公开(公告)号：CN102543692A

公开(公告)日：2012-07-04

申请号：CN201110446839.4

申请日：2011-12-28

Applicant: 尔必达存储器株式会社 ,  东京毅力科创株式会社

Inventor： 藤井干 ,  松永正信 ,  山本和弥 ,  梅泽好太

IPC: H01L21/203 ,  H01L21/768

CPC classification number: C23C16/345 ,  C23C16/45542 ,  C23C16/45578 ,  H01L21/0217 ,  H01L21/02211 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/0228 ,  H01L21/76834

Abstract: 公开了一种用于形成氮化物膜的方法。其中公开了使用垂直炉的等离子体辅助ALD方法，并且通过重复循环直到获得期望的膜厚度来执行该方法。该循环包括引入包含待被氮化的源的源气体、吸收、吹扫、引入氮化气体并且氮化该源，并且随后吹扫。相对于引入源气体期间的第一运载气体的流量，减少引入氮化气体期间的第二运载气体的流量。特别地，作为氮化气体的NH3气体与作为第二运载气体的N2气体的流量比为50∶3或更低。