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公开(公告)号：CN114318254A
公开(公告)日：2022-04-12
申请号：CN202111499892.0
申请日：2019-08-09
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Abstract: 本发明提供一种成膜系统和成膜方法，能够以倾斜成膜为基础而进行自由度较高的溅射成膜。成膜系统的成膜装置具备：处理腔室；第1溅射粒子释放部和第2溅射粒子释放部，其分别具有在处理腔室的处理空间沿着互不相同的倾斜方向释放溅射粒子的靶；溅射粒子遮蔽板，其具有供溅射粒子穿过的穿过孔；基板支承部，其支承基板；基板移动机构，其使基板直线地移动；以及控制部。控制部以使基板直线地移动的方式进行控制，同时控制来自第1溅射粒子释放部和第2溅射粒子释放部的溅射粒子的释放，从第1溅射粒子释放部和第2溅射粒子释放部释放出来的溅射粒子在穿过孔穿过，并向基板上堆积。
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公开(公告)号：CN120048711A
公开(公告)日：2025-05-27
申请号：CN202411597436.3
申请日：2024-11-11
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Inventor： 品田正人 , 爱因斯坦·诺埃尔·阿巴拉
IPC: H01J37/32
Abstract: 本发明涉及基板处理装置。提供一种使处理容器内的屏蔽构件的温度稳定化的构造。基板处理装置具有：处理容器；温度调整构造，其在所述处理容器的侧壁的内部具有流路；屏蔽构件，其以接近所述流路的方式设于所述处理容器内；导电性构件，其设于所述侧壁的所述流路所位于的部分与所述屏蔽构件之间；导电性的缓冲构件，其被夹在所述屏蔽构件与所述导电性构件之间；以及多个固定构件，其设于所述侧壁与所述导电性构件之间，具有弹性和导电性，以将所述导电性构件向所述屏蔽构件按压的方式使所述导电性构件固定。
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公开(公告)号：CN114059030A
公开(公告)日：2022-02-18
申请号：CN202110848822.5
申请日：2021-07-27
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Abstract: 本发明提供能够提高溅射颗粒的入射角的控制性，且提高膜的均匀性的溅射装置和成膜方法。溅射装置包括：释放溅射颗粒的第一靶材和第二靶材；支承基片的基片支承部；以及隙缝板，其配置在上述靶材与上述基片之间，具有供上述溅射颗粒通过的隙缝部，上述隙缝部具有上述靶材侧的第一隙缝和上述基片侧的第二隙缝，上述第二隙缝具有向该第二隙缝内突出的第一突出部和第二突出部，配置成当从上述第一靶材观察上述隙缝部时，上述第一突出部被遮挡，配置成当从上述第二靶材观察上述隙缝部时，上述第二突出部被遮挡。
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公开(公告)号：CN113981391A
公开(公告)日：2022-01-28
申请号：CN202110805272.9
申请日：2021-07-16
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: C23C14/35
Abstract: 本发明提供限制靶材颗粒相对于基片入射的角度，控制靶材颗粒的指向性的进行溅射处理的装置和方法。在进行由形成于处理容器内的等离子体，从靶材使靶材颗粒释放而使其附着到载置于载置台的基片的溅射处理的装置中，利用磁体移动机构使设置于靶材的背面侧的磁体移动。在载置台与靶材之间设置彼此相对的2个限制板，根据磁体的移动，利用配置位置调节机构调节配置上述限制板的位置。利用上述限制板，能够限制从靶材释放出的靶材颗粒相对于载置在载置台的基片入射的角度，能够控制靶材颗粒的指向性。
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公开(公告)号：CN113375567A
公开(公告)日：2021-09-10
申请号：CN202110224635.X
申请日：2021-03-01
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Abstract: 本发明提供一种能够以in‑situ的方式测量成膜后的非常薄的膜的膜厚的膜厚测量装置、膜厚测量方法、成膜系统和成膜方法。膜厚测量装置是在成膜系统中以in‑situ的方式测量形成在基片上的膜的膜厚的膜厚测量装置。该膜厚测量装置包括：能够载置形成有膜的基片的载置台；测量光射出/检测单元，其具有向载置台上的基片射出膜厚测量用的光的光射出部，和接收光在基片反射后的反射光的受光传感器；使光在基片上的照射点移动的移动机构；测量受光传感器与基片上的照射点之间的距离的测距仪；和调节受光传感器与基片上的照射点之间的距离的距离调节机构。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN113337797B
公开(公告)日：2023-05-23
申请号：CN202110177569.5
申请日：2021-02-09
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Abstract: 本发明提供一种阴极组件和成膜装置。阴极组件具有：能够发射出溅射粒子的靶材；具有与靶材接合的金属制的冷却板的靶材冷却部；和对靶材进行供电的电源，靶材在溅射成膜时形成有相对高温的高温区域，冷却板具有：供冷却介质流通的冷却介质流通空间；以及在厚度方向上界定冷却介质流通空间的第1壁部和第2壁部，在冷却介质流通空间中，由与第1壁部和第2壁部结合在一起的第1分隔板以及仅与第1壁部和第2壁部的任一者结合在一起的第2分隔板形成冷却介质的流路，在冷却介质流通空间的与高温区域对应的部分不存在第1分隔板。根据本发明，能够抑制溅射时被加热的靶材的热膨胀所引起的剥离。
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公开(公告)号：CN114823462A
公开(公告)日：2022-07-29
申请号：CN202210014544.8
申请日：2022-01-07
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/683 , H01J37/32
Abstract: 本发明涉及载置台构造、基板处理装置以及基板处理装置的控制方法。提高基板的冷却效率。提供一种载置台构造，其具有：载置基板的载置台、冷却基板的冷冻机构、使所述载置台或所述冷冻机构升降的升降驱动部、以及设于所述冷冻机构与所述载置台的相对位置的触头，构成为能够利用由所述升降驱动部进行的所述载置台或所述冷冻机构的升降并隔着所述触头来使所述冷冻机构与所述载置台接触。
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公开(公告)号：CN113337797A
公开(公告)日：2021-09-03
申请号：CN202110177569.5
申请日：2021-02-09
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Abstract: 本发明提供一种阴极组件和成膜装置。阴极组件具有：能够发射出溅射粒子的靶材；具有与靶材接合的金属制的冷却板的靶材冷却部；和对靶材进行供电的电源，靶材在溅射成膜时形成有相对高温的高温区域，冷却板具有：供冷却介质流通的冷却介质流通空间；以及在厚度方向上界定冷却介质流通空间的第1壁部和第2壁部，在冷却介质流通空间中，由与第1壁部和第2壁部结合在一起的第1分隔板以及仅与第1壁部和第2壁部的任一者结合在一起的第2分隔板形成冷却介质的流路，在冷却介质流通空间的与高温区域对应的部分不存在第1分隔板。根据本发明，能够抑制溅射时被加热的靶材的热膨胀所引起的剥离。
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公开(公告)号：CN112020573A
公开(公告)日：2020-12-01
申请号：CN201980027716.1
申请日：2019-03-20
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Inventor： 品田正人 , 户岛宏至 , 爱因斯坦·诺埃尔·阿巴拉
Abstract: 成膜装置具有：在处理腔室内的处理空间保持用于发射溅射粒子的靶的靶保持部、从靶发射溅射粒子的溅射粒子发射单元、具有供溅射粒子穿过的穿过孔的溅射粒子遮蔽板、设为能够遮蔽穿过孔的遮蔽构件、使遮蔽构件沿水平方向移动的移动机构、以及控制部。控制部一边将在遮蔽构件的载置部载置有基板的遮蔽构件控制为沿水平方向的一个方向移动，一边从靶发射溅射粒子。穿过了穿过孔的溅射粒子沉积在基板。
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公开(公告)号：CN117545871A
公开(公告)日：2024-02-09
申请号：CN202280044357.2
申请日：2022-06-16
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: C23C14/34
Abstract: 成膜装置具备：处理容器；溅射用的靶材，其设置于所述处理容器内；载置台，其位于所述处理容器内且具有用于载置基板的载置面；遮挡构件，其能够覆盖所述载置面；搬送机构，其相对于所述载置台搬入和搬出所述遮挡构件；检测部，其设置于所述搬送机构自身，用于检测与有无所述遮挡构件有关的指标；以及处理部，其基于所述检测部的检测结果来判定在所述搬送机构有无所述遮挡构件。
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