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公开(公告)号：CN101819918B
公开(公告)日：2014-03-12
申请号：CN201010102641.X
申请日：2010-01-22
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/00
CPC classification number: C23C16/345 , C23C16/4401 , C23C16/452 , H01J37/321 , H01J37/3244
Abstract: 本发明提供一种等离子处理装置。用于同时对多张被处理体实施等离子处理的立式等离子处理装置具有用于使处理气体等离子化的活化机构。活化机构包括：等离子体生成箱，其为纵长形状，与处理区域相对应地安装在处理容器上、且用于封闭与处理区域气密地连通的等离子体产生区域；ICP电极，其沿等离子体生成箱的长度方向配置在等离子体生成箱的外侧；高频电源，其与电极相连接。ICP电极具有自等离子体生成箱的壁面离开规定距离的离开部分。
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公开(公告)号：CN101378007B
公开(公告)日：2013-03-27
申请号：CN200810171431.9
申请日：2008-08-29
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/00 , H01L21/318 , C23C16/509 , H01J37/32 , H05H1/46
Abstract: 本发明提供一种等离子体处理装置，对多个被处理体同时实施等离子体处理的立式等离子体处理装置，具备使处理气体等离子体化的活性化机构。活性化机构包括：对应于处理区域安装在处理容器上、且形成与处理区域气密地连通的等离子体生成区域的纵长的等离子体生成箱；配设于等离子体生成箱的ICP电极；和与电极连接的高频电源。
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公开(公告)号：CN102163530A
公开(公告)日：2011-08-24
申请号：CN201110054175.7
申请日：2008-08-29
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01J37/32 , C23C16/509 , H01L21/00
Abstract: 本发明提供一种等离子体处理装置，对多个被处理体同时实施等离子体处理的立式等离子体处理装置，具备使处理气体等离子体化的活性化机构。活性化机构包括：对应于处理区域安装在处理容器上、且形成与处理区域气密地连通的等离子体生成区域的纵长的等离子体生成箱；配设于等离子体生成箱的ICP电极；和与电极连接的高频电源。
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公开(公告)号：CN101477944A
公开(公告)日：2009-07-08
申请号：CN200810170271.6
申请日：2004-02-03
Applicant: 日本奥特克株式会社 , 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/00 , H01L21/3065 , H01J37/32 , H05H1/46
Abstract: 本发明提供一种等离子体处理装置及其使用的电极以及电极制造方法，该等离子体处理装置是在被处理基板上实施等离子体处理的等离子体处理装置，包括：收纳所述被处理基板的能够减压的处理容器；设置在所述处理容器内的第一电极；向所述处理容器内供给处理气体的供给系统；和用于生成所述处理气体的等离子体，在所述处理容器内形成高频电场的电场形成系统，其中，所述第一电极具有离散地形成在所述第一电极的主面上并且向着生成所述等离子体的空间一侧突出的多个凸部，在所述第一电极的主面上，在所述凸部之间设置有介电体，在所述第一电极的主面上，所述凸部的密度被设定成从电极中心部向着电极边缘部逐渐增大。
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公开(公告)号：CN1647256A
公开(公告)日：2005-07-27
申请号：CN03807528.8
申请日：2003-03-28
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/3065
CPC classification number: H01J37/32834 , H01J37/32633
Abstract: 提供了一种可提高处理区域内的处理气体排气效率，和可以可靠抑制等离子体泄漏的等离子体处理装置。磁控管式平行平板等离子体处理装置(30)具有处理室容器(3)；处理室容器(3)包括：在其顶部有多个气体导入孔的上部电极(1)；在其下部有顶部带有载置作为被处理体的半导体晶片(W)的载置面的下部电极(2)；和在下部电极(2)的顶部位置上，将处理室容器(3)内部隔离成处理区域(8)和排气区域(9)的隔离板(50)。隔离板(50具有应将处理区域(8)内的处理气体排出至排气区域(9)的、连通处理区域(8)和排气区域(9)的多个气体通路孔(5a)；同时由非导电性部(5b)构成。在与气体通路孔(5a)相对的气体通路侧面(20b)上配置导电性部件(5c)。在导电性部件(5c)上，由电源(21)加电压(V)，使气体通路侧面(20b)的电位比处理区域面(20a)的电位高。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101494163B
公开(公告)日：2012-06-27
申请号：CN200910005625.6
申请日：2009-01-20
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/00 , H01L21/67 , H01L21/324
CPC classification number: H01L21/67109
Abstract: 本发明提供一种处理装置和处理方法，该处理装置对被处理体(W)进行热处理。处理装置具有：能够收容多个被处理体(W)的处理容器(22)；设于处理容器(22)外侧的感应加热用线圈部(104)；对感应加热用线圈部(104)施加高频电力的高频电源(110)；将气体导入处理容器(22)内的气体供给部(90)；在处理容器(22)内保持被处理体(W)的保持部(24)；和通过来自感应加热用线圈部(104)的高频感应加热并加热被处理体(W)的感应发热体(N)。在感应发热体(N)上形成有用于控制在该感应发热体(N)上产生的涡电流的流动的切口状的槽部。
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公开(公告)号：CN101477944B
公开(公告)日：2010-10-20
申请号：CN200810170271.6
申请日：2004-02-03
Applicant: 日本奥特克株式会社 , 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/00 , H01L21/3065 , H01J37/32 , H05H1/46
Abstract: 本发明提供一种等离子体处理装置及其使用的电极以及电极制造方法，该等离子体处理装置是在被处理基板上实施等离子体处理的等离子体处理装置，包括：收纳所述被处理基板的能够减压的处理容器；设置在所述处理容器内的第一电极；向所述处理容器内供给处理气体的供给系统；和用于生成所述处理气体的等离子体，在所述处理容器内形成高频电场的电场形成系统，其中，所述第一电极具有离散地形成在所述第一电极的主面上并且向着生成所述等离子体的空间一侧突出的多个凸部，在所述第一电极的主面上，在所述凸部之间设置有介电体，在所述第一电极的主面上，所述凸部的密度被设定成从电极中心部向着电极边缘部逐渐增大。
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公开(公告)号：CN1745463A
公开(公告)日：2006-03-08
申请号：CN200480003417.8
申请日：2004-02-03
Applicant: 日本奥特克株式会社 , 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/3065
Abstract: 本发明提供一种在被处理基板(W)上实施等离子体处理的等离子体处理装置，包括收纳被处理基板的能够减压的处理容器(10)。在处理容器内配置有第一电极(12)。为了使处理气体供给到处理容器内而配置有供给系统(62)。为了生成处理气体的等离子体而配置在处理容器内形成高频电场的电场形成系统(32)。在第一电极(12)的主面上，离散地形成有向着等离子体生成空间一侧突出的多个凸部(70)。
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公开(公告)号：CN104051213B
公开(公告)日：2016-08-03
申请号：CN201410081006.6
申请日：2008-08-29
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01J37/32 , C23C16/509
Abstract: 本发明提供一种等离子体处理装置，对被处理体实施等离子体处理，其包括：能够抽真空的圆筒状的处理容器；保持多个被处理体向处理容器内插拔的保持单元；向处理容器内供给气体的气体供给单元；和利用等离子体使气体活性化的活性化单元，其中，活性化单元由沿处理容器长边方向配设的等离子体生成箱、沿等离子体生成箱配设的电感耦合型电极和连接到电感耦合型电极的高频电源构成，电感耦合型电极在等离子体生成箱的一端折返，沿等离子体生成箱的两侧壁配设，等离子体生成箱由截面“コ”状的等离子体区分壁区分形成，该等离子体区分壁由相对的一对侧壁和连接该侧壁的一端侧的背面壁构成，串联连接成为一部分被切去的状态的多个环状电极而形成电极。
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公开(公告)号：CN101359583B
公开(公告)日：2011-11-16
申请号：CN200810128089.4
申请日：2008-07-29
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Inventor： 高桥俊树
CPC classification number: H01L21/67757 , H01J37/32091 , H01J37/32779
Abstract: 本发明提供一种批量式的等离子体处理装置，具有封闭端和与此相对的开口端，同时包括具有收纳被处理基板的处理区域的筒状的处理容器，处理容器具有筒状的绝缘性主体。装置还包括：隔开间隔保持被处理基板的保持具、对处理容器内搬入搬出保持具的装载机构、和配置在装载机构上并气密地关闭开口端的盖部。在处理容器的封闭端配置第一电极，在盖部配置第二电极，第一和第二电极构成平行平板电极对。在第一和第二电极的一方连接有施加等离子体生成用的高频电力的高频电源。
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