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公开(公告)号：CN111095499B
公开(公告)日：2024-08-16
申请号：CN201980004518.3
申请日：2019-05-10
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/3065 , H05H1/46
Abstract: 本发明提供一种在等离子体处理装置内使用的部件的形成方法，所述部件的形成方法包括一边供给第1陶瓷的原料和与该第1陶瓷不同的第2陶瓷的原料，一边对所述第1陶瓷的原料和所述第2陶瓷的原料照射能量束的工序。
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公开(公告)号：CN111092009B
公开(公告)日：2025-03-11
申请号：CN201910992484.5
申请日：2019-10-18
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01J37/32
Abstract: 本发明提供一种基片处理装置。基片处理装置包括：处理容器；载置台，其配置在上述处理容器的内部，能够载置基片；配置在上述处理容器与上述载置台之间的形成阳极的部件，上述部件具有供热交换介质流动的流路。本发明能够提高热响应性。
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公开(公告)号：CN117810155A
公开(公告)日：2024-04-02
申请号：CN202410183163.1
申请日：2020-01-21
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/683 , H01L21/67 , H01J37/32 , C23C16/458
Abstract: 本发明提供载置台和基片处理装置。基片处理装置包括：处理容器；和配置在所述处理容器内的一体形成的基台，所述基台在其内部包括：供第1温度的热媒流动的第1流路；配置在所述第1流路的下部的第1隔热空间；和第2流路，其配置在所述第1隔热空间的下部，供第2温度的热媒流动。
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公开(公告)号：CN111524850B
公开(公告)日：2024-03-08
申请号：CN202010069144.8
申请日：2020-01-21
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/683 , H01L21/67 , C23C16/458 , H01J37/32
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公开(公告)号：CN118969705A
公开(公告)日：2024-11-15
申请号：CN202411021692.8
申请日：2019-05-10
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/683 , H01J37/32 , C04B37/02
Abstract: 本发明提供一种部件的形成方法和等离子体处理装置，所述部件的形成方法包括一边供给第1陶瓷的原料和与该第1陶瓷不同的第2陶瓷的原料，一边对所述第1陶瓷的原料和所述第2陶瓷的原料照射能量束的工序。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN111092009A
公开(公告)日：2020-05-01
申请号：CN201910992484.5
申请日：2019-10-18
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01J37/32
Abstract: 本发明提供一种基片处理装置。基片处理装置包括：处理容器；载置台，其配置在上述处理容器的内部，能够载置基片；配置在上述处理容器与上述载置台之间的形成阳极的部件，上述部件具有供热交换介质流动的流路。本发明能够提高热响应性。
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公开(公告)号：CN111524850A
公开(公告)日：2020-08-11
申请号：CN202010069144.8
申请日：2020-01-21
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/683 , H01L21/67 , C23C16/458 , H01J37/32
Abstract: 本发明提供载置台和基片处理装置。载置台具有基台，能够载置基片。上述基台具有：供第1温度的热媒流动的第1流路；配置于上述第1流路的下部的第1隔热层；和配置于上述第1隔热层的下部的密封部件。本发明抑制密封部件的密封性能降低。
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公开(公告)号：CN111133562A
公开(公告)日：2020-05-08
申请号：CN201980004516.4
申请日：2019-05-10
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/3065 , C23C16/44 , H05H1/46
Abstract: 本发明提供一种在等离子体处理装置内使用的部件的形成方法，该部件的形成方法包括根据所述部件的表面状态一边供给该部件的原料，一边对所述原料照射能量束的工序。
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公开(公告)号：CN118969591A
公开(公告)日：2024-11-15
申请号：CN202411036974.5
申请日：2019-05-10
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01J37/32 , B22F10/28 , B22F10/366 , B33Y10/00 , H01L21/67
Abstract: 本发明提供一种在等离子体处理装置内使用的部件的形成方法，该部件的形成方法包括根据所述部件的表面状态一边供给该部件的原料，一边对所述原料照射能量束的工序。
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公开(公告)号：CN111133562B
公开(公告)日：2024-08-20
申请号：CN201980004516.4
申请日：2019-05-10
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/3065 , C23C16/44 , H05H1/46
Abstract: 本发明提供一种在等离子体处理装置内使用的部件的形成方法，该部件的形成方法包括根据所述部件的表面状态一边供给该部件的原料，一边对所述原料照射能量束的工序。
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