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公开(公告)号：CN107815667B
公开(公告)日：2021-03-16
申请号：CN201710820931.X
申请日：2017-09-13
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/205
Abstract: 本发明提供一种能够控制面间均匀性的基板处理装置。一实施方式的基板处理装置具有：内管，其收容多张基板；外管，其包围所述内管；可动壁，其设置成能够在所述内管的内部或所述内管与所述外管之间移动；气体供给部件，其向所述基板供给处理气体；以及排气部件，其对向所述基板供给的所述处理气体进行排气，在所述内管的侧壁形成有第1开口部，在所述可动壁形成有第2开口部，所述排气部件经由所述第1开口部和所述第2开口部对向所述基板供给的所述处理气体进行排气。
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公开(公告)号：CN107017181B
公开(公告)日：2021-02-12
申请号：CN201610917830.X
申请日：2016-10-20
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/67
Abstract: 本发明提供一种立式热处理装置，该立式热处理装置包括：基板保持器具，其具有：支柱；基板保持部，其沿着所述支柱设有多个，用于分别保持基板；气流引导部，其针对每个基板设于所述支柱，以其周缘部向比基板靠外侧的位置伸出的方式形成；升降台，其用于支承所述基板保持器具而将所述基板保持器具从所述反应容器的下方输入所述反应容器；旋转机构，其设于所述升降台，用于使所述基板保持器具绕纵轴旋转；处理气体供给口和排气口，其分别设于保持有所述多个基板的基板保持区域的后方侧和前方侧；整流部，其以在所述基板保持区域的左右从外侧朝向彼此相邻的气流引导部之间的空间突出而面对该空间的方式相对于所述基板保持器具独立地设置。
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公开(公告)号：CN107868946A
公开(公告)日：2018-04-03
申请号：CN201710887853.5
申请日：2017-09-27
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: C23C16/455 , H01L21/02
CPC classification number: C23C16/45578 , C23C16/45587 , C23C16/4583 , C23C16/4584 , H01L21/02104
Abstract: 提供一种能够控制对基板实施的处理的面内分布的气体导入机构和处理装置。气体导入机构是为了在处理容器内使用预定的气体对基板实施预定的处理而设于所述处理容器的，具有：歧管，其配置于所述处理容器的下端部，具有：喷射器支承部，其沿着所述处理容器的内壁面上下延伸，并且具有喷射器能够插入且能够外嵌支承该喷射器的插入孔；气体导入部，其从所述喷射器支承部向外侧伸出，在内部具有将所述插入孔和所述处理容器的外部连通而气体可流通的气体流路；喷射器，其插入所述插入孔，沿着所述内壁面整体呈直线状延伸，并且，在插入到所述插入孔的部位具有与所述气体流路连通的开口；旋转机构，其与所述喷射器的下端部连接，使所述喷射器旋转。
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公开(公告)号：CN107815667A
公开(公告)日：2018-03-20
申请号：CN201710820931.X
申请日：2017-09-13
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: C23C16/455 , H01L21/67
Abstract: 本发明提供一种能够控制面间均匀性的基板处理装置。一实施方式的基板处理装置具有：内管，其收容多张基板；外管，其包围所述内管；可动壁，其设置成能够在所述内管的内部或所述内管与所述外管之间移动；气体供给部件，其向所述基板供给处理气体；以及排气部件，其对向所述基板供给的所述处理气体进行排气，在所述内管的侧壁形成有第1开口部，在所述可动壁形成有第2开口部，所述排气部件经由所述第1开口部和所述第2开口部对向所述基板供给的所述处理气体进行排气。
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公开(公告)号：CN112962084B
公开(公告)日：2023-06-02
申请号：CN202110135975.5
申请日：2017-09-13
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: C23C16/455 , H01L21/67
Abstract: 本发明提供一种能够控制面间均匀性的基板处理装置。一实施方式的基板处理装置具有：内管，其收容多张基板；外管，其包围所述内管；可动壁，其设置成能够在所述内管的内部或所述内管与所述外管之间移动；气体供给部件，其向所述基板供给处理气体；以及排气部件，其对向所述基板供给的所述处理气体进行排气，在所述内管的侧壁形成有第1开口部，在所述可动壁形成有第2开口部，所述排气部件经由所述第1开口部和所述第2开口部对向所述基板供给的所述处理气体进行排气。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN107236937B
公开(公告)日：2020-12-15
申请号：CN201710191098.7
申请日：2017-03-28
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: C23C16/455
Abstract: 本发明提供一种基板处理装置、气体供给方法、基板处理方法和成膜方法。该基板处理装置具有：处理容器，其能够收纳基板；压力检测单元，其测定该处理容器内的压力；排气侧阀，其设置于将该处理容器内进行排气的排气管；气体贮存罐，其经由气体供给管而与所述处理容器连接；气体量测定单元，其测定该气体贮存罐中贮存的气体量；以及控制阀，其设置于所述第一气体供给管，基于由所述压力检测单元检测出的所述处理容器内的压力改变阀开度，来控制从所述气体贮存罐向所述处理容器供给的气体的流路面积，由此能够控制所述处理容器内的压力。
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公开(公告)号：CN104947081B
公开(公告)日：2018-09-07
申请号：CN201510142574.7
申请日：2015-03-27
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Inventor： 福岛讲平
IPC: C23C16/455 , C23C16/52 , C23C16/34
CPC classification number: C23C16/45557 , C23C16/345 , C23C16/4412 , C23C16/45544 , C23C16/45546 , C23C16/52 , H01L21/0217 , H01L21/02211 , H01L21/02274 , H01L21/0228
Abstract: 本发明涉及成膜装置和成膜方法。该成膜装置向形成为真空气氛的反应容器内交替地供给原料气体和与该原料气体发生反应而生成反应生成物的反应气体，而在该反应容器内的基板上形成薄膜，其特征在于，包括：原料气体供给部，设于原料气体的供给路径的端部，向反应容器内供给原料气体；压力调整用阀，设置在用于对反应容器内进行真空排气的真空排气路径上；分别设置在绕过压力调整用阀的旁路上、将反应容器内的压力限制为预先设定的压力的压力限制用阀和开闭阀；罐，设置在原料气体的供给路径的中途，用于将原料气体以升压后的状态储存；流量调整用阀，设于原料气体的供给路径上的靠罐的下游侧的部分；以及控制部。
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公开(公告)号：CN104947075B
公开(公告)日：2018-07-20
申请号：CN201510131832.1
申请日：2015-03-24
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: C23C16/44
CPC classification number: C23C16/4411 , C23C16/4401 , C23C16/45546 , C23C16/46
Abstract: 本发明提供立式热处理装置的运转方法和立式热处理装置。该立式热处理装置的运转方法是运转立式热处理装置的方法，该立式热处理装置使被加热机构包围的立式的反应管内成为真空气氛后，向所述反应管内的基板供给成膜用的气体而进行成膜处理，其中，该热处理装置的运转方法包括以下工序：将以搁板状保持有多个基板的基板保持件搬入到所述反应管内，对所述基板进行成膜处理；从所述反应管搬出所述基板保持件；以及向所述反应管内搬入冷却用的器具而将所述反应管的内壁冷却，利用热应力使附着在该内壁上的薄膜剥离，并且利用热泳将该薄膜捕集在所述冷却用的器具上。
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公开(公告)号：CN104947081A
公开(公告)日：2015-09-30
申请号：CN201510142574.7
申请日：2015-03-27
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Inventor： 福岛讲平
IPC: C23C16/455 , C23C16/52 , C23C16/34
CPC classification number: C23C16/45557 , C23C16/345 , C23C16/4412 , C23C16/45544 , C23C16/45546 , C23C16/52 , H01L21/0217 , H01L21/02211 , H01L21/02274 , H01L21/0228
Abstract: 本发明涉及成膜装置和成膜方法。该成膜装置向形成为真空气氛的反应容器内交替地供给原料气体和与该原料气体发生反应而生成反应生成物的反应气体，而在该反应容器内的基板上形成薄膜，其特征在于，包括：原料气体供给部，设于原料气体的供给路径的端部，向反应容器内供给原料气体；压力调整用阀，设置在用于对反应容器内进行真空排气的真空排气路径上；分别设置在绕过压力调整用阀的旁路上、将反应容器内的压力限制为预先设定的压力的压力限制用阀和开闭阀；罐，设置在原料气体的供给路径的中途，用于将原料气体以升压后的状态储存；流量调整用阀，设于原料气体的供给路径上的靠罐的下游侧的部分；以及控制部。
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公开(公告)号：CN101051606B
公开(公告)日：2010-05-26
申请号：CN200710095828.X
申请日：2007-04-05
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/00 , H01L21/31 , H01L21/318 , H01L21/205 , H01L21/285 , H01L21/3205 , H01L21/768 , C23C16/00 , C23C16/455 , C23C16/34
CPC classification number: C23C16/45578 , C23C16/345 , C23C16/452 , C23C16/45536 , C23C16/45546 , C23C16/45574
Abstract: 一种半导体处理用的立式等离子体处理装置，包括处理容器，该处理容器具有收纳隔开间隔而层积的多个被处理基板的处理区域和偏离上述处理区域的边缘空间。当处理被处理基板时，通过同时从处理气体供给系统将处理气体供给处理区域、和从阻挡气体供给系统将阻挡气体供给边缘空间，抑制处理气体流入边缘空间。
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