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公开(公告)号：CN114107950B
公开(公告)日：2024-11-15
申请号：CN202110949684.X
申请日：2021-08-18
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: C23C16/455 , C23C16/52 , H01J37/32
Abstract: 本发明提供能够以短间隔且均匀性高地对基片实施低损伤的ALD处理的等离子体处理装置和等离子体处理方法。该等离子体处理装置包括：腔室，其具有对基片实施等离子体处理的处理空间和合成电磁波的合成空间；分隔处理空间和合成空间的电介质窗；天线组件，其具有对合成空间辐射电磁波的多个天线，作为相控阵天线发挥功能；对天线组件输出电磁波的电磁波输出部；在处理空间中载置基片的工作台；气体供给部，其对处理空间供给用于进行ALD成膜的气体；以及控制部，控制部控制从气体供给部的气体的供给以实施ALD成膜，并且进行控制以使得天线组件作为相控阵天线发挥功能而在处理空间中局域化的等离子体高速地移动。
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公开(公告)号：CN103184429A
公开(公告)日：2013-07-03
申请号：CN201210576159.9
申请日：2012-12-26
Applicant: 东京毅力科创株式会社
CPC classification number: H01L21/02189 , H01L21/02178 , H01L21/02205 , H01L21/0228
Abstract: 本发明提供一种成膜方法，其是在成膜装置中进行的成膜方法，该成膜装置包括用于载置多个晶圆的旋转台；在旋转台的上方划分的第一反应气体供给区域、第二反应气体供给区域；以及用于分离第一反应气体供给区域和第二反应气体供给区域的分离区域，该成膜方法包括如下步骤：不向第二反应气体供给区域供给反应气体，向第一反应气体供给区域供给第一反应气体，通过旋转台的旋转使晶圆暴露于第一反应气体，从而使该气体吸附于晶圆表面；接着该步骤，不向第一反应气体供给区域供给反应气体，向第二反应气体供给区域供给第二反应气体，通过旋转台的旋转使晶圆暴露于第二反应气体，从而使吸附于晶圆表面的第一反应气体与第二反应气体反应。
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公开(公告)号：CN1701133A
公开(公告)日：2005-11-23
申请号：CN200480000802.7
申请日：2004-02-04
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: C23C16/44
CPC classification number: C23C16/44
Abstract: 一种在半导体处理装置(1)中处理被处理基板(10)的方法，在处理容器(2)内一边将第一基板(10)的温度控制在处理温度上一边将处理气体供给所述处理容器内，对所述第一基板进行半导体处理。在所述半导体处理中，在所述处理容器(2)的内面上形成副产物膜。在所述半导体处理后并且从所述处理容器(2)取出所述第一基板(10)后，将改质气体供给所述处理容器内，对所述副产物膜进行改质处理。所述改质处理是以降低所述副产物膜的热反射性的方式进行设定的。在所述改质处理后，在所述处理容器(2)内一边将第二基板(10)的温度控制在所述处理温度上一边将所述处理气体供给所述处理容器内，对所述第二基板进行所述半导体处理。
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公开(公告)号：CN102560430B
公开(公告)日：2015-01-28
申请号：CN201110460409.8
申请日：2011-12-28
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: C23C16/448 , C23C16/455
CPC classification number: C23C16/45561 , B08B3/04 , B08B9/02 , C23C16/4402 , Y10T137/4238 , Y10T137/4259
Abstract: 本发明提供原料供给装置及成膜装置。该原料供给装置用于利用气化器使储存部内的液体原料气化并将气化而成的气体供给到半导体制造用的反应容器内，该原料供给装置包括原料供给管、第1原料排出管、清洗流体供给管、第1原料供给阀及第1原料排出阀、清洗流体供给阀，该原料供给装置以如下方式进行操作，即，在将液体原料供给到上述气化器时，使上述第1原料供给阀为打开的状态、且使第1原料排出阀及清洗流体阀分别为关闭的状态，另外，在排出液体原料时，使上述第1原料供给阀为关闭的状态、且使第1原料排出阀及清洗流体供给阀分别为打开的状态。
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公开(公告)号：CN100402696C
公开(公告)日：2008-07-16
申请号：CN200480000802.7
申请日：2004-02-04
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: C23C16/44
CPC classification number: C23C16/44
Abstract: 一种在半导体处理装置(1)中处理被处理基板(10)的方法，在处理容器(2)内一边将第一基板(10)的温度控制在处理温度上一边将处理气体供给所述处理容器内，对所述第一基板进行半导体处理。在所述半导体处理中，在所述处理容器(2)的内面上形成副产物膜。在所述半导体处理后并且从所述处理容器(2)取出所述第一基板(10)后，将改质气体供给所述处理容器内，对所述副产物膜进行改质处理。所述改质处理是以降低所述副产物膜的热反射性的方式进行设定的。在所述改质处理后，在所述处理容器(2)内一边将第二基板(10)的温度控制在所述处理温度上一边将所述处理气体供给所述处理容器内，对所述第二基板进行所述半导体处理。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103184429B
公开(公告)日：2016-06-08
申请号：CN201210576159.9
申请日：2012-12-26
Applicant: 东京毅力科创株式会社
CPC classification number: H01L21/02189 , H01L21/02178 , H01L21/02205 , H01L21/0228
Abstract: 本发明提供一种成膜方法，其是在成膜装置中进行的成膜方法，该成膜装置包括用于载置多个晶圆的旋转台；在旋转台的上方划分的第一反应气体供给区域、第二反应气体供给区域；以及用于分离第一反应气体供给区域和第二反应气体供给区域的分离区域，该成膜方法包括如下步骤：不向第二反应气体供给区域供给反应气体，向第一反应气体供给区域供给第一反应气体，通过旋转台的旋转使晶圆暴露于第一反应气体，从而使该气体吸附于晶圆表面；接着该步骤，不向第一反应气体供给区域供给反应气体，向第二反应气体供给区域供给第二反应气体，通过旋转台的旋转使晶圆暴露于第二反应气体，从而使吸附于晶圆表面的第一反应气体与第二反应气体反应。
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公开(公告)号：CN102994981B
公开(公告)日：2016-06-08
申请号：CN201210337266.6
申请日：2012-09-12
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: C23C16/455 , H01L21/67
CPC classification number: H01L21/68764 , C23C16/455 , C23C16/45506 , C23C16/45551 , H01L21/6719 , H01L21/68771
Abstract: 本发明提供基板处理装置和成膜装置。基板处理装置具有：处理容器；用于对基板进行气体处理的多个处理区域；旋转台，其将基板载置在其上表面侧并使基板依次通过多个处理区域；反应气体供给用的气体喷嘴；分离区域；排气口；罩构件，其用于使反应气体滞留在气体喷嘴的周围，其包括侧壁部和上壁部，在上述罩构件上，从旋转方向上游侧的侧壁部的下部起设有引导面，该引导面用于将从旋转方向上游侧流动的分离气体向上述罩构件的上方引导，气体喷嘴与旋转方向上游侧的侧壁部之间的间隔是8mm以上。
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公开(公告)号：CN102776490B
公开(公告)日：2015-11-04
申请号：CN201210140275.6
申请日：2012-05-08
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: C23C16/455 , C23C16/448 , C30B25/14 , H01L21/31
CPC classification number: H01L21/67017 , C23C16/4482 , C23C16/455 , C23C16/45557 , G05D16/00 , H01L21/02189 , H01L21/0228 , H01L21/67115 , Y10T137/0324 , Y10T137/0396 , Y10T137/7722
Abstract: 一种气体供给装置、热处理装置、气体供给方法及热处理方法，该气体供给装置具有使用载气将原料积存槽内的原料气体向处理容器进行供给的原料气体供给系统，该气体供给装置具备：载气通路，其向原料积存槽内导入载气；原料气体通路，其连结原料积存槽与处理容器，并流通载气与原料气体；压力调整气体通路，其与原料气体通路连接，并供给压力调整气体；以及阀控制部，其按开始第1工序，之后进行第2工序的方式控制开闭阀，其中，在该第1工序中开始向处理容器供给压力调整气体，同时开始利用载气将原料气体从原料积存槽向处理容器内供给，在该第2工序中停止供给压力调整气体。
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公开(公告)号：CN102560430A
公开(公告)日：2012-07-11
申请号：CN201110460409.8
申请日：2011-12-28
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: C23C16/448 , C23C16/455
CPC classification number: C23C16/45561 , B08B3/04 , B08B9/02 , C23C16/4402 , Y10T137/4238 , Y10T137/4259
Abstract: 本发明提供原料供给装置及成膜装置。该原料供给装置用于利用气化器使储存部内的液体原料气化并将气化而成的气体供给到半导体制造用的反应容器内，该原料供给装置包括原料供给管、第1原料排出管、清洗流体供给管、第1原料供给阀及第1原料排出阀、清洗流体供给阀，该原料供给装置以如下方式进行操作，即，在将液体原料供给到上述气化器时，使上述第1原料供给阀为打开的状态、且使第1原料排出阀及清洗流体阀分别为关闭的状态，另外，在排出液体原料时，使上述第1原料供给阀为关闭的状态、且使第1原料排出阀及清洗流体供给阀分别为打开的状态。
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公开(公告)号：CN101800162A
公开(公告)日：2010-08-11
申请号：CN201010106498.1
申请日：2010-01-26
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/00 , H01L21/316 , H01L21/285
CPC classification number: C23C16/45578 , C23C16/46 , H01L21/67109
Abstract: 本发明提供一种立式热处理装置用的构成构件、立式热处理装置及保温筒。用于通过堆积方式形成由金属氧化物构成的高电介质膜的立式热处理装置包括：反应容器，构成为以使多个被处理基板上下设有间隔地层叠的状态收纳该多个被处理基板；支承构件，用于在反应容器内支承被处理基板；加热器，用于对反应容器内的被处理基板进行加热；排气系统，用于对反应容器内进行排气；以及气体供给系统，用于对反应容器内供给金属源气体和氧化气体，气体供给系统包括配设在反应容器内的气体喷嘴，气体喷嘴由以钛为主要成分的金属构成。
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