体传递动力的动力传递部件（320a）；以能够滑动的方式内置阀体的阀箱（305）；第一波纹管（320b），相对于动力传递部件在与阀体相反一侧的位置形成第一空间（Us）；第二波纹管（320c），相对于动力传递部件在阀体一侧的位置形成第二空间（Ls）；与第一空间连通的第一配管（320d）；和与第二空间连通的第二配管（320e）。根据从供给第一空间和供给第二空间的工作流体的压力比率，从动力传递部件向阀体传递动力，由此，通过阀体头部开关形成于阀箱中的搬送路径。阀体头部的维氏硬度比阀体头部所接触的搬送路径的阀座面的维氏硬度硬，其硬度差大概是200～300Hv。
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公开(公告)号：CN110010438A
公开(公告)日：2019-07-12
申请号：CN201811524706.2
申请日：2018-12-13
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Abstract: 本发明的技术问题为，能够在该被处理体的面内均匀地进行被处理体的等离子体处理。本发明的解决方案为一种等离子体处理装置，其从天线经由处理容器的顶板向处理容器内辐射微波，生成等离子体，对处理容器内的晶片进行等离子体处理，该等离子体处理装置包括：按压部件，其在与处理容器的顶板相对的面形成有槽，将天线按压于处理容器的顶板；和弹性部件，其配置于槽内，由按压部件与天线夹着而变形，对天线施加向处理容器的方向的按压力，槽在以与顶板垂直的规定轴为中心的同心的多个圆环状区域形成为以规定轴为中心的圆弧状或圆环状，弹性部件仅配置于上述多个圆环状区域的一部分。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110010438B
公开(公告)日：2021-08-27
申请号：CN201811524706.2
申请日：2018-12-13
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Abstract: 本发明的技术问题为，能够在该被处理体的面内均匀地进行被处理体的等离子体处理。本发明的解决方案为一种等离子体处理装置，其从天线经由处理容器的顶板向处理容器内辐射微波，生成等离子体，对处理容器内的晶片进行等离子体处理，该等离子体处理装置包括：按压部件，其在与处理容器的顶板相对的面形成有槽，将天线按压于处理容器的顶板；和弹性部件，其配置于槽内，由按压部件与天线夹着而变形，对天线施加向处理容器的方向的按压力，槽在以与顶板垂直的规定轴为中心的同心的多个圆环状区域形成为以规定轴为中心的圆弧状或圆环状，弹性部件仅配置于上述多个圆环状区域的一部分。
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公开(公告)号：CN103154305A
公开(公告)日：2013-06-12
申请号：CN201180048262.X
申请日：2011-10-03
Applicant: 东京毅力科创株式会社
CPC classification number: C23C14/24 , C03C17/002 , C23C14/543 , H01L51/0008
Abstract: 本发明提供能够抑制蒸气产生部内部的压力上升和温度上升，能够进行精密的温度控制的成膜装置。对玻璃基板（G）进行成膜处理的成膜装置具有：収容玻璃基板（G）的处理室（5）；通过对成膜材料进行加热，产生该成膜材料的蒸气的蒸气产生部（1）；用于将在蒸气产生部（1）中产生的成膜材料的蒸气与运载气体一起输送到处理室（5）的输送路径（21）；排气路径（22）；设置在输送路径途中的调节阀装置（31）；和设置在排气路径（22）途中的排气阀装置（32）；对蒸气产生部（1）的温度进行检测的材料温度检测部（64）；第一蒸气量检测部（23）；和控制部（8），在对成膜材料进行加热时，根据蒸气产生部（1）的温度的高低，对排气阀装置（32）的开关动作进行控制，在将成膜材料向上述处理室输送时，在由第一蒸气量检测部（23）检测出的蒸气量稳定时，关闭排气阀装置（32），打开调节阀装置（31）。
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公开(公告)号：CN102644051A
公开(公告)日：2012-08-22
申请号：CN201210035752.2
申请日：2012-02-16
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Abstract: 从蒸镀头喷射的成膜材料，在被处理基板和处理室或者其他的蒸镀头之间反冲，成膜材料附着于与应被蒸镀的位置不同的部位，或者作为杂质混入来自各成膜材料喷出部的蒸气混合的相邻的膜中。本发明是一种成膜装置(1)，具有：收纳被处理基板(被处理基板G)的处理室(11)；和向该被处理基板喷出成膜材料的蒸气的成膜材料喷出部(13)，该成膜装置(1)，在处理室(11)的内部具有捕捉部(16、16)，其捕捉从成膜材料喷出部(13)喷出的，被被处理基板(被处理基板G)反冲的成膜材料。
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公开(公告)号：CN100514576C
公开(公告)日：2009-07-15
申请号：CN200680007627.3
申请日：2006-02-20
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/316 , H01L21/31 , C23C16/455
CPC classification number: H01J37/32935 , C23C16/405 , C23C16/407 , C23C16/45544 , H01J37/3244 , H01J37/32568
Abstract: 本发明涉及一种基板处理方法，其是基板处理装置的基板处理方法，具特征在于，该基板处理装置具有：处理容器，其内部具有支承被处理基板并该被处理基板上供给第一处理气体或第二处理气体的第一空间和在该第一空间的周围形成的、与该第一空间连通的第二空间；排出所述第一空间的气体的第一排气单元；和排出所述第二空间的气体的第二排气单元。该基板处理方法具有：将所述第一处理气体供给所述第一空间的第一工序；从所述第一空间排出该第一处理气体的第二工序；将所述第二处理气体供给所述第一空间的第三工序；和从所述第一空间排出所述第二处理气体的第四工序。其中，所述第二空间的压力由供给到该第二空间的压力调整气体进行调整。
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公开(公告)号：CN101138076A
公开(公告)日：2008-03-05
申请号：CN200680007627.3
申请日：2006-02-20
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/316 , H01L21/31 , C23C16/455
CPC classification number: H01J37/32935 , C23C16/405 , C23C16/407 , C23C16/45544 , H01J37/3244 , H01J37/32568
Abstract: 本发明涉及一种基板处理方法，其是基板处理装置的基板处理方法，其特征在于，该基板处理装置具有：处理容器，其内部具有支承被处理基板并该被处理基板上供给第一处理气体或第二处理气体的第一空间和在该第一空间的周围形成的、与该第一空间连通的第二空间；排出所述第一空间的气体的第一排气单元；和排出所述第二空间的气体的第二排气单元。该基板处理方法具有：将所述第一处理气体供给所述第一空间的第一工序；从所述第一空间排出该第一处理气体的第二工序；将所述第二处理气体供给所述第一空间的第三工序；和从所述第一空间排出所述第二处理气体的第四工序。其中，所述第二空间的压力由供给到该第二空间的压力调整气体进行调整。
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