公开(公告)号：CN102080219B

公开(公告)日：2015-05-13

申请号：CN201010568506.4

申请日：2010-11-26

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 松永正信 ,  周保华 ,  米泽雅人 ,  长谷川雅之 ,  长谷部一秀

IPC: C23C16/455 ,  C23C16/458 ,  C23C16/34 ,  C23C16/52

CPC classification number: C23C16/345 ,  C23C16/4404 ,  C23C16/45542 ,  C23C16/45546

Abstract: 本发明提供一种立式成膜装置及其使用方法。该立式成膜装置的使用方法在不存在产品用被处理体的状态的处理容器内，进行用覆膜包覆处理容器的内壁的覆膜处理，接着，在收纳有保持了产品用被处理体的状态的保持构件的处理容器内，进行在产品用被处理体上形成规定的膜的成膜处理。在覆膜处理中，将第1处理气体和第2处理气体交替地供给到处理容器内且均不将第1处理气体和第2处理气体等离子化就供给到处理容器内。在成膜处理中，一边利用等离子体生成系统将第1处理气体和第2处理气体中的至少一种气体等离子化而供给到处理容器内一边将第1处理气体和第2处理气体交替地供给到处理容器内。

公开(公告)号：CN102242350B

公开(公告)日：2014-12-31

申请号：CN201110126549.1

申请日：2011-05-13

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 周保华 ,  梅泽好太 ,  渡边要介 ,  长谷川雅之

IPC: C23C16/40 ,  C23C16/44 ,  C23C16/52

CPC classification number: C23C16/402

Abstract: 本发明提供一种成膜方法和成膜装置。该成膜方法为，向处理容器内搬入被处理体(半导体晶圆)，使被处理体的温度为350℃以下，向上述处理容器内供给作为Si源气体的氨基硅烷气体和氧化气体，在被处理体表面上形成氧化硅膜时，作为氧化气体，使用由第1氧化气体和第2氧化气体构成的气体，该第1氧化气体由O2气体和O3气体中的至少一种气体构成，该第2氧化气体由H2O气体和H2O2气体中的至少一种气体构成。

公开(公告)号：CN101005029B

公开(公告)日：2013-01-02

申请号：CN200710001998.7

申请日：2007-01-16

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 周保华 ,  长谷部一秀

IPC: H01L21/314 ,  C23C16/30 ,  C23C16/455 ,  G05D7/06

CPC classification number: H01L21/0228 ,  C23C16/36 ,  C23C16/452 ,  C23C16/45531 ,  C23C16/45546 ,  H01L21/02167 ,  H01L21/02211 ,  H01L21/3148 ,  H01L21/318

Abstract: 在可选择地供给含有硅烷类气体的第一处理气体、含有氮化气体的第二处理气体和含有碳氢化合物气体的第三处理气体的处理区域内，通过CVD在被处理基板上形成绝缘膜。该成膜方法，重复实行：对处理区域供给第一处理气体，对处理区域供给第二处理气体，和对处理区域供给第三处理气体。第三处理气体的供给，包括将第三处理气体在由激发机构激发的状态下供给至处理区域的激发期间。

公开(公告)号：CN102677021A

公开(公告)日：2012-09-19

申请号：CN201210045124.2

申请日：2012-02-24

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 铃木启介 ,  周保华 ,  张德清

IPC: C23C16/455 ,  H01L21/203

CPC classification number: H01L21/0228 ,  C23C16/345 ,  C23C16/45527 ,  C23C16/52 ,  H01L21/0217

Abstract: 本发明提供成膜方法和成膜装置。该成膜方法通过向基板交替供给至少第1原料气体和第2原料气体而在基板上堆积由第1原料气体和第2原料气体的反应产生的反应生成物质的薄膜。该方法包括：不向用于收容基板的处理容器内供给气体而对处理容器内进行真空排气的步骤；向处理容器内供给非活性气体直到处理容器内成为规定压力的步骤；在处理容器内的真空排气停止的状态下向以规定压力充满了非活性气体的处理容器内供给第1原料气体的步骤；停止供给第1原料气体并且对处理容器内进行真空排气的步骤；向处理容器内供给第2原料气体的步骤；停止供给第2原料气体并且对处理容器内进行真空排气的步骤。

公开(公告)号：CN102569030A

公开(公告)日：2012-07-11

申请号：CN201110448722.X

申请日：2011-12-28

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 池内俊之 ,  周保华 ,  山本和弥 ,  世良贤太郎

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/67 ,  C23C16/52 ,  C23C16/40 ,  C23C16/42

CPC classification number: C23C16/52 ,  C23C16/402 ,  C23C16/45546 ,  C23C16/46 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/02219 ,  H01L21/0228 ,  H01L21/67109 ,  H01L21/67248

Abstract: 本发明提供一种薄膜形成方法及薄膜形成装置。该薄膜形成装置的控制部在控制升温用加热器而将反应管内加热到装载温度之后，在反应管内收容半导体晶圆。接着，控制部在控制升温用加热器而将收容有半导体晶圆的反应管内加热到成膜温度之后，自处理气体导入管向反应管内供给成膜用气体而在半导体晶圆上形成薄膜。另外，控制部将装载温度设定为比成膜温度高的温度。

公开(公告)号：CN102534615A

公开(公告)日：2012-07-04

申请号：CN201110458006.X

申请日：2011-12-27

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 佐藤润 ,  周保华

IPC: C23C28/00 ,  C23C16/40 ,  C23C16/455 ,  H01L21/316

CPC classification number: H01L21/02304 ,  C23C16/0272 ,  C23C16/0281 ,  C23C16/402 ,  C23C16/45525 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/02211 ,  H01L21/02271 ,  H01L21/02299 ,  H01L21/02312

Abstract: 本发明提供向钨膜或者氧化钨膜上形成氧化硅膜的成膜方法。其包括以下工序：在被处理体上形成钨膜或者氧化钨膜的工序(步骤1)；在钨膜或者氧化钨膜上形成晶种层的工序(步骤2)；在晶种层上形成氧化硅膜的工序(步骤3)，通过加热被处理体并将氨基硅烷系气体供给到钨膜或者氧化钨膜的表面而将上述晶种层形成在钨膜或者氧化钨膜上。

公开(公告)号：CN101135046B

公开(公告)日：2011-12-21

申请号：CN200710147867.X

申请日：2007-08-31

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 长谷部一秀 ,  周保华 ,  梅泽好太 ,  门永健太郎 ,  张皓翔

IPC: C23C16/44 ,  C23C16/52 ,  H01L21/205 ,  H01L21/365

CPC classification number: C23C16/45525 ,  C03C17/225 ,  C03C2217/281 ,  C03C2217/282 ,  C03C2217/283 ,  C03C2218/152 ,  C23C16/30 ,  C23C16/45542 ,  C23C16/45546 ,  C23C16/45578

Abstract: 本发明提供一种半导体处理用的成膜方法，在能够有选择地供给含有硅烷系气体的第一处理气体、含有氮化气体或氧氮化气体的第二处理气体、含有含硼的气体的第三处理气体和含有碳氢化合物气体的第四处理气体的处理区域内，通过CVD在被处理基板上形成绝缘膜。在第一工序中，供给第一处理气体、和第三与第四处理气体中之一的先行气体，另一方面，停止供给第二处理气体、和第三与第四处理气体中的另一种的后行气体。在第二工序中，供给后行气体，另一方面，停止供给第二处理气体和先行气体。在第三工序中，供给第二处理气体，另一方面，停止供给第一处理气体。

公开(公告)号：CN100539026C

公开(公告)日：2009-09-09

申请号：CN200510080241.2

申请日：2005-06-28

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 长谷部一秀 ,  周保华

IPC: H01L21/205 ,  H01L21/31 ,  H01L21/00 ,  C23C16/455

Abstract: 本发明涉及半导体处理用的成膜方法，该成膜方法是向容纳被处理基板的处理容器内供给成膜用的第一处理气体和与第一处理气体反应的第二处理气体，通过CVD在被处理基板上形成薄膜的方法。此成膜方法交叉的包括第一至第四工序。在第一工序中，向处理区域供给第一和第二处理气体。在第二工序中，停止向处理区域供给第一和第二处理气体。在第三工序中，在向处理区域供给第二处理气体的同时，停止向处理区域供给第一处理气体。在第四工序中，停止向处理区域供给第一和第二处理气体。

公开(公告)号：CN100474515C

公开(公告)日：2009-04-01

申请号：CN200510077437.6

申请日：2005-06-21

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 长谷部一秀 ,  周保华 ,  金采虎

IPC: H01L21/205 ,  H01L21/31 ,  H01L21/365 ,  H01L21/469 ,  C23C16/455

Abstract: 本发明提供一种半导体处理用的成膜装置，包括向处理容器内供给用于在被处理基板上堆积薄膜的原料气体的原料气体供给系统、以及向处理容器内供给用于向薄膜中导入杂质的掺杂气体和用于稀释掺杂气体的混合气体的混合气体供给系统。混合气体供给系统包括：用于混合掺杂气体和稀释气体以形成混合气体并设置在处理容器外的气体混合箱体，从气体混合箱体向处理容器内供给混合气体的供给线，向气体混合箱体供给掺杂气体的掺杂气体供给系统，以及向气体混合箱体供给稀释气体的稀释气体供给系统。

公开(公告)号：CN101325160A

公开(公告)日：2008-12-17

申请号：CN200810142874.5

申请日：2008-06-11

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 野寺伸武 ,  松永正信 ,  长谷部一秀 ,  梅泽好太 ,  周保华

IPC: H01L21/318 ,  C23C16/34

CPC classification number: H01L21/0217 ,  C23C16/345 ,  C23C16/45527 ,  C23C16/45542 ,  C23C16/45546 ,  H01L21/0228 ,  H01L21/3141 ,  H01L21/3185

Abstract: 本发明提供一种半导体处理用成膜方法和装置。在能够选择性地供给包括硅烷气体的第一处理气体和包括氮化气体的第二处理气体的处理区域内进行多个循环，在被处理基板上形成氮化硅膜。各循环包括：进行第一处理气体的供给，另一方面，维持遮断第二处理气体的供给的第一供给工序；和进行第二处理气体的供给，另一方面，维持遮断第一处理气体的供给第二供给工序。该方法多个重复执行以下循环：第二供给工序包括激励第二处理气体的激励期间的第一循环组和第二供给工序不包括激励第二处理气体的期间的第二循环组。