公开(公告)号：CN101407910B

公开(公告)日：2012-01-25

申请号：CN200810161876.9

申请日：2008-10-13

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 野寺伸武 ,  佐藤润 ,  山本和弥 ,  长谷部一秀

IPC: C23C16/34 ,  C23C16/42 ,  H01L21/00 ,  H01L21/318

CPC classification number: H01L21/3185 ,  C23C16/345 ,  C23C16/4405 ,  C23C16/45525

Abstract: 本发明涉及半导体处理用的成膜装置，其包括：具有按照在反应室内支承被处理基板的方式设定的多个支承层的支承部件；包括将成膜气体供给反应室的气体分散喷嘴的成膜气体供给系统；供给对附着在反应室内的副生成物膜进行蚀刻的清洁气体的清洁气体供给系统；和排出反应室内气体的排气系统。清洁气体供给系统包括在上端具有在反应室的底部附近指向上方的气体供给口，气体供给口位于比支承部件的支承层的最下层还靠下的位置。

公开(公告)号：CN102569030A

公开(公告)日：2012-07-11

申请号：CN201110448722.X

申请日：2011-12-28

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 池内俊之 ,  周保华 ,  山本和弥 ,  世良贤太郎

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/67 ,  C23C16/52 ,  C23C16/40 ,  C23C16/42

CPC classification number: C23C16/52 ,  C23C16/402 ,  C23C16/45546 ,  C23C16/46 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/02219 ,  H01L21/0228 ,  H01L21/67109 ,  H01L21/67248

Abstract: 本发明提供一种薄膜形成方法及薄膜形成装置。该薄膜形成装置的控制部在控制升温用加热器而将反应管内加热到装载温度之后，在反应管内收容半导体晶圆。接着，控制部在控制升温用加热器而将收容有半导体晶圆的反应管内加热到成膜温度之后，自处理气体导入管向反应管内供给成膜用气体而在半导体晶圆上形成薄膜。另外，控制部将装载温度设定为比成膜温度高的温度。

公开(公告)号：CN102543692A

公开(公告)日：2012-07-04

申请号：CN201110446839.4

申请日：2011-12-28

Applicant: 尔必达存储器株式会社 ,  东京毅力科创株式会社

Inventor： 藤井干 ,  松永正信 ,  山本和弥 ,  梅泽好太

IPC: H01L21/203 ,  H01L21/768

CPC classification number: C23C16/345 ,  C23C16/45542 ,  C23C16/45578 ,  H01L21/0217 ,  H01L21/02211 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/0228 ,  H01L21/76834

Abstract: 公开了一种用于形成氮化物膜的方法。其中公开了使用垂直炉的等离子体辅助ALD方法，并且通过重复循环直到获得期望的膜厚度来执行该方法。该循环包括引入包含待被氮化的源的源气体、吸收、吹扫、引入氮化气体并且氮化该源，并且随后吹扫。相对于引入源气体期间的第一运载气体的流量，减少引入氮化气体期间的第二运载气体的流量。特别地，作为氮化气体的NH3气体与作为第二运载气体的N2气体的流量比为50∶3或更低。

公开(公告)号：CN101096755A

公开(公告)日：2008-01-02

申请号：CN200710126883.0

申请日：2007-06-29

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 野寺伸武 ,  长谷部一秀 ,  山本和弥

IPC: C23C16/30 ,  H01L21/205 ,  H01L21/365

CPC classification number: H01L21/67109 ,  C23C16/4404 ,  C23C16/4405 ,  Y10S438/905

Abstract: 本发明涉及一种成膜装置的使用方法，在所述成膜装置的反应室内，在被处理基板上形成选自氮化硅膜和氧氮化硅膜中的制品膜，在从所述反应室卸载所述被处理基板后，进行下一工序。首先，对附着在所述反应室的所述内面的副生成物膜进行氮化，此处，将所述反应室的所述内面加热至后处理温度，并将氮化用的后处理气体供给至所述反应室内。接着，通过将所述反应室的所述内面从上述后处理温度急冷，利用热应力使氮化后所述副生成物膜龟裂。通过对所述反应室内进行强制排起，排出由此从所述内面剥离的所述副生成物膜的部分。

公开(公告)号：CN103354202B

公开(公告)日：2016-08-10

申请号：CN201310258380.4

申请日：2010-01-22

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 福岛讲平 ,  高桥俊树 ,  松浦广行 ,  本山丰 ,  山本和弥

IPC: H01J37/32

CPC classification number: C23C16/345 ,  C23C16/4401 ,  C23C16/452 ,  H01J37/321 ,  H01J37/3244

Abstract: 本发明提供一种等离子处理装置。用于同时对多张被处理体实施等离子处理的立式等离子处理装置具有用于使处理气体等离子化的活化机构。活化机构包括：等离子体生成箱，其为纵长形状，与处理区域相对应地安装在处理容器上、且用于封闭与处理区域气密地连通的等离子体产生区域；ICP电极，其沿等离子体生成箱的长度方向配置在等离子体生成箱的外侧；高频电源，其与电极相连接。ICP电极具有自等离子体生成箱的壁面离开规定距离的离开部分。

公开(公告)号：CN103354202A

公开(公告)日：2013-10-16

申请号：CN201310258380.4

申请日：2010-01-22

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 福岛讲平 ,  高桥俊树 ,  松浦广行 ,  本山丰 ,  山本和弥

IPC: H01J37/32

CPC classification number: C23C16/345 ,  C23C16/4401 ,  C23C16/452 ,  H01J37/321 ,  H01J37/3244

Abstract: 本发明提供一种等离子处理装置。用于同时对多张被处理体实施等离子处理的立式等离子处理装置具有用于使处理气体等离子化的活化机构。活化机构包括：等离子体生成箱，其为纵长形状，与处理区域相对应地安装在处理容器上、且用于封闭与处理区域气密地连通的等离子体产生区域；ICP电极，其沿等离子体生成箱的长度方向配置在等离子体生成箱的外侧；高频电源，其与电极相连接。ICP电极具有自等离子体生成箱的壁面离开规定距离的离开部分。

公开(公告)号：CN102345111A

公开(公告)日：2012-02-08

申请号：CN201110217038.0

申请日：2011-07-29

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 池内俊之 ,  周保华 ,  山本和弥 ,  世良贤太郎

IPC: C23C16/40 ,  C23C16/455 ,  H01L21/31

Abstract: 本发明提供一种使用成膜装置在被处理体上形成由氧化硅膜构成的薄膜的成膜方法和成膜装置，该成膜装置包括：处理容器；原料气体供给系统，其具有第1开闭阀，能向处理容器内供给原料气体；反应气体供给系统，其具有第2开闭阀，能向处理容器内供给反应气体；真空排气系统，其具有第3开闭阀，能将处理容器内的气氛气体排成而成为真空，其中，吸附工序和反应工序存在间歇期间地交替反复多次，该吸附工序为，关闭第3开闭阀，打开第1开闭阀规定期间，向处理容器供给原料气体之后，将其关闭，保持该状态规定期间，使原料气体吸附于被处理体的表面；该反应工序为，打开第2开闭阀，向处理容器内供给反应气体，使反应气体与原料气体反应而形成薄膜。

公开(公告)号：CN101407910A

公开(公告)日：2009-04-15

申请号：CN200810161876.9

申请日：2008-10-13

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 野寺伸武 ,  佐藤润 ,  山本和弥 ,  长谷部一秀

IPC: C23C16/34 ,  C23C16/42 ,  H01L21/00 ,  H01L21/318

CPC classification number: H01L21/3185 ,  C23C16/345 ,  C23C16/4405 ,  C23C16/45525

Abstract: 本发明涉及半导体处理用的成膜装置，其包括：具有按照在反应室内支承被处理基板的方式设定的多个支承层的支承部件；包括将成膜气体供给反应室的气体分散喷嘴的成膜气体供给系统；供给对附着在反应室内的副生成物膜进行蚀刻的清洁气体的清洁气体供给系统；和排出反应室内气体的排气系统。清洁气体供给系统包括在上端具有在反应室的底部附近指向上方的气体供给口，气体供给口位于比支承部件的支承层的最下层还靠下的位置。

公开(公告)号：CN102569030B

公开(公告)日：2016-04-20

申请号：CN201110448722.X

申请日：2011-12-28

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 池内俊之 ,  周保华 ,  山本和弥 ,  世良贤太郎

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/67 ,  C23C16/52 ,  C23C16/40 ,  C23C16/42

CPC classification number: C23C16/52 ,  C23C16/402 ,  C23C16/45546 ,  C23C16/46 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/02219 ,  H01L21/0228 ,  H01L21/67109 ,  H01L21/67248

Abstract: 本发明提供一种薄膜形成方法及薄膜形成装置。该薄膜形成装置的控制部在控制升温用加热器而将反应管内加热到装载温度之后，在反应管内收容半导体晶圆。接着，控制部在控制升温用加热器而将收容有半导体晶圆的反应管内加热到成膜温度之后，自处理气体导入管向反应管内供给成膜用气体而在半导体晶圆上形成薄膜。另外，控制部将装载温度设定为比成膜温度高的温度。

公开(公告)号：CN102296280B

公开(公告)日：2014-12-10

申请号：CN201110170022.9

申请日：2011-06-21

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 村上博纪 ,  长谷部一秀 ,  山本和弥 ,  高桥敏彦 ,  铃木大介

IPC: C23C16/40

CPC classification number: C23C16/401 ,  C23C16/45523

Abstract: 本发明提供成膜方法及成膜装置。该成膜方法用于在处理容器内在被处理体的表面形成氧化硅膜，其包括：吸附工序，向处理容器内供给由硅烷系气体构成的晶种气体并使上述晶种气体吸附在被处理体的表面；膜形成工序，向处理容器内供给作为原料气体的含硅气体和含杂质的添加气体而形成被添加了杂质的硅膜；氧化工序，使硅膜氧化而将其转换成氧化硅膜。由此，在被处理体的表面形成高密度且高应力的氧化硅膜。