公开(公告)号：CN113375567A

公开(公告)日：2021-09-10

申请号：CN202110224635.X

申请日：2021-03-01

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 品田正人 ,  竹山环 ,  小野一修 ,  铃木直行 ,  千早宏昭 ,  E·N·阿瓦拉

IPC: G01B11/06 ,  B32B9/00 ,  B32B9/04 ,  B32B33/00 ,  B32B38/18

Abstract: 本发明提供一种能够以in‑situ的方式测量成膜后的非常薄的膜的膜厚的膜厚测量装置、膜厚测量方法、成膜系统和成膜方法。膜厚测量装置是在成膜系统中以in‑situ的方式测量形成在基片上的膜的膜厚的膜厚测量装置。该膜厚测量装置包括：能够载置形成有膜的基片的载置台；测量光射出/检测单元，其具有向载置台上的基片射出膜厚测量用的光的光射出部，和接收光在基片反射后的反射光的受光传感器；使光在基片上的照射点移动的移动机构；测量受光传感器与基片上的照射点之间的距离的测距仪；和调节受光传感器与基片上的照射点之间的距离的距离调节机构。

公开(公告)号：CN113366139A

公开(公告)日：2021-09-07

申请号：CN201980090999.4

申请日：2019-09-20

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 今北健一 ,  小野一修 ,  北田亨 ,  佐藤圭祐 ,  五味淳 ,  横原宏行 ,  曽根浩

IPC: C23C14/34 ,  C23C14/58 ,  H01L43/10 ,  H01L43/12

Abstract: 成膜装置具备：处理容器；基板保持部，其在处理容器内保持基板；靶电极，其配置于基板保持部的上方，用于保持由金属构成的靶，并向靶提供来自电源的电力；氧化气体导入机构，其向基板供给氧化气体；以及气体供给部，其向靶配置空间供给非活性气体。从靶发射出该靶的构成金属来作为溅射粒子以在基板上沉积金属膜，通过从氧化气体导入机构导入的氧化气体对金属膜进行氧化来形成金属氧化膜。在氧化气体被导入时，气体供给部向靶配置空间供给非活性气体，使该靶配置空间的压力与处理空间的压力相比成为正压。